[发明专利]自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110341960.0 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102394243B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法。根据本发明的自对准闪存中的浮栅结构包括衬底、布置在所述衬底上的栅极氧化层、布置在所述栅极氧化层上的未掺杂多晶硅层、以及布置在所述未掺杂多晶硅层上的掺杂多晶硅层。根据本发明的结构和方法，在修复硅蚀刻后界面的损伤的工艺的高温制程中，未掺杂多晶硅层的氧化速度比掺杂多晶硅层慢，这样就缓解了微笑效应。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 闪存 中的 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准闪存中的浮栅结构的制造方法，其特征在于，包括：栅极氧化层形成步骤，用于在衬底上形成栅极氧化层；未掺杂多晶硅层形成步骤，用于在布置了栅极氧化层的衬底上生长一层未掺杂多晶硅层；未掺杂多晶硅层形成步骤之后,直接执行掺杂多晶硅层形成步骤，用于在未掺杂多晶硅层上形成掺杂多晶硅层；执行高温氧化步骤，修复硅蚀刻后界面的损伤,以及所述掺杂多晶硅层的掺杂元素逐渐扩散到所述未掺杂多晶硅层。
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