[发明专利]自对准闪存中的浮栅结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110341960.0 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102394243B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 闪存 中的 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自对准闪存中的浮栅结构的制造方法，其特征在于，包括：
栅极氧化层形成步骤，用于在衬底上形成栅极氧化层；
未掺杂多晶硅层形成步骤，用于在布置了栅极氧化层的衬底上生长一层未掺杂多晶硅层；
未掺杂多晶硅层形成步骤之后,直接执行掺杂多晶硅层形成步骤，用于在未掺杂多晶硅层上形成掺杂多晶硅层；
执行高温氧化步骤，修复硅蚀刻后界面的损伤,以及所述掺杂多晶硅层的掺杂元素逐渐扩散到所述未掺杂多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的自对准闪存中的浮栅结构的制造方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的掺杂元素为P。
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