[发明专利]制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201110335030.4 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094082A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦;朱普磊;曹均助 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有用于形成N型金属栅极的第一伪栅极和用于形成P型金属栅极的第二伪栅极，半导体衬底上还形成有包围第一伪栅极和第二伪栅极的层间介电层；b）去除第一伪栅极和第二伪栅极中的一个以形成第一填充开口，并在第一填充开口内形成第一金属栅极；c）在第一金属栅极上形成保护层；d）去除第一伪栅极和第二伪栅极中的另一个以形成第二填充开口；以及e）在第二填充开口内形成第二金属栅极，并去除保护层。本发明的方法通过在先形成的金属栅极表面形成保护层来保护该金属栅极在后续的刻蚀工艺和清洗工艺中免受损伤，因此可以有效地避免半导体器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有用于形成N型金属栅极的第一伪栅极和用于形成P型金属栅极的第二伪栅极，所述半导体衬底上还形成有包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介电层；b）去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极中的一个以形成第一填充开口，并在所述第一填充开口内形成第一金属栅极；c）在所述第一金属栅极上形成保护层；d）去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极中的另一个以形成第二填充开口；以及e）在所述第二填充开口内形成第二金属栅极，并去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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