[发明专利]LDNMOS结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110332290.6 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN103094337A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 凌龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDNMOS结构及其制造方法，通过在现有LDNMOS结构的N-漂移区刻蚀出沟槽，并外延生成SiC用以提高击穿电压，可使得N-漂移区的长度缩小，达到缩小LDNMOS尺寸，提高击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | ldnmos 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDNMOS结构，包括P型单晶Si基底以及在P型基底上依次形成的栅氧化层及多晶硅栅极；所述P型基底包括P阱和N‑漂移区，所述P阱中设置有源区，所述N‑漂移区中设置有漏区；在所述N‑漂移区中、漏区与多晶硅栅极之间设置有STI，其特征在于，所述N‑漂移区的部分或全部由N‑掺杂的SiC区构成。
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