[发明专利]半导体器件失配特性的检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201110319213.7 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066060A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;黄威森 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件失配特性的检测结构及检测方法，其中，所述半导体器件失配特性的检测结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件，所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。由于所述半导体器件失配特性的检测结构中的半导体器件具有不同的摆放角度，通过对比不同摆放角度半导体器件的差值或标准差，判断在半导体晶圆上不同的摆放角度对半导体器件失配特性的影响，从而获得制作工艺、半导体晶片对半导体器件的电学参数失配所造成的影响，从而为设计者设计集成电路版图时半导体器件的最佳摆放位置提供帮助，并且为减小制造过程中造成的MOS晶体管失配特性提供参考。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 失配 特性 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件失配特性的检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的若干相同的半导体器件，所述半导体器件等角度地围成至少一个圆环。
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