[发明专利]半导体元件及半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 201110301069.4 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102694025A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 内原士 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，其具备：漏极层；选择性地设于漏极层内的漂移区域；选择性地设于漂移区域内的衬底区域；选择性地设于衬底区域内的源极区域；在源极区域或漏极层的至少一方的内部，选择性地设于源极区域或漏极层的至少一方的第一、第二金属层；在与漏极层的表面大致平行的方向上，从源极区域的一部分贯通与源极区域的至少一部分邻接的衬底区域而到达漂移区域的一部分的沟槽状的栅电极；与第一金属层连接的源电极；以及与漏极层或第二金属层连接的漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
—种半导体元件，其特征在于，具备：漏极层，具有表面及背面；漂移区域，从所述漏极层的表面直到内部地、选择性地设于所述漏极层；衬底区域，从所述漂移区域的表面直到内部地、选择性地设于所述漂移区域；源极区域，从所述衬底区域的表面直到内部地、选择性地设于所述衬底区域；第一、第二金属层，从所述源极区域或所述漏极层的至少一方的表面直到内部地、选择性地设于所述源极区域或所述漏极层的至少一方；沟槽状的栅电极，在与所述漏极层的表面大致平行的方向上，从所述源极区域的一部分贯通与所述源极区域的至少一部分邻接的衬底区域，并到达所述漂移区域的一部分；源电极，与所述第一金属层连接；以及漏电极，与所述漏极层或所述第二金属层连接。
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