[发明专利]鳍式场效应管的结构及其形成方法有效
申请号: | 201110297064.9 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN103022100A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种鳍式场效应管的结构,包括基底;位于所述基底表面的鳍部,所述鳍部包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件,所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小,所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小,本发明实施例的鳍式场效应管的性能稳定性好。相应的,本发明实施例还提供了一种鳍式场效应管的形成方法,其形成工艺简单。 | ||
搜索关键词: | 场效应 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应管的结构,包括:基底;其特征在于,还包括:位于所述基底表面的鳍部,所述鳍部包括位于基底表面的第一部件和位于所述第一部件表面的第二部件,所述第一部件的第一横截面面积随所述第一横截面到所述基底表面的距离的增加而减小,所述第二部件的第二横截面面积不随所述第二横截面到所述基底表面的距离变化或随所述第二横截面到所述基底表面的距离的增加而减小。
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