[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110295166.7 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102420278A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 卓泳助;李在垣;朴永洙;金峻渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底、位于所述基底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的多个氮化物半导体层。所述半导体器件还包括位于所述多个氮化物半导体层之间的至少一个掩蔽层和至少一个夹层。所述至少一个夹层位于所述至少一个掩蔽层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：至少两个堆叠结构，所述至少两个堆叠结构中的每个堆叠结构包括第一氮化物半导体层、位于所述第一氮化物半导体层上的第一掩蔽层、位于所述第一掩蔽层上的第二氮化物半导体层和位于所述第二氮化物半导体层上的第一夹层。
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