[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110275122.8 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102738133A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 田中润;宫下浩一;安藤善康;谷本亮;竹本康男 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体器件包括：控制元件，其通过第一粘合层而被设置在基板的主表面上方；第二粘合层，其被设置为覆盖所述控制元件；第一半导体芯片，其被设置在所述第二粘合层上，所述第一半导体芯片的底表面积大于所述控制元件的顶表面积，并且所述控制元件的外边缘的至少一侧伸出到所述第一半导体芯片的外边缘的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：控制元件，其通过第一粘合层而被设置在基板的主表面上方；第二粘合层，其被设置为覆盖所述控制元件；第一半导体芯片，其被设置在所述第二粘合层上，所述第一半导体芯片的底表面积大于所述控制元件的顶表面积，并且所述控制元件的外边缘的至少一侧伸出到所述第一半导体芯片的外边缘的外部。
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