[发明专利]非平面化半导体结构及其工艺在审
| 申请号： | 201110270877.9 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000687A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡世鸿;林建廷;简金城;林进富;刘志建;蔡腾群;吴俊元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非平面化半导体结构及其工艺，该非平面化半导体结构包括基底、至少二鳍状结构、至少一绝缘结构以及多个外延层。鳍状结构位于基底上。绝缘结构位于鳍状结构之间，且绝缘结构具有含氮层。外延层分别覆盖部分鳍状结构，并位于含氮层上。 | ||
| 搜索关键词： | 平面化 半导体 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种非平面化半导体结构，包括：基底；至少二鳍状结构，位于该基底上；至少一绝缘结构，位于该多个鳍状结构之间，且该绝缘结构具有含氮层；以及多个外延层，分别覆盖部分该多个鳍状结构，并位于该含氮层上。
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