[发明专利]一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管无效
| 申请号： | 201110251405.9 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102299176A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;郝兰众;李言荣;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，属于微电子技术领域。包括(0001)晶向的GaN薄膜和AlxGa1-xN(0＜x≤1)薄膜形成的GaN异质结；在AlxGa1-xN薄膜上具有栅、源、漏电极，在栅电极与AlxGa1-xN薄膜之间具有栅介质薄膜；所述栅介质薄膜或者是LiNbO3(LNO)铁电薄膜、或者是LiTaO3(LTO)铁电薄膜、或者是M元素掺杂的LNO或LTO铁电薄膜。由于LNO或LTO铁电薄膜中的C+方向铁电自发极化的作用，导致AlGaN/GaN异质结中的2DEG被完全耗尽，从而使得本发明提供的铁电薄膜栅GaN异质结场效应晶体管表现出常关特征，即形成增强型器件。本发明提供的铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管具有结构简单的特点，且实现工艺简单、重复性好、稳定性和可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 增强 gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，包括位于衬底表面、(0001)晶向的GaN薄膜；位于GaN薄膜表面、(0001)晶向的AlxGa1‑xN薄膜，其中0＜x≤1；所述AlxGa1‑xN薄膜与GaN薄膜形成GaN异质结；在所述AlxGa1‑xN薄膜上具有栅、源、漏电极，其中栅电极位于源电极和漏电极之间，且在栅电极与AlxGa1‑xN薄膜之间具有栅介质薄膜；其特征在于，所述栅介质薄膜或者是LiNbO3(LNO)铁电薄膜、或者是LiTaO3(LTO)铁电薄膜、或者是M元素掺杂的LNO或LTO铁电薄膜。
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