[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，目的是提高半导体器件的可靠性。在下部封装(2)上层积了上部封装(9)的POP(1)中，通过用阻焊膜(7t2)来堵塞位于配置在下部封装(2)的布线基板(7)上表面(7a)的外缘部上的第一连接盘组和配置在中央部的第二连接盘组之间的第一区域中的阻焊膜(7t1)的开口部(7ac)，就可使开口部(7ac)难于成为裂痕的起点，由此可以抑制裂痕的出现，从而提高POP(1)的可靠性。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序(a)，准备布线基板，所述布线基板具有：平面形状为四边形的上表面；设置在所述上表面上的芯片安装区域；第一电极端子组，其形成在所述上表面，且沿着所述上表面的端部而形成；第二电极端子组，其形成在所述上表面，且俯视观察时比所述第一电极端子组更靠内侧地形成；多条第一供电线，与所述第一电极端子组中的多个第一电极分别连接，且从所述多个第一电极分别朝向所述上表面的所述端部延伸；多条第二供电线，与所述第二电极端子组中的多个第二电极分别连接，且俯视观察时从所述多个第二电极分别朝向位于所述第一电极端子组和所述第二电极端子组之间的第一区域延伸；第一上表面侧绝缘膜，其具有在所述第一区域开口的开口部，且以露出所述第一电极端子组及所述第二电极端子组以及以覆盖所述多条第一供电线和所述第二供电线的方式形成在所述上表面上；第二上表面侧绝缘膜，其以堵塞所述开口部的内部且以露出所述第一电极端子组及所述第二电极端子组的方式形成在所述第一上表面侧绝缘膜上；位于所述上表面相反一侧的下表面；第三电极端子组，其形成在所述下表面且分别与所述第一电极端子组及所述第二电极端子组电连接；以及第一下表面侧绝缘膜，其以露出所述第三电极端子组的方式形成在所述下表面；工序(b)，将半导体芯片安装于所述布线基板的所述芯片安装区域，所述半导体芯片具有平面形状为四边形的表面、形成在所述表面上的多个焊盘、以及位于所述表面相反一侧的背面；工序(c)，经由多个导电性部件将所述半导体芯片的所述多个焊盘与所述布线基板的所述多个第二电极分别进行电连接；工序(d)，在所述布线基板的所述第三电极端子组分别形成多个外部端子；其中，在所述多个第一电极端子组及所述多个第二电极端子组的 表面采用电解电镀法而形成有电镀层，在俯视观察时，所述第一区域沿着所述半导体芯片的边设置，在俯视观察时，所述第一区域配置在所述半导体芯片的外围，在俯视观察时，所述第二上表面侧绝缘膜呈环状形成于所述半导体芯片外围。