[发明专利]基底、制造基底的方法及有机发光显示装置有效
申请号: | 201110055020.5 | 申请日: | 2011-03-07 |
公开(公告)号: | CN102201443A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 郑胤谟;李基龙;徐晋旭;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;朴炳建;李东炫;李吉远;李卓泳;朴钟力;郑在琓 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李娜娜 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括:有源层,设置在基底上,有源层包括沟道区及源区和漏区;栅电极,设置在有源层上,沟道区与栅电极对应;栅极绝缘层,设置在有源层和栅电极之间;层间绝缘层,设置为覆盖有源层和栅电极,层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔;源电极和漏电极,设置在层间绝缘层上,源区和漏区与源电极和漏电极对应;欧姆接触层,欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间,并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。 | ||
搜索关键词: | 基底 制造 方法 有机 发光 显示装置 | ||
【主权项】:
一种包括薄膜晶体管的基底,所述基底包括:有源层,设置在基底上,有源层包括沟道区及源区和漏区;栅电极,设置在有源层上,沟道区与栅电极对应;栅极绝缘层,设置在有源层和栅电极之间;层间绝缘层,设置为覆盖有源层和栅电极,层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔;源电极和漏电极,设置在层间绝缘层上,源区和漏区与源电极和漏电极对应;欧姆接触层,欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间,并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。
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