[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括栅电极层、栅极绝缘层、半导体层、源电极层，及漏电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的栅电极层、源电极层及漏电极层的材料不同于第二晶体管的那些，并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

主权项

一种半导体器件，包括：包括在基板之上的第一薄膜晶体管的像素部分；以及包括在所述基板之上的第二薄膜晶体管的驱动器电路部分，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅电极层；在所述第一栅电极层之上的第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层之上的第一半导体层；以及在所述第一半导体层之上的第一源电极层和第一漏电极层，所述第二薄膜晶体管包括：第二栅电极层；在所述第二栅电极层之上的第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层之上的第二半导体层；以及在所述第二半导体层之上的第二源电极层和第二漏电极层，其中所述第一栅电极层、所述第一栅极绝缘层、所述第一半导体层、所述第一源电极层，以及所述第一漏电极层中的每个都具有光透射性质，其中所述第一栅电极层的材料不同于所述第二栅电极层的材料，其中所述第二栅电极层的电阻小于所述第一栅电极层的电阻，其中所述第一源电极层和所述第一漏电极层的材料不同于所述第二源电极层和所述第二漏电极层的材料，以及其中所述第二源电极层和所述第二漏电极层的电阻小于所述第一源电极层和所述第一漏电极层的电阻。