[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明是在栅极替代工艺(Replacement gate或Gate last)制备CMOS晶体管过程中，在NMOS器件区域和PMOS器件区域形成高k栅介质层后，分别形成属于NMOS区域的第一功函数调节介质层和属于PMOS区域的第二功函数调节介质层，以分别调节NMOS器件、PMOS器件的阈值电压，而且由于采用介质材料形成，其更容易选择性刻蚀，有利于进行工艺控制，而且也缓解了对双金属栅材料研究的压力。

主权项

一种半导体器件，包括：具有NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底；形成于所述半导体衬底中分别属于NMOS区域和PMOS区域的源极区和漏极区；形成于所述NMOS区域衬底上的第一栅堆叠和形成于所述PMOS区域衬底上的第二栅堆叠；其中，所述第一栅堆叠包括：第一界面层；形成于所述第一界面层上的第一高k栅介质层；形成于所述第一高k栅介质层上的第一功函数调节介质层；形成于所述第一功函数调节介质层上的第一金属栅电极；所述第二栅堆叠包括：第二界面层；形成于所述第二界面层上的第二高k栅介质层；形成于所述第二高k栅介质层上的第二功函数调节介质层；形成于所述第二功函数调节介质层上的第二金属栅电极；其中所述第一和第二功函数调节介质层由不同材料形成，用以分别调节所述NMOS器件和PMOS器件的功函数。