[发明专利]固态存储装置中的热存储器块表有效

专利信息
申请号: 200980140914.5 申请日: 2009-09-25
公开(公告)号: CN102187398A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 特洛伊·曼宁 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/00 分类号: G11C16/00;G11C16/02;G11C16/06;G11C16/08
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明揭示固态存储装置及用于填充热存储器块查找表(HBLT)的方法。在此一种方法中,将非易失性存储器块的经存取页表或存储器映射的指示存储于所述HBLT中。在所述页表或存储器映射已经存在于所述HBLT中的情况下,将所述页表或存储器映射的优先级位置提高到下一优先级位置。在所述页表或存储器映射尚未存储于所述HBLT中的情况下,将所述页表或存储器映射存储于所述HBLT中某一优先级位置(例如中点)处,且在对所述页表或存储器映射的每一后续存取时递增所述优先级位置。
搜索关键词: 固态 存储 装置 中的 存储器
【主权项】:
一种用于填充热存储器块查找表的方法,所述方法包括:确定何时存取页表;在所述经存取页表的指示已经在所述热存储器块查找表中第一优先级位置处的情况下,将所述第一优先级位置提高到具有比所述第一优先级位置高的优先级的第二优先级位置;以及在所述经存取页表的所述指示不在所述热存储器块查找表中的情况下,将所述指示存储于所述热存储器块查找表中初始优先级位置处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980140914.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种具叠层结构的非易失性存储装置-201620308697.3
  • 李晨;刘建宇;赵峰;陈耀祖;王晓艺;房建;黄志林;姜晨;赵美玲;刘婕;王爽 - 李晨
  • 2016-04-13 - 2016-12-14 - G11C16/00
  • 本实用新型公开了一种具叠层结构的非易失性存储装置,电路板靠近支撑架位置设置内存插针,电路板正面两端设置连接插孔,电路板反面对应连接插孔位置设置连接插针,连接插针与连接插孔插接通信连接,以实现多个电路板的叠层设置,闪存卡一端设置有内存插条,内存插条与电路板上的内存插针连接,内存插条上设置有闪存卡,内存条上还设置有前插孔和侧插孔,前插孔的朝向与侧插孔的朝向垂直。本实用新型十分方便的实现了各个电路板的叠层设置,提高了本实用新型的非易失性存储装置的存储扩展能力,使用起来十分方便,本实用新型通过设置相互垂直的前插孔和侧插孔,实现了在不同角度、不同位置对该存储装置进行插接通信的方便性。
  • 一种分体手机储存器-201610320691.2
  • 林建铃;林建宝;张秀平 - 苏州金建达智能科技有限公司
  • 2016-05-16 - 2016-07-27 - G11C16/00
  • 本发明涉及一种分体手机储存器,包括主控制器、储存器、U盘、芯片、音响、指纹解锁开关、和电池,其中,主控制器上连接有储存器、芯片、U盘、音响,主控制器用以控制储存器、芯片、U盘、音响工作模式,电池与主控制器相连接用以供电;上述主控制器上设置有连接接口与设置在手机上的USB接口相连接。主控制器上连接的储存器采用大容量储存器,用以储存大批量数据,其储存容量为10G~10T容量。该发明系统能有效地扩展手机容量,并充分利用分体式设计,实现大容量储存的分离,避免了储存器与手机相结合使用的不方便,且集成了多种多媒体播放效果,方便根据需要使用,改善了手机娱乐使用效果,也方便大数据储存和展示。
  • 存储元件和存储装置-201110401742.1
  • 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 - 索尼公司
  • 2011-12-06 - 2012-07-04 - G11C16/00
  • 本发明涉及存储元件和存储装置。所述存储元件包括:存储层、磁化固定层和绝缘层,通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子,所述存储层的磁化的方向发生改变并且在所述存储层进行信息的记录,并且在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中,从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜,并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。所述存储装置包括上述存储元件和两种类型的布线,并且借助通过所述两种类型的布线在所述层叠方向上流向所述存储元件的电流来注入自旋极化电子。本发明能够实现具有高耐热性、易于应用半导体工艺并且具有优良可生产性的非易失性存储器。
  • BIOS存储器芯片烧录夹具-201010594357.9
  • 滕兴龙 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2010-12-17 - 2012-07-04 - G11C16/00
  • 一种BIOS存储器芯片烧录夹具,用于对一BIOS存储器芯片进行烧录操作,该BIOS存储器芯片烧录夹具包括一本体部、一对转轴、一对夹持件及一对扭力弹簧,该对夹持件通过该对扭力弹簧及该对转轴分别转动地设于该本体部两侧,该本体部的底面对应该BIOS存储器芯片的芯片引脚设有若干连接引脚,该本体部的顶面设有若干与该连接引脚电性相连的信号引脚,当该本体部通过该夹持件夹持于该BIOS存储器芯片上时,该连接引脚对应与该BIOS存储器芯片的芯片引脚电性接触。该BIOS存储器芯片烧录夹具可方便对BIOS芯片进行烧录操作。
  • 固态存储装置中的热存储器块表-200980140914.5
  • 特洛伊·曼宁 - 美光科技公司
  • 2009-09-25 - 2011-09-14 - G11C16/00
  • 本发明揭示固态存储装置及用于填充热存储器块查找表(HBLT)的方法。在此一种方法中,将非易失性存储器块的经存取页表或存储器映射的指示存储于所述HBLT中。在所述页表或存储器映射已经存在于所述HBLT中的情况下,将所述页表或存储器映射的优先级位置提高到下一优先级位置。在所述页表或存储器映射尚未存储于所述HBLT中的情况下,将所述页表或存储器映射存储于所述HBLT中某一优先级位置(例如中点)处,且在对所述页表或存储器映射的每一后续存取时递增所述优先级位置。
  • 固态存储装置中的转换层-200980140472.4
  • 特洛伊·曼宁 - 美光科技公司
  • 2009-09-25 - 2011-09-07 - G11C16/00
  • 本发明揭示固态存储装置及用于快闪转换层的方法。在一个此种转换层中,通过并行单元查找表将扇区指示转换为存储器位置,所述并行单元查找表是在初始化时通过存储器装置枚举而填充的。每一表条目包括所找到的每一操作存储器装置的通信信道、芯片启用、逻辑单元及平面。当接收到所述扇区指示时,模函数对所述查找表的条目进行运算以确定与所述扇区指示相关联的所述存储器位置。
  • 一拖八程序烧录端口-200920256069.5
  • 张进学 - 昆山市苏俊电子有限公司
  • 2009-12-02 - 2010-10-06 - G11C16/00
  • 一种一拖八程序烧录端口,由端口盒、烧录机组成,其特征在于:在烧录机(1)输出接口(2)接有导线(3),导线端接有插口(4),与端口盒(5)相接,端口盒内装有分线电路板(6),板上装有八个25P端口(7)。本实用新型解决了目前一台烧录机一次只能对一个单板进行程序烧录作业,速度慢、效率低之不足。具有结构简单、生产成本低、可同时烧录多块芯片,操作方便、有广阔市场前景诸多优点。
  • 用于电子储存装置的封装结构-200920269642.6
  • 董悦明;杨家铭;蔡秀妮;林淑惠;蔡秀芳 - 华泰电子股份有限公司
  • 2009-10-27 - 2010-09-15 - G11C16/00
  • 本实用新型揭露一种用于电子储存装置的封装结构。根据本实用新型的封装结构包含基板、多个无源电子元件、控制器芯片、存储器芯片以及连接器。无源电子元件、控制器芯片及存储器芯片是黏着基板的上表面并电连接至形成于上表面的连接电路。此外,无源电子元件、控制器芯片及存储器芯片是由绝缘材料包覆。连接器的端子是黏着于基板的下表面上的接触电极。本实用新型的优点是使产品的可靠性提升、封装成本下降以及实现完全自动化生产,从而节省制造成本及时间。
  • 用于非易失性存储器的增强型写中断机制-200880102322.X
  • 史蒂文·T·斯普劳斯;达瓦尔·帕里克;阿琼·卡普尔 - 桑迪士克公司
  • 2008-08-01 - 2010-08-11 - G11C16/00
  • 在具有控制器和由控制器控制的非易失性存储器阵列的非易失性存储器(NVM)器件中,电压管理器电路监视为NVM器件供电的电压源的输出。电压管理器电路可以是NVM器件的一部分或者耦连到它。电压管理器电路被配置为响应于检测到为NVM器件供电的电压源的输出下降到预定值以下,使“低电压”信号有效。该控制器被配置为当“低电压”信号无效时将数据写到存储器阵列中,以及当“低电压”信号有效时暂停写数据。响应于“低电压”信号的有效,该控制器完成未决情况下的写周期/编程操作,以及在“低电压”信号的有效期间阻止任何另外的(一个或多个)写周期/编程操作。
  • 具有位于存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置-200880021966.6
  • 东谷政昭 - 桑迪士克公司
  • 2008-06-24 - 2010-05-19 - G11C16/00
  • 一种具有存储元件之间的可单独控制的屏蔽板的非易失性存储装置。屏蔽板通过在存储元件和它们的相关字线之间沉积诸如掺杂的多晶硅的导电材料以及提供用于屏蔽板的触点而形成。屏蔽板降低了存储元件的浮置栅极之间的电磁耦合,并可用于优化编程、读取和擦除操作。在一种方式中,屏蔽板在感测操作期间提供NAND串中的存储元件之间的场感应导电性,使得衬底中无需源极/漏极植入。在一些控制方案中,交替的高电压和低电压被施加到屏蔽板。在其他控制方案中,共同的电压被施加到屏蔽板。
  • 具有耐插拔串接槽的迷你随身碟-200710196594.8
  • 于鸿祺;卢科文;邱文俊 - 华东科技股份有限公司
  • 2007-12-05 - 2009-06-10 - G11C16/00
  • 本发明是有关于一种具有耐插拔串接槽的迷你随身碟,主要包含一存储器模块封装件、多个弹性导电片以及一用以固定所述弹性导电片的绝缘固定件。设于串接槽内为多个转接指,邻近设于该存储器模块封装件的一端。每一弹性导电片位于对应转接指的上方。借由该绝缘固定件的固定,所述弹性导电片为突出状显露。当插接另一随身碟于该串接槽时,所述弹性导电片的接触端导电性接触至所述转接指,使两个随身碟达到电性互连但不会对转接指直接造成磨擦刮伤,故可提供耐插拔的电性接触。
  • 一种实现NOR FLASH坏块管理的方法及其控制电路-200710176507.2
  • 黄钧;李刚;陈震;徐磊;陈冈;宗萍;乔瑛;殷越;刘亮 - 北京同方微电子有限公司
  • 2007-10-30 - 2009-05-06 - G11C16/00
  • 一种实现NOR FLASH坏块管理的方法及其控制电路,涉及FLASH闪存技术领域。本发明控制电路包括分为普通区、常用区和替换区的FLASH。普通区和常用区为系统总线可访问区域,普通区不可被替换。常用区可通过替换区对坏块的逻辑地址进行替换。替换区为常用区的替换备份区。本发明控制电路还包括控制FLASH擦替换的擦替换控制单元、系统上电时用来检查并校验写错误的上电纠错单元、索引存储单元以及控制FLASH擦写时序的FLASH接口单元。同现有技术相比,本发明通过对FLASH进行物理上的配置分区,对坏块进行记录和擦写替换以及上电纠错,实现系统逻辑地址访问NOR FLASH时,有不同擦写耐力。
  • 平均磨损方法及使用此方法的控制器-200710167007.2
  • 叶志刚 - 群联电子股份有限公司
  • 2007-10-22 - 2009-04-29 - G11C16/00
  • 本发明提出一种有限系统资源下的平均磨损方法,适于非易失性存储器,其中,非易失性存储器实质上分割为多个数据块且此些数据块至少分组为数据区、备用区、替换瞬时区,数据区的这些数据块可分为多个最近使用数据块与多个最近未使用数据块,此平均磨损方法包括:a.仅记录最近使用数据块以及备用区的数据块抹除次数;b.当从备用区中提取用于替换瞬时区的数据块时,以备用区中其它数据块的抹除次数加上第一阈值为提取的判断条件;以及c.执行耗损调整程序。其中,所提取数据块与其它数据块是以一随机方式或一循序方式来选取。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top