[发明专利]制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法有效
申请号: | 200980115726.7 | 申请日: | 2009-02-27 |
公开(公告)号: | CN102037546A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | G·B·库克;P·马宗达;K·K·索尼;B·苏曼;C·S·托马斯;N·文卡特拉马 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/208 | 分类号: | H01L21/208;C30B15/00;C30B28/04;C30B29/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生;周承泽 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及制造半导体材料的制品的方法,以及由此形成的半导体材料制品,例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。 | ||
搜索关键词: | 制造 纯净 掺杂 半导体材料 负载 制品 方法 | ||
【主权项】:
一种制造半导体材料的非负载的制品的方法,该方法包括:提供温度为T模的模具;提供温度为TS的熔融半导体材料,其中TS>T模;用颗粒涂覆模具的外表面;将模具浸入熔融半导体材料中足够长的时间,在模具的外表面上形成半导体材料的固体层;从熔融半导体材料中取出带有半导体材料固体层的模具;从模具分离半导体材料固体层,形成半导体材料的非负载的制品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康宁股份有限公司,未经康宁股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980115726.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便携式电子装置壳体联接结构
- 下一篇:带加热器的高频加热装置
- 同类专利
- 基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法-201710320920.5
- 杨鹰;韩娟;魏蓉;宁晓辉;李简 - 西北大学
- 2017-05-09 - 2019-06-25 - H01L21/208
- 本发明涉及一种基于沉积电势控制氧化亚铜半导体导电类型的方法。现有技术中还没有在一种电镀液体系中通过改变沉积电势制得不同导电类型的氧化亚铜半导体的方法。本发明配制铜盐溶液作为二价铜离子的来源,调节其pH值为酸性;将十二烷基硫酸钠加入铜盐溶液中得到电镀液,利用恒电势仪在该电镀液中改变沉积电势进行电沉积得到Cu2O薄膜;不同沉积电势可制得不同导电类型的Cu2O薄膜。本发明在其他制备工艺参数不变的情况下,通过控制沉积电势调控所得的氧化亚铜半导体的导电类型,易于制备p型导电或者n型导电的氧化亚铜,工艺操作简便,制造成本低廉。
- 掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法-201610918606.2
- 今村哲也;富泽由香;池田吉纪 - 帝人株式会社
- 2013-03-29 - 2018-12-14 - H01L21/208
- 本发明的第1方面提供表面凹凸少、连续性高的硅层形成于基材上的半导体层合体的制造方法。本发明的第1方面的制造具有基材10和基材上的烧结硅粒子层5的半导体层合体的方法包含以下工序:(a)将含有分散介质和分散于分散介质中的硅粒子的硅粒子分散体涂布在基材10上,形成硅粒子分散体层1的工序;(b)将硅粒子分散体层1干燥,形成未烧结硅粒子层2的工序;(c)在未烧结硅粒子层上层合光透射性层3的工序;以及(d)穿过光透射性层3对未烧结硅粒子层2照射光,使构成未烧结硅粒子层2的硅粒子烧结,由此形成烧结硅粒子层5的工序。
- 复合基板和功能元件-201480019026.9
- 岩井真;今井克宏;坂井正宏 - 日本碍子株式会社
- 2014-12-15 - 2018-06-12 - H01L21/208
- 当在具备蓝宝石基板、以及在蓝宝石基板上通过结晶生长的氮化镓结晶层的复合基板中,在其上形成由13族元素的氮化物形成的功能层时,抑制功能层的偏差。复合基板(4)具备蓝宝石基板(1A)、以及在蓝宝石基板(1A)上设置的氮化镓结晶层(3)。复合基板(4)的翘曲度为,每5.08cm,+40μm以上、+80μm以下。
- 在半导体处理腔室中所使用的溅射源-201480008495.0
- 基思·A·米勒;马丁·李·莱克 - 应用材料公司
- 2014-02-26 - 2018-05-29 - H01L21/208
- 在某些实施方式中,一种用于处理腔室的溅射源可包括:第一围绕体,所述第一围绕体具有顶部、多个侧部和开放的底部;靶材,所述靶材耦接至所述开放的底部;电馈入器,所述电馈入器耦接至所述第一围绕体的所述顶部、靠近所述第一围绕体的中心轴,以经由所述第一围绕体提供功率至所述靶材;磁体组件,所述磁体组件具有轴、耦接至所述轴的支撑臂和耦接至所述支撑臂的磁体,所述磁体组件设置于所述第一围绕体内;第一旋转致动器,所述第一旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体,以使所述磁体绕着所述第一围绕体的所述中心轴旋转;和第二旋转致动器,所述第二旋转致动器相对于所述第一围绕体的所述中心轴设置成离轴的并且可旋转地耦接至所述磁体,以使所述磁体绕着所述磁体组件的中心轴旋转。
- 一种通过常温下的混合溶剂诱导调控获得黑色立方晶系钙钛矿薄膜的方法-201510299389.9
- 周祎;宋波;李永舫;余浩;刘晓东 - 苏州大学
- 2015-06-04 - 2018-04-27 - H01L21/208
- 本发明公开了一种通过常温下的混合溶剂诱导调控获得黑色立方晶系钙钛矿薄膜的方法。具体而言,本发明的方法包括如下步骤1)通过在溶剂中混合两种供体来制备钙钛矿前体溶液;2)将钙钛矿前体溶液于常温下旋涂在基底上,得到带有钙钛矿活性层的基底;以及3)采用混合溶剂营造密闭气氛,并将带有钙钛矿活性层的基底置于其中进行退火处理,直至基底变为黑色,即得黑色立方晶系钙钛矿薄膜。本发明的方法在常温下进行,降低了制备过程中的能耗;同时可以快速制备出平整、结晶质量好的钙钛矿晶体,在大面积内具有良好的均一性,使其在大面积钙钛矿太阳能电池的制备中具有很好的应用前景。
- 复合基板、其制造方法、功能元件以及晶种基板-201480034478.4
- 仓冈義孝;岩崎康范;吉野隆史 - 日本碍子株式会社
- 2014-07-18 - 2017-10-31 - H01L21/208
- 一种复合基板,具备多晶陶瓷基板,直接接合于多晶陶瓷基板的硅基板,通过气相法设置在硅基板上的包含13族元素氮化物的晶种膜,以及通过助熔剂法在该晶种膜上结晶生长而成的氮化镓结晶层。
- 一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法-201510369063.9
- 彭淑静;唐立丹;梅海林;王冰;齐锦刚;王建中 - 辽宁工业大学
- 2015-06-29 - 2017-10-24 - H01L21/208
- 一种有机/无机杂化锡铅混合钙钛矿材料及其制备方法,将固体甲基溴化铵和固体溴化亚铅、固体溴化亚锡进行混合,加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中,搅拌均匀,得到反应溶液;将反应溶液进行脉冲电磁场处理后,滴加在导电玻璃基片上,分别进行低速旋涂和高速旋涂,形成一层钙钛矿薄膜,然后真空干燥箱中真空干燥,得到有机无机杂化锡铅钙钛矿薄膜。优点是该方法制备过程简单,制备稳定性好,周期短、有效降低工艺成本;可降低铅元素含量,以减少对环境污染,产品的光吸收率较高,可以作为太阳能电池光吸收层材料。
- 一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法-201510295876.8
- 王洋;胡淑红;吕英飞;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2015-06-02 - 2017-09-22 - H01L21/208
- 本发明公开了一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法。该方法的工艺基于GaAs同质外延在低温生长的最佳工艺参数,并将熔源的熔融过程分为两次第一次熔融获得Ga、As为组分的初始熔源;第二次熔融时加入Sb组分,再次长时间熔融得到生长熔源。该发明的优点是可以在低温下获得富As的GaAsSb薄膜,且制备工艺简单,工艺成本低,晶体质量高。
- 提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用-201510917803.8
- 张宇;陈宏泰;车相辉;林琳;位永平;王晶;郝文嘉;于浩 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2015-12-10 - 2016-02-24 - H01L21/208
- 本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域,具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法,将掺杂碳的铟镓砷薄膜,在氮气环境下进行降温退火,退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃,时间为5±1min,压力为50±5mbar。该方法能够减弱MOCVD反应室内氢钝化效应对掺杂碳原子的影响,能够破坏C-H化学键,使InGaAs薄膜中的碳原子得到充分激活,获得高P型掺杂浓度的InGaAs薄膜。该方法能够用于半导体器件结构的制备中。
- 消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法-201510489191.7
- 刘兴昉;刘斌;刘胜北;闫果果;王雷;赵万顺;张峰;孙国胜;曾一平 - 中国科学院半导体研究所
- 2015-08-11 - 2015-12-09 - H01L21/208
- 一种消除碳化硅外延面穿通缺陷的方法,包括如下步骤:步骤1:取一碳化硅衬底,并清洗干净;步骤2:对衬底的表面进行腐蚀,直至显露缺陷坑;步骤3:在衬底上制作硅层;步骤4:升高温度使硅层熔化,使之填满缺陷坑,并使外表面平整;步骤5:通入碳源,使熔化硅层部分转变成第一碳化硅层;步骤6:通入碳源,使剩余的熔化硅层部分转变成第二碳化硅层;步骤7:腐蚀,将剩余的硅层腐蚀掉,留下完整的第一、第二碳化硅层,完成制备。本发明是将碳化硅衬底外延表面的缺陷消除,进而达到防止缺陷穿通到外延层中。
- 含有非金属催化剂的低K介电溶胶的组合物-201380056715.2
- 马克·L.F.·菲利普斯;特拉维斯·萨维奇 - SBA材料有限公司
- 2013-10-31 - 2015-08-05 - H01L21/208
- 提供了一种用于生产多孔低k介电材料的溶胶组合物。所述组合物可以包括至少一种硅酸酯、极性溶剂、水、用于硅酸酯水解的酸催化剂、两亲性嵌段共聚物表面活性剂,以及降低所生产的材料的介电常数的非金属催化剂。组合物可以进一步包括百万分率浓度低于非金属催化剂的金属离子,和/或组合物可以进一步包括共溶剂。还提供了一种使用溶胶组合物在基板上制备薄膜的方法。
- 一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法-201410837842.2
- 余锡宾;吴刚;杨海;吴圣垚 - 上海师范大学
- 2014-12-24 - 2015-04-29 - H01L21/208
- 本发明公开了一种石墨碳/QDs/Si复合异质结晶硅片的制备方法,其首先采用溶胶法将半导体氧化物量子点吸附在石墨纳米晶表面,然后将其作为晶种生长液,在晶硅片上生长沉积。该方法中半导体氧化物量子点/石墨纳米晶的粒径为1~100nm,在晶硅片上均匀生长,利用量子点、异质结及石墨纳米晶独有的特性,提高少子寿命的同时,明显提高晶硅电池的外量子效率,从而提高太阳能光伏电池的光电转换效率。
- 多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法-201310590931.7
- 胡淑红;邱锋;吕英飞;王洋;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2013-11-21 - 2014-03-26 - H01L21/208
- 本发明公开了一种多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法。本发明包括在具有(100)取向的GaAs衬底上生长一层GaSb量子点材料,然后再生长一层GaAs盖帽层将GaSb量子点层钝化保护起来,重复上述周期结构三次以上,以形成多层嵌埋结构的GaSb量子点材料。本发明的优点是:其一采用的液相外延技术相比其他生长技术具有成本低廉,操作简便的优势;其二多层量子点结构相比单层量子点结构,其量子点PL发光性能大大改善,半峰宽减小,发光曲线光滑。
- 半导体层叠体、半导体装置,以及它们的制造方法-201180067200.3
- 富泽由香;池田吉纪;今村哲也 - 帝人株式会社
- 2011-12-09 - 2013-10-09 - H01L21/208
- 提供半导体装置的制造方法。另外,能使用该方法获得的半导体装置,以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置(500a)的本发明的方法包含下述工序(a)~(c),且第1掺杂剂注入层(52)的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材(10)的晶体取向相同:(a)对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体,和(b)将适用的分散体干燥,形成未烧结掺杂剂注入层,以及(c)通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射,对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂,同时使未烧结掺杂剂注入层烧结,形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。
- 使用溶液法制作柔性板的方法-201080043470.6
- 张震;崔敏姬;韩承勋 - 庆熙大学工业与学术合作基金会
- 2010-02-02 - 2012-09-19 - H01L21/208
- 公开了一种用于使用碳纳米管制作柔性板的方法。所述方法包括将含有碳纳米管的油墨涂覆至基板上以形成沉积层以及将聚合物溶液或单体溶液涂覆在所述沉积的碳纳米管层上以形成薄膜层。根据所述方法,旋涂的碳纳米管层涂覆有聚合物化学溶液或单体化学溶液以最小化基板与聚合物膜接触的面积并由此有利地形成无需施加任何外应力或激光而与所述基板上容易分离的柔性板。
- 一种制备InAsSb量子点的方法-201110354641.3
- 邓惠勇;郭建华;王奇伟;邱锋;孙常鸿;吕英飞;孙艳;胡淑红;胡古今;陈鑫;俞国林;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2011-11-10 - 2012-03-21 - H01L21/208
- 本发明公开了一种制备InAsSb量子点的方法,该方法包括五个步骤,依次是:配制母液(4)、清洁衬底(3)、抽真空后通氢气并加热石墨舟、衬底(3)与母液(4)瞬间接触制备量子点、最后冷却至室温。本发明的石墨舟的母液槽(1)的底部为阵列,即为格栅(101)或其它结构,如同心环(102);制备量子点的过程中,石墨舟的衬底台(2)载着衬底(3)沿竖直方向移动。本发明最大的优点是制备的量子点组分均匀,并基本消除了母液残留,提高了成品率。另外,本发明结构简单,制备成本低,容易推广应用。
- 图案的形成方法、图案和元件-201080016856.8
- 下田达也;松木安生;川尻陵;增田贵史;金田敏彦 - 独立行政法人科学技术振兴机构
- 2010-04-09 - 2012-03-21 - H01L21/208
- 本发明涉及图案的形成方法,该方法包括下述步骤:步骤一,在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物;步骤二,对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二,可以形成包含硅的图案;通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分,可以形成包含硅氧化物的图案。
- 形成电活性层的方法-201080012032.3
- R·J·切斯特菲尔德;J·巴特勒;P·A·桑特 - E.I.内穆尔杜邦公司
- 2010-03-09 - 2012-02-22 - H01L21/208
- 本发明提供了用于形成电活性材料层的方法。所述方法包括:将包含电活性材料和至少一种溶剂的液体组合物沉积在工件上以形成湿层;将所述工件上的湿层放入到包含吸附性固体材料的真空室中;并且在-25℃至80℃范围内的受控温度下在10-6托至1,000托范围内的施加真空下,将所述湿层处理1-100分钟。
- 锑化镓量子点的液相外延制备方法-201110316126.6
- 胡淑红;戴宁 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2011-10-18 - 2012-02-08 - H01L21/208
- 本发明公开了一种锑化稼量子点的液相外延制备方法,该方法通过驱动马达将具有一定过冷度的生长源快速从砷化镓衬底表面推过,由于量子点材料和衬底表面所具有的晶格失配,从而在衬底表明形成锑化镓量子点材料结构。本发明的制备方法更为简便,成本更为低廉,解决了现有技术高成本和高毒性的问题。
- 形成电活性层的方法-201080012033.8
- R·J·切斯特菲尔德;J·巴特勒;P·A·桑特 - E.I.内穆尔杜邦公司
- 2010-03-09 - 2012-02-08 - H01L21/208
- 提供了用于真空干燥的方法。所述方法包括以下步骤:将包含成膜材料和至少一种溶剂的液体组合物沉积在工件上以形成湿层;将工件上的湿层放入到包含冷凝器的真空室中;并且在-25℃至80℃范围内的受控温度下在10-6托至1,000托范围内的施加真空下,将所述湿层处理1-100分钟时段;其中将冷凝器保持在溶剂在所施加真空下将冷凝成液体的温度下。
- 形成电活性层的方法-201080008017.1
- R·J·切斯特菲尔德;J·巴特勒;P·A·桑特 - E.I.内穆尔杜邦公司
- 2010-03-08 - 2012-01-11 - H01L21/208
- 提供了形成电活性材料层的方法,所述电活性材料层具有基本上平的轮廓。所述方法包括:提供具有至少一个主动区域的工件;将包含电活性材料的液体组合物沉积到主动区域内的工件上,以形成湿层;在-25至80℃范围内的受控温度下在10-6托至1,000托范围内的真空下,将所述工件上的湿层处理1-100分钟第一时段,以形成部分干燥的层;将部分干燥的层加热至100℃以上的温度持续1-50分钟第二时段,以形成干燥层。
- 非水溶液无电沉积-200980150019.1
- 埃乌格纽斯·诺尔库斯;简·雅西奥斯基内;耶兹迪·多尔迪 - 朗姆研究公司
- 2009-12-10 - 2011-11-30 - H01L21/208
- 本发明提供非水无电铜电镀液,所述电镀液包括无水铜盐组分,无水钴盐组分,非水络合剂和非水溶剂。
- 在从多液态前体沉积的多孔低k薄膜和阻障层间提升黏着性的方法-200980128310.9
- K·陈;任康树;A·T·迪莫斯 - 应用材料股份有限公司
- 2009-06-30 - 2011-06-15 - H01L21/208
- 在此提出处理基板的方法,其中第一有机硅前体、第二有机硅前体、成孔剂和氧源供应至处理腔室。第一有机硅前体包含整体而言碳含量较低的化合物。第二有机硅前体包含碳含量较高的化合物。成孔剂包含碳氢化合物。施加RF功率以沉积膜层至基板上,并调整各种反应物气流的流速以改变部分沉积膜的碳含量。在一实施例中,沉积膜的起始部分具低碳含量,因而类似氧化物,后继部分则具高碳含量,而类似碳氧化物。另一实施例的特征在于没有类似氧化物的起始部分。后续处理将于膜的高碳含量部分内产生细孔。
- 生长GaN晶体的方法-200980127791.1
- 上松康二;吉田浩章;森下昌纪;藤原伸介 - 住友电气工业株式会社
- 2009-07-14 - 2011-06-15 - H01L21/208
- 本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤:准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10);以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触,在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20),其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此,在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下,可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。
- 制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法-200980115726.7
- G·B·库克;P·马宗达;K·K·索尼;B·苏曼;C·S·托马斯;N·文卡特拉马 - 康宁股份有限公司
- 2009-02-27 - 2011-04-27 - H01L21/208
- 本发明涉及制造半导体材料的制品的方法,以及由此形成的半导体材料制品,例如可用于制造光伏电池的半导体材料制品。
- 一种制造有机电子器件或者光电器件的方法-200780100449.3
- 刘凤仪;贾伦特·杜孟德;庄秀菱;山本恭子;雨宫聪 - 科技研究局;住友化学株式会社
- 2007-08-28 - 2010-09-29 - H01L21/208
- 一种制造有机电子器件或者光电器件的方法,所述方法包括以下步骤:(a)提供其表面形成有多个堤部的基底,在所述多个堤部之间形成有交替的井孔形成物,所述堤部的表面上形成有一定尺寸的压印形成物,所述压印形成物为所述堤部的表面提供了与所述井孔表面不同的选定润湿特性;以及(b)将有机溶液沉积到所述井孔形成物中,其中所述堤部的润湿特性使得任何沉积在其上的有机溶液至少被部分排斥。
- 在Ⅳ族半导体基底上形成外延层的方法-200780045929.4
- D·波普拉夫斯基;F·莱米;M·克尔曼;A·梅泽 - 创新发光体公司
- 2007-12-12 - 2010-02-10 - H01L21/208
- 本发明公开在腔体中形成外延层的方法。该方法包括将IV族半导体基底置于腔体中;并沉积纳米颗粒墨,所述纳米颗粒墨包括IV族纳米颗粒组和溶剂,其中形成多孔坯块。该方法也包括利用加热装置加热该多孔坯块至大约100℃到大约1100℃之间的温度,并且加热大约5分钟到大约60分钟的时间,其中形成外延层。
- 一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法-200910010403.3
- 石勇;薛方红;李春艳;薛冬峰;王立秋 - 大连理工大学
- 2009-02-16 - 2009-09-09 - H01L21/208
- 本发明涉及一种可改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法,特别涉及一种通过在硫或硒离子水溶液中进行水热处理以改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法。该方法首先配制浓度为0.01~0.3M的硫或硒离子水溶液,然后将该溶液倒入水热釜中并将用化学浴、连续离子层吸附反应法或电沉积这些软化学法沉积的硫族半导体薄膜放置在溶液中,最后在160-240℃下对薄膜进行水热处理。与以往传统的400℃以上高温下,在H2S、H2Se、惰性气氛或真空中对薄膜进行热处理的方法相比,本发明反应温度低,污染小,设备简单,适合多种基底表面,可以显著提高薄膜的结晶度和改善薄膜的光电等性能。
- 一种微波水热法制备Sm2O3薄膜的方法-200910021191.9
- 殷立雄;黄剑锋;曹丽云;李娟莹;黄艳;马小波;朱佳 - 陕西科技大学
- 2009-02-19 - 2009-07-29 - H01L21/208
- 一种微波水热法制备Sm2O3薄膜的方法,将分析纯的SmCl3·6H2O加入去离子水中,在磁力搅拌器上搅拌使其溶解得透明溶液A;将透明溶液A加热搅拌并采用氨水溶液调节使溶液的pH值为5.4~6.0形成溶液B;将溶液B倒入微波水热釜中,将清洗干净的基片浸入溶液B中,然后密封微波水热釜,将其放入温压双控微波水热反应仪中进行水热反应,反应结束后自然冷却到室温;打开水热釜,取出基片用无水乙醇冲洗,并置于真空干燥箱内干燥得到Sm2O3光学薄膜。由于制备过程在液相中一次完成,不需要后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3薄膜在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷。
- InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法-200910028440.7
- 耿秀梅;刘海滨;程国胜 - 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2009-01-20 - 2009-07-08 - H01L21/208
- 本发明提供一种InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法,在离子液体中,加入氮源及相应的铟源、镓源、铝源,在温度180~400℃下反应10h以上,过滤,有机溶剂洗涤、干燥,相应的获得InN、GaN、AlN低维纳米结构材料。整个合成过程简单、成本低廉、合成过程高效,所合成的InN、GaN以及AlN纳米结构质量非常高,适合工业化大批量生产。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造