[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910129363.4 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101728309A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘敏秀 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20;H01L21/31;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：(a)在半导体衬底上形成缓冲层；(b)在第一方向上图案化缓冲层，以形成具有侧表面并彼此间隔预定间距的缓冲层图案；(c)在缓冲层图案之上和之间形成半导体外延层；(d)在垂直于第一方向的第二方向上在半导体外延层中形成第一沟槽，以暴露缓冲层图案的侧表面；(e)选择性地移除由第一沟槽暴露的缓冲层图案以形成间隙；(f)在通过移除缓冲层图案而形成的所述间隙中形成掩埋绝缘膜，半导体外延层的一部分设置在掩埋绝缘膜之间；(g)移除在掩埋绝缘膜之间设置的所述半导体外延层的一部分，以在第一方向上形成第二沟槽；和(h)在第一和第二沟槽中形成器件隔离膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：(a)在半导体衬底上形成缓冲层；(b)在第一方向上图案化所述缓冲层，以形成具有侧表面并且彼此相隔预定间距的缓冲层图案；(c)在所述缓冲层图案之上和之间形成半导体外延层；(d)沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述半导体外延层中形成第一沟槽，以暴露出所述缓冲层图案的侧表面；(e)选择性地移除由所述第一沟槽暴露的所述缓冲层图案以形成间隙；(f)在通过移除所述缓冲层图案而形成的所述间隙中形成掩埋绝缘膜，所述半导体外延层的一部分设置在所述掩埋绝缘膜之间；(g)移除在所述掩埋绝缘膜之间设置的所述半导体外延层的一部分，以在所述第一方向上形成第二沟槽；和(h)在所述第一和第二沟槽中形成器件隔离膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
