[发明专利]具有钝化层的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200880130782.3 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102067346A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 江风益;刘军林;王立 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 中国江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种发光器件及其制造方法。该器件包括衬底，位于所述衬底上的第一掺杂半导体层，位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层，以及位于所述第一和第二掺杂半导体层上的多量子阱(MQW)有源层。该器件还包括与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极和与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极。该器件进一步包括第一钝化层，其大体上覆盖了第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧壁，以及未被第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面。通过采用氧化技术来形成所述第一钝化层。该器件进一步包括覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，它包括：衬底；位于所述衬底上的第一掺杂半导体层；位于所述第一掺杂半导体层上的第二掺杂半导体层；位于所述第一和第二掺杂半导体层之间的多量子阱(MQW)有源层；以及与所述第一掺杂半导体层连接的第一电极；与所述第二掺杂半导体层连接的第二电极；第一钝化层，其大体上覆盖所述第一和第二掺杂半导体层以及MQW有源层的侧壁，以及未被所述第二电极覆盖的所述第二掺杂半导体层的部分水平表面，其中所述第一钝化层应用氧化技术形成；以及覆盖所述第一钝化层的第二钝化层。
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