[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 200810098139.9 申请日: 2008-05-15
公开(公告)号: CN101308803A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 马库斯·布伦鲍尔;延斯·波赫;赖纳·施泰纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/48;H01L25/00;H01L25/04;B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;吴贵明
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中,该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。第一半导体被模塑料覆盖。通孔在模塑料中形成。将第一材料沉积在通孔中。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:将第一半导体放置在导电载体上;用模塑料覆盖所述第一半导体;在所述模塑料中形成通孔;以及在所述通孔中沉积第一材料。
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