[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810097177.2 | 申请日： | 2008-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101308835A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 朴珍皞;柳商旭 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L27/146;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种半导体器件的金属互连及其制造方法。该半导体器件可以包括半导体衬底，形成有诸如晶体管的器件结构。层间介电层可以形成在具有金属互连的半导体衬底上，该金属互连穿过层间介电层而形成。在金属互连的至少部分侧壁处形成间隔件。可以在金属互连的上表面上形成扩散阻挡。本发明可以提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：层间介电层，形成在半导体衬底上；金属互连，穿过所述层间介电层而形成；间隔件，位于所述金属互连的侧壁处；和扩散阻挡区，形成在所述金属互连的上表面上。
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