[发明专利]一种GGNMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810044024.1 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101740616A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深N阱内的GGNMOS器件，在器件所有尺寸不变的情况下，可以显著增大沟道电阻，实现GGNMOS的良好触发，并将器件维持在较小的尺寸范围，节约芯片面积。本发明的核心是将GGNMOS器件放在深N阱中，而不是象常规GGNMOS器件做在P型衬底上。其优点是：1、深N阱的磷原子外扩散补偿了部分P阱的硼原子，降低了有效P阱浓度，增加了沟道电阻，改善GGNMOS的触发效果；2、由于深N阱隔离了P阱和P型衬底，减小了源漏电流的流过截面积，进一步增大了沟道电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ggnmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GGNMOS器件，其特征是：该器件包括：P型硅衬底(10)，在该器件最下层；深N阱(11)，在所述P型硅衬底(10)之上；P阱(12)，在所述深N阱(11)之上，所述P阱(12)内包括源极(23)、沟道(22)、漏极(24)和ESD离子注入区(18)；所述ESD离子注入区(18)在所述漏极(24)的最外侧的下方；栅氧化层(13)，在所述P阱的沟道(22)之上；栅极(21)，在所述栅氧化层(13)之上；氮化硅侧墙(16)，在所述栅氧化层(13)和栅极(21)的两侧壁；氮化硅阻挡层(19)，在所述漏极(24)的上方且在氮化硅侧墙(16)和ESD离子注入区(18)之间；金属硅化物(20)，在所述硅片表面未被氮化硅(16、19)覆盖的区域。
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