[发明专利]光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置无效

申请号：	200710169519.2	申请日：	2007-11-08
公开（公告）号：	CN101237002A	公开（公告）日：	2008-08-06
发明（设计）人：	河井元良	申请（专利权）人：	日本电气株式会社
主分类号：	H01L31/103	分类号：	H01L31/103;H01L31/0232;H01L31/0224;G02B6/42
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	关兆辉;孙志湧
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明涉及一种光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置，其用在光系统中，防止倾斜入射在滤光膜上的光与光接收元件的光接收部分光耦合，该光系统中具有光接收元件，其放置在由多层电介质膜制成的滤光膜的发射面侧上。光遮蔽膜层形成在光接收元件自身之上。也就是说，光遮蔽膜层形成在光接收元件入射面侧上，以及开口，其形成在光遮蔽膜层上对应p区的位置。基于从入射面到光接收部分区域p区的距离，开口的尺寸可以被设置以使得仅平行或者接近该状态的光能与p区光耦合。
搜索关键词：	接收元件以及包含装置
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【主权项】：

1.一种背面入射型光接收元件，包含形成在光入射面的对面侧上的光接收部分区域，其中光遮蔽膜层，其配置在光入射面上，以及开口，在与光接收部分区域相对应的位置处，其被配置到光遮蔽膜层。

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申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明公开了一种集成温度监测结构的红外探测器，在红外材料的一侧制备红外探测器；在另一侧上制备用于温度监测的温度敏感单元。该温度敏感单元通过在红外材料上生长绝缘介质层和铬铂金属层结构，并制备电极区，将铬铂金属层的两端引出后测量电阻可以实时监测芯片的温度。本专利用于温度监测的温度敏感单元通过光刻、镀膜等技术进行制备，一致性好。这种温度敏感单元可以根据探测器结构对铬铂金属层结构进行调整，可达到准确测量红外探测器温度的效果。

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申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L31/103
摘要：一种光电二极管，包括：硅化镁晶体的pn结、包含与p型硅化镁接触的材料的电极以及包含与n型硅化镁接触的材料的电极，将所述与p型硅化镁接触的材料设为功函数为4.81eV以上、且与硅反应形成硅化物或与镁形成合金的材料，由此，提供具有不仅与Mg2Si材料的附着力高而且还使包括光灵敏度在内的综合性能提高的电极构成的半导体光电二极管。

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申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法与应用。上述紫外光电探测器，包括以下结构：衬底层；GaN半导体层，上述GaN半导体层设于上述衬底层的上表面；N型半导体层，上述N型半导体层设于上述GaN半导体层的上表面；欧姆电极接触层，上述欧姆电极接触层设于上述GaN半导体层的上表面，且与上述N型半导体层相互分离；N型电极层，上述N型电极层设于上述N型半导体层的上表面。本发明紫外光电探测器具有内建电场，在无外置偏压条件下，即可产生稳定的光电流，这使得本发明紫外光电探测器不仅具有快速响应的特性，还具有自驱动的特性。

场效应晶体管及其制备方法-202211004902.3
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申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本申请涉及半导体电子器件技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管包括：衬底；二硒化钨层，形成于衬底上；源极和漏极，形成于二硒化钨层上；其中，源极和漏极之间的沟道下方的二硒化钨层具有水平同质PN结，水平同质PN结由相邻的本征N+型二硒化钨层和P+型掺杂二硒化钨层形成，P+型掺杂二硒化钨层上形成有钨氧化物外延层。本申请场效应晶体管具有低接触电阻和高光响应特性，用于光电探测器中具有卓越的光探测率，具有很好的应用前景。

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申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/103
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底内具有相互分立的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第二掺杂区内具有第二离子，所述第一离子和所述第二离子的电学类型不同；位于所述衬底上的第一隔离层；位于所述第一隔离层和所述衬底内的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述第一掺杂区和部分所述第二掺杂区；位于所述第一开口内的光吸收层；位于所述光吸收层的顶部表面的保护层。通过位于所述光吸收层的顶部表面上的保护层，能够有效防止所述光吸收层被氧化，降低了氧化物对所述光吸收层内部晶体结构的破坏，进而有效提升了最终形成的半导体结构的电学性能。

半导体结构及其形成方法-202110260919.4
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申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/103
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底内具有第一掺杂区和第二掺杂区；位于衬底上的隔离结构；位于隔离结构和衬底内的第一开口；位于第一开口内的光吸收层，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零；位于隔离结构上的介质层，介质层覆盖光吸收层。通过位于隔离结构和衬底内的第一开口，且第一开口的顶部侧壁与光吸收层的顶部侧壁之间的间距大于零。使得光吸收层的顶部侧壁与第一开口的顶部侧壁之间的间距增大。在后续形成介质层时，使得介质层能够很好的填充到光吸收层和隔离结构之间，减少了缝隙问题的产生，有效提升了锗光电探测器的可靠性，使得最终形成的半导体结构的性能提升。

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摘要：本发明公开了一种石墨烯非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，广泛应用于杀菌消毒紫外线监测、高压电弧紫外线监测以及电气火灾紫外线监测等领域。探测器以聚酰亚胺薄膜为衬底，通过激光诱导在衬底上原位制备石墨烯电极，然后通过磁控溅射法在石墨烯电极上方沉积一层非晶氧化镓薄膜，作为光探测材料，最后将衬底集成在PCB电路板上，其中，石墨烯电极嵌入于聚酰亚胺薄膜衬底中，与衬底结合紧密；非晶氧化镓薄膜位于石墨烯电极上方，石墨烯电极形状可以任意设计，并通过激光诱导原位生成，不需要掩膜版、光刻、刻蚀等复杂工艺，工艺简单，成本低，适合大规模量产。

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申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/103
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一种基于量子碳膜的pn结二极管结构及制作方法-202010187405.6
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发明人：黄海;张岩;宋凯;崔瑞民 -专利权人：黄海
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本实用新型公开了一种微小光纤耦合封装光电二极管，包括壳体，所述壳体的内部中心处固定连接电子元件，所述壳体顶底两端分别居中固定连接第二接线柱、第一接线柱，第二接线柱、第一接线柱上分别套设一外螺纹套，所述外螺纹套外连接有固定盘，所述固定盘左右两侧均设置有安装槽，所述安装槽内滑动连接滑动柱，所述滑动柱外端固定连接弧形接触板。本实用新型的目的在于提供一种防护效果好、散热快且使用寿命长的微小光纤耦合封装光电二极管。

一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备-202111293921.8
发明人：宋欣波;肖婷婷;朱琴;李德香;钟科;封晓杰;龚晓霞 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触。本发明通过对芯片内部P型掺杂区的结构设计，解决了像元区之间的串音问题，同时也能降低漏电流；而且该芯片的制备工艺简单，具有良好的可操作性和可行性，为优化芯片串音和漏电流提供了一种有效途径，推进了红外探测器行业的发展。

一种新型二维同质结及其制备方法-202111082049.2
发明人：侯鹏飞;蔡传洋;欧阳晓平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明公开了一种新型二维同质结，包括衬底、过渡层、绝缘层、二维功能层、左电极和右电极。本发明利用粒子束辐照技术在二维功能层上制备出具有不同半导体特性的不同区域，使得二维功能层成为二维同质结。所形成二维同质结性能稳定，避免了传统同质结中栅压调控的复杂结构，还避免了二维材料堆叠同质结的复杂制备，能够实现单层原子厚度的二维同质结，极大地减小器件尺寸，提高单位面积内器件单元的密度。另外，可以通过调控粒子束辐照技术中所采用的粒子种类，对二维同质结中二维功能层局部的半导体性质及性能进行调控，获得多种不同结构的二维同质结，可以用于光探测技术领域。

一种氧化镓日盲紫外探测器-202110771147.0
发明人：刘宁涛;张文瑞;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明提供一种氧化镓日盲紫外探测器，包括衬底层、氧化镓层、钝化层、铁电层和电极层，所述氧化镓层设置在所述衬底层的表面，所述钝化层设置在所述氧化镓层的表面，所述铁电层设置在所述钝化层的表面，所述铁电层覆盖部分所述钝化层，所述电极层覆盖于所述氧化镓层之上。本发明设计了一种新型氧化镓日盲紫外探测器，通过引入铁电层，利用铁电材料自发极化形成的局域场，调控铁电层覆盖下氧化镓层的能带结构，由此实现氧化镓层同质PN/NPN/PNP结的构建，提高探测器的光电增益和光生载流子的分离效率，从而获得低功耗、高可靠性、高灵敏度的日盲紫外光电探测器。

用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法-202010244449.8
发明人：陈佰乐;黄健 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明提供一种用于中红外波段的半导体光电探测器及其制备方法，该结构包括：依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAs/GaSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层；阴极，形成于阴极接触层上；阳极，形成于阳极接触层上；共面波导电极，分别与阴极及阳极电连接。本发明采用InAs/GaSb材料体系作为半导体光电探测器的吸收层可将光电探测器的测试波长延伸至中红外波段，当形成的电子基态能级与空穴基态能级之差小于中红外波长的光子对应的能量时，就能吸收中红外波长的光，从而实现对中红外波段的覆盖；另外，通过调节吸收层中InAs层和GaSb层的厚度，使探测器具有一定的波长可调节范围；再者采用单行载流子(电子)结构，能够实现更高的响应速度。

上入光式红外传感器元件及其制造方法-202110914145.2
发明人：朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明的实施例公开了一种上入光式红外传感器元件及其制造方法，所述上入光式红外传感器元件包括至少一个化合物半导体叠层，所述至少一个化合物半导体叠层能够检测波长大于等于1微米的红外线并输出表示该检测的电信号；含有IC电路的基板，所述IC电路对从所述至少一个化合物半导体叠层输出的电信号进行处理并进行运算以获得检测结果；粘结层，所述粘结层将至少一个化合物半导体叠层键合到含有IC电路的基板上。所述至少一个化合物半导体叠层的电极与IC电路的引线端电连接。本发明属于半导体技术领域。该上入光式红外传感器元件可在室温下工作，不易受暗电流、电磁噪声以及热波动的影响，结构紧凑。

红外光探测器及其制作方法-201811061275.0
发明人：黄勇;赵宇;吴启花;熊敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/103
摘要：本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、N型衬底以及依序叠层于N型衬底的第一表面上的N型超晶格吸收层、N型超晶格势垒层和N型超晶格接触层，N型超晶格接触层中形成有多个P型超晶格接触部，多个P型超晶格接触部彼此独立，第一电极设置于N型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个P型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明还公开了如上述的红外光探测器的制作方法。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光接收元件以及包含该光接收元件的光接收装置无效

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