“宋欣波”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器-CN202223103642.3有效
发明人：陈冬琼;赵鹏;杨文运;宋欣波;李德香;王海澎;李立华;施静梅;戴欣冉;白兰艳;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲层、底电极接触层、吸收层、势垒层及顶电极接触层。通过设计红外探测器材料的结构，获得所述红外探测器材料。采用所述红外探测器材料的红外探测器，可实现8μm～10.6μm的长波探测。
一种长波 nbn inassb 红外探测器材料

[实用新型]一种锑化铟焦平面器件表面的钝化结构-CN202320338935.5有效
发明人：肖婷婷;宋欣波;朱琴;封晓杰;尚发兰;邓功荣;范明国 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锑化铟焦平面器件表面的钝化结构，属于红外探测器技术领域。所述钝化结构是由氧化铝薄膜、氧化硅薄膜和氮化硅薄膜按顺序组成的复合层状结构，其中氧化铝薄膜直接覆盖在P型掺杂锑化铟晶片表面。所述钝化结构中引入的氧化铝薄膜，能够获得高致密、高覆盖性、高均匀性的钝化界面，实现钝化界面电荷的有效控制；将氧化铝薄膜、氧化硅薄膜以及氮化硅薄膜配合使用，不仅能实现比单层氧化铝薄膜更低的应力以及更好稳定性，而且复合膜引入的固定电荷较少，能使界面固定电荷与界面态形成与表面漏电相关的暗电流得到有效抑制，进而显著提升锑化铟焦平面器件的性能。
一种锑化铟焦平面器件表面钝化结构

[发明专利]一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法-CN202211482555.5在审
发明人：龚晓霞;宋欣波;朱琴;方莉媛;陆江伟;赵荣;陈冬琼;杨玲;杨文运;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种低暗电流铟镓砷焦平面探测器的制备方法，属于InGaAs探测器技术领域。在InP衬底上按顺序依次生长InP缓冲层、InGaAs腐蚀停层、N型InP接触层、InGaAs吸收层、N型InP帽层以及InGaAs接触层；然后在InGaAs接触层做P型接触区光刻，再做扩散区光刻并进行Zn扩散且扩散至InGaAs吸收层，则在含有Zn掺杂的区域形成P型掺杂区；再做N型接触区光刻，在P型掺杂区四周形成N型接触区；再做欧姆接触区光刻以形成P型与N型欧姆接触区；再进行电极图形光刻以形成P区与N区金属电极区；最后进行分割，并分别与读出电路连接，则形成多个低暗电流铟镓砷焦平面探测器。
一种电流铟镓砷焦平面探测器制备方法

[发明专利]一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法-CN202211469175.8在审
发明人：陈冬琼;赵鹏;杨文运;宋欣波;李德香;王海澎;李立华;施静梅;戴欣冉;白兰艳;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲层、底电极接触层、吸收层、势垒层及顶电极接触层。所述制备方法为分子术外延法。通过设计红外探测器材料的结构，采用非故意掺杂的InAs0.56Sb0.44单晶作为吸收层，禁带宽度较宽的非故意掺杂In0.32Al0.68Sb单晶作为势垒层，掺杂Si的n型InAs0.56Sb0.44单晶作为顶底电极接触层，形成nBn型InAsSb势垒层结构；通过多层材料分子束外延工艺，实现多层膜生长和结构控制，获得所述红外探测器材料，波长可达到8μm～10.6μm。
一种长波 nbn inassb 红外探测器材料及其制备方法

[实用新型]光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器-CN202220226768.0有效
发明人：李德香;何雯瑾;邓功荣;陈冬琼;吴宇;杨玲;种苏然;宋欣波;龚晓霞;袁俊;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。采用所述材料的光伏型InAsSb长波红外探测器比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。
光伏型 inassb 长波红外探测器材料

[实用新型]一种倒置3μm~5μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构-CN202122792477.6有效
发明人：陈冬琼;邓功荣;杨文运;宋欣波;何燕;赵宇鹏;尚发兰;戴欣冉;黎秉哲;范明国;龚晓霞;太云见;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倒置3μm～5μm nBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底。通过对结构进行改进设计，采用倒置延伸波长的nBn结构，将采用所述材料制备的红外探测器的响应波长延伸至5μm，同时，能在不增大红外探测器暗电流的情况下减小横向扩散电流，进一步提升了红外探测器的性能。
一种倒置 nbn inassb 红外探测器材料结构

[发明专利]光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器-CN202210088643.0在审
发明人：李德香;何雯瑾;邓功荣;陈冬琼;吴宇;杨玲;种苏然;宋欣波;龚晓霞;袁俊;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述制备方法只需在InAs衬底上生长n型InAsSb层，再通过离子注入或扩散掺杂元素形成p型InAsSb层，即可形成pn结。所述方法简单、可行且成本低，且制备的n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述红外探测器，通过在所述材料的基础上，制备台面，然后生长钝化膜及金属电极制得，比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。
光伏型 inassb 长波红外探测器材料制备方法

[实用新型]一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片-CN202122671195.0有效
发明人： 宋欣波;肖婷婷;朱琴;李德香;钟科;封晓杰;龚晓霞 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片，属于红外探测器技术领域。所述探测器芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触。本实用新型通过对探测器芯片内部P型掺杂区的结构设计，解决了像元区之间的串音问题，同时也能降低漏电流，为优化探测器芯片串音和漏电流提供了一种有效途径，推进了红外探测器行业的发展。
一种锑化铟平面探测器芯片

[实用新型]一种实现彩色成像的InGaAs短波红外探测器芯片-CN202122672674.4有效
发明人：范明国;朱琴;宋欣波;龚晓霞;李德香;齐浩泽;太云见;黄晖 -专利权人：云南昆物新跃光电科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种实现彩色成像的InGaAs短波红外探测器芯片，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括InGaAs外延片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜、金属电极以及Bayer滤波器，钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的InGaAs外延片一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触，Bayer滤波器沉积在InGaAs外延片的另一个表面上。本实用新型通过对芯片内部结构的合理设计，能够实现目标在短波谱段的彩色成像，并抑制了像元区之间的串音，而且该芯片结构简单，易于制备，成本低，推进了彩色短波红外探测器行业的发展。
一种实现彩色成像 ingaas 短波红外探测器芯片

[发明专利]一种倒置3μm~5μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法-CN202111350766.9在审
发明人：陈冬琼;邓功荣;杨文运;宋欣波;何燕;赵宇鹏;尚发兰;戴欣冉;黎秉哲;范明国;龚晓霞;太云见;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒置3μm～5μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料的结构为从上向下依次设置的顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；通过分子术外延法制备得到。通过对结构和材料组分进行改进设计，采用倒置延伸波长的nBn结构，同时调整Sb组分，将采用所述材料制备的红外探测器的响应波长延伸至5μm，同时，能在不增大红外探测器暗电流的情况下减小横向扩散电流，进一步提升了红外探测器的性能。
一种倒置 nbn inassb 红外探测器材料及其制备方法

[发明专利]一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备-CN202111293921.8在审
发明人： 宋欣波;肖婷婷;朱琴;李德香;钟科;封晓杰;龚晓霞 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触。本发明通过对芯片内部P型掺杂区的结构设计，解决了像元区之间的串音问题，同时也能降低漏电流；而且该芯片的制备工艺简单，具有良好的可操作性和可行性，为优化芯片串音和漏电流提供了一种有效途径，推进了红外探测器行业的发展。
一种锑化铟平面探测器芯片及其制备

[发明专利]实现彩色成像的InGaAs短波红外探测器芯片及其制备-CN202111294912.0在审
发明人：范明国;朱琴;宋欣波;龚晓霞;李德香;齐浩泽;太云见;黄晖 -专利权人：云南昆物新跃光电科技有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现彩色成像的InGaAs短波红外探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括InGaAs外延片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜、金属电极以及Bayer滤波器，钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的InGaAs外延片一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触，Bayer滤波器沉积在InGaAs外延片的另一个表面上。本发明通过对芯片内部结构的合理设计，能够实现目标在短波谱段的彩色成像，并抑制了像元区之间的串音，而且该芯片的制备工艺简单，成本低，推进了彩色短波红外探测器行业的发展。
实现彩色成像 ingaas 短波红外探测器芯片及其制备

[实用新型]一种PBn型InAsSb红外探测器材料结构-CN202022204791.3有效
发明人：邓功荣;杨文运;龚晓霞;肖婷婷;杨绍培;宋欣波;范明国;袁俊;赵鹏;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种PBn型InAsSb红外探测器材料结构，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料结构从上向下依次为100nm～300nm厚的顶电极接触层、100nm～200nm厚的势垒层、2000nm～3000nm厚的吸收层、200nm～500nm厚的底电极接触层、50nm～200nm厚的缓冲层以及衬底。所述材料结构制成的红外探测器暗电流小，探测器的背景限温度提高，降低了红外探测器组件对制冷的要求，以此减小整体的体积、重量、功耗以及成本，可以提升系统可靠性，延长系统寿命。
一种 pbn inassb 红外探测器材料结构

[发明专利]一种PBn型InAsSb红外探测器材料-CN202011065080.0在审
发明人：邓功荣;杨文运;龚晓霞;肖婷婷;杨绍培;宋欣波;范明国;袁俊;赵鹏;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种PBn型InAsSb红外探测器材料，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为100nm～300nm厚的顶电极接触层、100nm～200nm厚的势垒层、2000nm～3000nm厚的吸收层、200nm～500nm厚的底电极接触层、50nm～200nm厚的缓冲层以及衬底。所述材料制成的红外探测器暗电流小，探测器的背景限温度提高，降低了红外探测器组件对制冷的要求，以此减小整体的体积、重量、功耗以及成本，可以提升系统可靠性，延长系统寿命。
一种 pbn inassb 红外探测器材料

[实用新型]一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构-CN201922276927.9有效
发明人：朱琴;龚晓霞;杨文运;宋欣波;李徳香;肖婷婷;范明国;杜润来;尚发兰;吕浩;柴圆媛;太云见;黄晖 -专利权人：云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，属于半导体结构技术领域。所述PIN结结构为控制InGaAs材料上N型InP层厚度为10nm～30nm；N型InP上位掩膜层；对掩膜层光刻表面图形化，去除掩膜层区域为二次外延生长区域，在二次外延区域上有一层掺杂Zn的P型InP层。具有所述PIN结结构的InGaAs焦平面探测器集合了台面型和平面型InGaAs焦平面探测器的优点，方法简单、串音小、光敏元可控、电流小、均匀性高、探测率高并且对人员所处环境要求低。
一种平面型铟镓砷焦探测器 pin 结构

1
2
下一页»
尾页
共 18 条