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[发明专利]一种基于石英/β-Ga2-CN202310019055.6在审
发明人：王顺利;赵天丽;吴超;胡海争;郭道友 -专利权人：浙江理工大学常山研究院有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10K30/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外光电探测器系统，具体是指一种基于石英/β‑Ga2O3/CuPc自供电的深紫外光电探测器及其制备方法。本发明先通过旋涂法在MOCVD生长的氧化镓薄膜上沉积一层CuPc薄膜，其中，氧化镓薄膜上用磁控溅射镀上Au/Ti电极，在CuPc薄膜上镀上Au电极，制备一个基于石英/β‑Ga2O3/CuPc自供电的深紫外光电探测器。本发明的优点是：所制备的深紫外光电探测器性能稳定，对电网电晕深紫外波段(220nm‑280nm)的光谱具有日盲特性，耐高温，即使在高温或长期DUV辐照，设备可以保持高光电流。
一种基于石英 ga base sub

[发明专利]一种CuCrO2-CN202310019051.8在审
发明人： 胡海争;朱羽晨;王宇超;吴超;王顺利;郭道友 -专利权人：浙江理工大学常山研究院有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，所述探测器依次包括石英衬底，位于石英衬底上方的GaON薄膜，并对其进行原位等离子体处理；位于GaON薄膜上方的CuCrO2层；位于GaON薄膜上方的第一测试电极以及位于CuCrO2层的上方的第二测试电极；其中GaON薄膜与CuCrO2层，形成CuCrO2/GaON异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
一种 cucro base sub

[发明专利]一种石墨烯非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器-CN202110689084.4有效
发明人：王顺利;胡海争;郭道友;吴超;刘爱萍 -专利权人：金华紫芯科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，广泛应用于杀菌消毒紫外线监测、高压电弧紫外线监测以及电气火灾紫外线监测等领域。探测器以聚酰亚胺薄膜为衬底，通过激光诱导在衬底上原位制备石墨烯电极，然后通过磁控溅射法在石墨烯电极上方沉积一层非晶氧化镓薄膜，作为光探测材料，最后将衬底集成在PCB电路板上，其中，石墨烯电极嵌入于聚酰亚胺薄膜衬底中，与衬底结合紧密；非晶氧化镓薄膜位于石墨烯电极上方，石墨烯电极形状可以任意设计，并通过激光诱导原位生成，不需要掩膜版、光刻、刻蚀等复杂工艺，工艺简单，成本低，适合大规模量产。
一种石墨烯非晶氧化薄膜紫外探测器

[发明专利]一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法-CN202210221893.7在审
发明人：赵天丽;阮迪清;胡海争;邢志文;钱松程;郭道友;王顺利 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法包括衬底、氧化镓薄膜、等离子处理界面层和电极；所述衬底为蓝宝石，所述等离子体处理界面层是采用等离子体对所述氧化镓薄膜进行表面处理后形成，所述等离子体处理界面层上设置有金属的电极，通过等离子体进行薄膜的表面处理，有效降低氧化镓薄膜中的空位缺陷，提高了界面质量，极大地提高紫外探测器的光电性能。本发明的优点：所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，具有高灵敏度和响应速度，暗电流小等诸多优势，特别合适在高压变电系统、高压输电线路等各种恶劣环境下的电晕检测应用。
一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法