[发明专利]硅双面扩散衬底片加工方法无效
| 申请号： | 200710035895.2 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101174561A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 邓建伟;刘谋忠 | 申请（专利权）人： | 衡阳晶体管有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/301;H01L21/306;H01L21/22;H01L21/316;H01L21/304 |
| 代理公司： | 衡阳市科航专利事务所 | 代理人： | 曾树林 |
| 地址： | 421007湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种硅双面扩散衬底片加工方法，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开，经研磨后抛光即得两片衬底扩散材料片。扩散成本接近常规加工方法的一半，降低了单面研磨的磨削厚度，提高了研磨效率，减小了硅材料的损耗，大大降低了硅扩散衬底片的材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 扩散 衬底 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅双面扩散衬底片加工方法，包括硅片清洗、硅片腐蚀、予扩、去磷硅玻璃、热氧化、主扩、单面研磨、抛光加工步骤，其特征是在主扩、单面研磨之间增设线切割工序，将双面扩散片沿厚度中心线切开成两片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
