[发明专利]一种增强型氮化镓HEMT器件结构有效
| 申请号： | 200710017897.9 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312207A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张乃千 | 申请（专利权）人： | 张乃千 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;刘瑞东 |
| 地址： | 710075陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明介绍了利用多层氮化镓材料的极化特性产生增强型沟道场效应晶体管的器件结构设计。该器件结构采用AlGaN作为器件的缓冲层，其上是GaN沟道层。沟道层上是双层AlGaN隔离层，其中下层AlGaN的铝组分与AlGaN缓冲层的铝组分接近，而上层AlGaN的铝组分更高。两个欧姆接触分别形成器件的源极和漏极。在源极和漏极之间用干法刻蚀将最上一层高铝组分AlGaN层刻蚀出槽，金属沉积在刻槽中形成栅极。刻槽下的AlGaN层因为极化电场不强，无法在沟道中诱导出二维电子气。沟道在此处被夹断，形成增强型场效应晶体管，或称为常关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 氮化 hemt 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.本发明适用于增强型氮化镓HEMT器件的设计。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张乃千，未经张乃千许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710017897.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成网络计算机和数字电视的电脑电视一体机
- 下一篇：自锁双相自封接头
- 同类专利
- 专利分类
