[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 200610163786.4 申请日: 2006-12-04
公开(公告)号: CN1976010A 公开(公告)日: 2007-06-06
发明(设计)人: 田村友子;青木智幸;鹤目卓也;大力浩二 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;张志醒
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 用于制造半导体器件的方法,第一半导体集成电路和第二半导体集成电路,其被设置在第一衬底之上使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻,通过多个转移操作被转移到另外的衬底。在形成在第一衬底之上的第一半导体集成电路和第二半导体集成电路被分别转移到另外的衬底(第四衬底和第五衬底)之后,这些电路被分成对应于每一个半导体集成电路的半导体器件。在第四衬底之上第一半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离,以及在第五衬底之上第二半导体集成电路被设置同时使彼此保持距离。因此,可以获得第四衬底和第五衬底中的每一个的大的分割边限。
搜索关键词: 用于 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种用于制造半导体器件的方法,包括:形成多个第一半导体集成电路和多个第二半导体集成电路,其被设置在第一衬底之上,使得第二半导体集成电路中的每一个与第一半导体集成电路中的一个相邻;附着第二衬底以便覆盖第一半导体集成电路和第二半导体集成电路;使第一衬底和第二衬底彼此分开并且将第一半导体集成电路转移到第二衬底;附着第三衬底以便覆盖留在第一衬底之上的第二半导体集成电路;使第一衬底和第三衬底彼此分开并且将第二半导体集成电路转移到第三衬底;以及分割第二衬底以便将该多个第一半导体集成电路分成单独的块;以及分割第三衬底以便将该多个第二半导体集成电路分成单独的块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610163786.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top