[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效

申请号：	200610142834.1	申请日：	2006-10-30
公开（公告）号：	CN1956170A	公开（公告）日：	2007-05-02
发明（设计）人：	白竹茂	申请（专利权）人：	尔必达存储器股份有限公司
主分类号：	H01L21/8242	分类号：	H01L21/8242;H01L21/8234;H01L27/108;H01L27/088
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	朱进桂
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种用于制造半导体器件的方法，由此当在相同的半导体衬底上形成两种晶体管时，在沟槽栅极晶体管和具有薄栅极绝缘膜的平面晶体管中均可获得高性能且简化了工艺。在其中由保护膜(12)覆盖外围电路区PE中的栅极绝缘膜(11s)的情况下，在存储单元区M中形成栅极沟槽(18)，其后在其中仍然由保护膜(12)覆盖外围电路区PE中的栅极绝缘膜(11s)的情况下，在栅极沟槽(18)的内壁上形成比栅极绝缘膜(11s)厚的栅极绝缘膜(19)。
搜索关键词：	用于制造半导体器件方法
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【主权项】：

1.一种用于制造具有存储单元区和外围电路区的半导体器件的方法，所述方法包括：第一步骤，在至少所述外围电路区的半导体衬底上形成第一栅极绝缘膜；第二步骤，用保护膜覆盖所述第一栅极绝缘膜；第三步骤，在所述保护膜覆盖了所述外围电路区上的所述第一栅极绝缘膜的情况下，在所述存储单元区中形成栅极沟槽；以及第四步骤，在所述保护膜覆盖了所述外围电路区上的所述第一栅极绝缘膜的情况下，至少在所述栅极沟槽的内壁上形成比所述第一栅极绝缘膜厚的第二栅极绝缘膜。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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