[发明专利]无电镀敷法和在其上形成金属镀层的半导体晶片有效

专利信息
申请号: 03800172.1 申请日: 2003-03-26
公开(公告)号: CN1623009A 公开(公告)日: 2005-06-01
发明(设计)人: 伊森彻;关口淳之辅;矢部淳司 申请(专利权)人: 株式会社日矿材料
主分类号: C23C18/28 分类号: C23C18/28;H01L21/288
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 林柏楠;刘金辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供在其上形成适用于晶种层的薄、光滑、均匀且粘附性好的无电镀层的半导体晶片,和提供适用于制造此半导体晶片的无电镀敷方法。用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布半导体晶片,再涂以钯化合物如氯化钯等的有机溶剂溶液。然后使所述晶片进行无电镀敷。作为此无电镀敷方法的结果,可获得厚度为70至5000埃且平均表面粗糙度Ra为10至100埃的半导体晶片。
搜索关键词: 电镀 形成 金属 镀层 半导体 晶片
【主权项】:
1.一种无电镀敷方法,包括:用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布待镀表面,再用钯化合物的有机溶剂溶液涂布所述表面,和对所述表面进行无电镀敷。
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