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[发明专利]通过非电解镀形成铜薄膜的镀件-CN200980130346.0有效
发明人：伊藤顺一;矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;山越康广;仙田真一郎 -专利权人：吉坤日矿日石金属有限公司
申请日： 2009-07-13 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C18/38 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种镀件，其中，与在钨、钼等的单质金属上进行非电解镀铜的情况相比，使在大马士革铜配线等上的通过非电解镀铜形成籽晶层时的成膜均匀性和粘附性提高，进而消除在铜籽晶层成膜之前的形成阻挡层和催化剂金属层这两层的烦杂，能够进行超微细配线的形成，以薄且均匀的膜厚形成籽晶层。该镀件的特征在于，在基材上形成有包含金属B和金属A的防止铜扩散用阻挡合金薄膜，所述金属B能够与非电解镀铜液中所含的铜离子进行置换镀，并且对铜具有阻挡性，所述金属A在pH10以上的非电解镀铜液中的离子化倾向比金属B小；该防止铜扩散用阻挡合金薄膜具有所述金属A为15原子％～35原子％的组成，在其上通过使用了pH10以上的非电解镀铜液的非电解镀而形成有铜薄膜。
通过电解形成薄膜

[发明专利]基板和其制造方法-CN200880119753.7有效
发明人：伊藤顺一;矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2008-11-26 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高温加热时的阻挡性优异，带有具有阻挡能力和催化能力的防止铜扩散用阻挡膜的基板、和其制造方法。本发明提供了一种基板，其特征在于，在基材上具有防止铜扩散用阻挡膜，所述防止铜扩散用阻挡膜含有：选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素，对钌、铑和铱等的化学镀具有催化能力的金属元素，以及以所述选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素的氮化物的形式被含有的氮。所述防止铜扩散用阻挡膜是通过使用含有选自钨、钼和铌中的一种以上金属元素和选自上述对化学镀具有催化能力的金属元素中的一种以上金属元素的靶源，在氮气氛围中溅射，从而制造的。
制造方法

[发明专利]通过无电镀形成金属薄膜的镀敷物及其制造方法-CN200880001381.8有效
发明人： 矢部淳司;伊藤顺一;日角义幸;关口淳之辅;伊森彻 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种镀敷物以及该镀敷物的制造方法。所述镀敷物是能够通过无电镀而形成超微细配线的、具有以薄且均匀的膜厚形成的籽晶层的镀敷物，而且，在形成籽晶层前能够消除形成阻挡层和催化剂金属层这二层的烦杂。本发明的镀敷物，是在基材上形成具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物，该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，是使该金属(A)为5原子％～40原子％的组成，该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜。优选所述金属(B)对金属薄膜的金属具有阻挡功能。
通过电镀形成金属薄膜镀敷物及其制造方法

[发明专利]通过无电镀形成金属薄膜的镀敷物及其制造方法-CN200880001378.6有效
发明人： 矢部淳司;伊藤顺一;日角义幸;关口淳之辅;伊森彻 -专利权人：日矿金属株式会社
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种镀敷物以及该镀敷物的制造方法。所述镀敷物是能够通过无电镀而形成超微细配线的、具有以薄且均匀的膜厚形成的籽晶层的镀敷物，而且，在形成籽晶层前能够消除形成阻挡层和催化剂金属层这二层的烦杂。本发明的镀敷物，是在基材上形成具有无电镀的催化活性的金属(A)与能够与无电镀液中含有的金属离子置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，并在该合金薄膜上通过无电解置换和还原镀而形成了金属薄膜的镀敷物，该具有催化活性的金属(A)与该能够置换镀敷的金属(B)的合金薄膜，是使该金属(A)为5原子％～40原子％的组成，该通过无电解置换和还原镀而形成的金属薄膜是厚度为10nm以下、电阻率为10μΩ·cm以下的金属薄膜。优选所述金属(B)对金属薄膜的金属具有阻挡功能。
通过电镀形成金属薄膜镀敷物及其制造方法

[发明专利]无电镀铜溶液-CN200480030629.5有效
发明人： 矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;藤平善久 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：适用于改进沉积膜的粘合性并可以在低温下形成均匀沉积物的无电镀铜溶液。该无电镀铜溶液的特征在于其中含有水溶性含氮聚合物。该无电镀铜溶液优选进一步含有二羟乙酸和次膦酸作为还原剂。水溶性含氮聚合物优选为聚丙烯酰胺或聚乙烯亚胺，它们各自优选具有100,000或更高的重均分子量(Mw)和10.0或更低的Mw/Mn。
镀铜溶液

[发明专利]无电镀铜溶液和无电镀铜方法-CN200480030616.8有效
发明人： 矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;藤平善久 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：一种无电镀铜溶液，其特征在于与第一还原剂一起使用作为第二还原剂的次磷酸或次磷酸盐，并同时使用抑制铜沉积的稳定剂。第一还原剂包括福尔马林和二羟乙酸，次磷酸盐包括次磷酸钠、次磷酸钾和次磷酸铵。抑制铜沉积的稳定剂包括2，2’－联吡啶、咪唑、烟酸、硫脲、2－巯基苯并噻唑、氰化钠或巯基乙酸。在较难发生镀敷反应的镜面(例如半导体晶片等)上无电镀铜时，该无电镀铜溶液可以在降低的温度下上实现均匀镀敷。
镀铜溶液方法

[发明专利]新的咪唑醇化合物、其制备方法以及使用该化合物的表面处理剂-CN03817964.4有效
发明人：伊森彻;矢部淳司;关口淳之辅 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： C07D233/60 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种新的咪唑醇化合物，以及使用该化合物的表面处理剂，该化合物能够牢固地吸附在金属特别是铜、铝、钢铁制品的金属表面上，即使是薄膜，也具有优良的防锈作用。下述通式(1)表示的新的咪唑醇化合物显示出防锈作用。(通式(1)中，R¹、R²、R³分别表示氢、乙烯基或者碳原子数为1～20的烷基，R²与R³可以形成芳环，X表示氢、碳原子数为1～6的烷基或任选含N、O的取代基，m表示0～20的整数，n、l表示1～3的整数。)上述咪唑醇化合物可以通过使咪唑化合物与环氧醇化合物进行反应而制备。
咪唑醇化制备方法以及使用化合物表面处理

[发明专利]无电镀敷法和在其上形成金属镀层的半导体晶片-CN03800172.1有效
发明人：伊森彻;关口淳之辅;矢部淳司 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： C23C18/28 文献下载
摘要：本发明的目的是提供在其上形成适用于晶种层的薄、光滑、均匀且粘附性好的无电镀层的半导体晶片，和提供适用于制造此半导体晶片的无电镀敷方法。用具有能捕获金属的官能团的硅烷偶联剂的溶液涂布半导体晶片，再涂以钯化合物如氯化钯等的有机溶剂溶液。然后使所述晶片进行无电镀敷。作为此无电镀敷方法的结果，可获得厚度为70至5000埃且平均表面粗糙度Ra为10至100埃的半导体晶片。
电镀形成金属镀层半导体晶片

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