[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 02816498.9 申请日: 2002-06-21
公开(公告)号: CN1547627A 公开(公告)日: 2004-11-17
发明(设计)人: 坂下幸雄;川崎克己;大井户敦;守越广树;内田清志;山泽和人 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B19/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 钟守期;庞立志
地址: 日本东京*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及为液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底,和使用该衬底进行晶体生长的单晶膜的制备方法和通过该制备方法制备的单晶膜以及光学元件。该衬底(2)具有对为进行液相外延生长所使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板(10),和在前述衬底基板(10)上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶薄膜形成的缓冲层(11)。使用该衬底(2)可以制备优质的磁性石榴石单晶膜(12)。该磁性石榴石单晶膜(12)可以作为用于光学隔离器、光学循环器、光磁传感器等法拉第元件等的光学元件使用。
搜索关键词: 磁性 石榴石 单晶膜 形成 衬底 光学 元件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.磁性石榴石单晶膜形成用衬底,它是为了进行液相外延生长磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用衬底,它具有,由对为进行液相外延生长而使用的熔融溶液不稳定的石榴石系单晶形成的衬底基板和在前述衬底基板上形成的对前述熔融溶液稳定的石榴石系单晶膜形成的缓冲层。
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  • 任浩;丁守军;李泓沅;沈科文;邹勇;黄仙山 - 安徽工业大学
  • 2022-05-26 - 2022-08-19 - C30B29/28
  • 本发明公开了一种Ce3+掺杂的石榴石单晶体、其制备方法、应用及黄光警示器件,属于黄光照明警示技术领域。本发明的Ce3+掺杂的石榴石单晶体的化学式为Ce:GSAG,化学通式为Ce3x:Gd3(1‑x)Sc2Al3O12,其中,0x≤0.5。根据Ce3+的发光吸收跃迁通道,选择以波长在400~450nm之间的InGaN半导体蓝光激光器作为激发光源激发Ce3+实现高亮度黄光发射。在这种InGaN半导体蓝光激光器的激发下,黄光警示器件发出的黄光光通量可以达到80000lm,发光量子效率可达95%以上,穿透距离可达1500m。且该单晶体具有更高的热导率,可有效防止大功率使用过程中的热致光衰和寿命的降低。
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