[发明专利]制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法

摘要

一种制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法。该设备包括：保持要处理的晶片的处理室，将生产气体引入处理室的进气管，从处理室将该气体排放到处理室的外部的排气管，成分测量装置，用于测量在处理室中的气体的成分或者从处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体中选择的至少两种气体的成分，浓度测量装置，该浓度测量装置测量在处理室中的气体的每种成分的浓度或者每种成分的浓度。

主权项

1.一种制造半导体器件的设备，包括：保持衬底以进行预定的处理的处理室；与处理室连接并与其内部连通并将在处理的过程中使用的生产气体引入处理室的进气管；与处理室连接并与其内部连通并从处理室将该气体排放到处理室的外部的排气管；成分测量装置，该成分测量装置设置在从包括如下的位置的组中选择的两个或更多个位置上：在处理室中的位置、在进气管中的位置和在排气管中的位置，以及该成分测量装置测量在处理室中的气体的成分或者从包括如下的气体的组中选择的至少两种不同的气体的成分：在处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体；浓度测量装置，该浓度测量装置设置在从包括如下的位置组中选择的两个或更多个位置上：在处理室中的位置、在进气管中的位置和在排气管中的位置，以及该浓度测量装置测量在处理室中的气体的每种成分的浓度或者从包括如下的气体组中选择的至少两种不同的气体的每种成分的浓度：在处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体；以及控制装置，该控制装置基于通过成分测量装置和浓度测量装置所测量的值调整生产气体的成分、生产气体的每种成分的浓度和在处理室中的大气压，以便在衬底上执行适当的处理。