[发明专利]功率半导体器件有效

专利信息
申请号: 01123243.9 申请日: 2001-07-20
公开(公告)号: CN1354510A 公开(公告)日: 2002-06-19
发明(设计)人: 西堀弘;深田雅一;吉田贵信;吉松直树;高尾治雄;木本信义;上贝康己 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/15 分类号: H01L23/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳,叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在Cu合金形成的金属基板1上,装载半导体元件衬底2。半导体元件衬底2配有例如陶瓷形成的绝缘衬底3,而且在其上面和下面配有均为Al合金制的电路图形4和下面图形5。下面图形5被配置在整个绝缘衬底3上,通过图形层8被连接在金属基板1上。将金属基板1和绝缘衬底3的厚度例如分别设定为3.5~5.5mm和0.5~1mm,将电路图形4的厚度设定为0.4~0.6mm,将下面图形5和图形层8C的厚度分别设定为0.2mm以下和100~300μm。
搜索关键词: 功率 半导体器件
【主权项】:
1.一种功率半导体器件,包括:厚度为0.5~1mm的陶瓷衬底;功率半导体元件;在所述陶瓷衬底的上表面中用铝合金形成的、装载所述功率半导体元件的0.4~0.6mm厚度的电路图形;在与所述陶瓷衬底的所述上表面相反侧的下表面上用铝合金配置在整个面上的下面图形;由厚度3.5~5.5mm的铜合金形成的、与所述下面图形对置的金属基板;以及夹在所述下面图形的整个面和所述金属基板之间来对两者进行连接的焊料层。
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