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[发明专利]半导体到金属的过渡-CN201810843300.4有效
发明人： A.赫特尔;F.希勒;F.J.桑托斯罗德里格斯;D.施勒格尔;A.R.施特格纳;C.魏斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及半导体到金属的过渡。提出了一种半导体器件（1）。半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。
半导体金属过渡

[发明专利]用于针对半导体衬底的化学气相沉积过程的装置和方法-CN201811055716.6有效
发明人： M.金勒;J.鲍姆加特尔;M.恩格尔哈特;C.伊莱曼;F.J.桑托斯罗德里格斯;O.施托尔贝克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种CVD反应器，包括安放了第一基座和第二基座的沉积室，该第一基座具有用于接纳第一衬底的洞，该第一衬底具有前表面和后表面，该第二基座具有用于接纳第二衬底的洞，该第二衬底具有前表面和后表面，并且该第一基座和该第二基座被设置成使得该第一衬底的前表面与该第二衬底的前表面相对，从而形成气流通道的一部分。
用于针对半导体衬底化学沉积过程装置方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN202210115813.X在审
发明人： A.布雷梅泽尔;A.布罗克迈尔;R.克恩;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;C.冯科布林斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法包含将玻璃结构附接至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片。该方法进一步包含通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成电气连接至该宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。
用于形成半导体器件方法以及

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201710785556.X有效
发明人： A.布雷梅泽尔;A.布罗克迈尔;R.克恩;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;C.冯科布林斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：本发明公开用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种用于形成半导体器件的方法包含将玻璃结构附接至包括多个半导体器件的宽带隙半导体晶片。该方法进一步包含通过在延伸经过玻璃结构的至少一个开口内形成导电材料来形成电气连接至该宽带隙半导体晶片的半导体衬底的至少一个掺杂区的至少一个焊盘结构。
用于形成半导体器件方法以及

[发明专利]用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构-CN202010558889.0在审
发明人： F.J.桑托斯罗德里格斯;P.伊尔西格勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：用于处理衬底组件的方法和晶片复合结构。提供用于处理具有半导体器件层的衬底组件的方法。方法可包括步骤：在衬底组件处布置辅助载体，使得辅助载体的连接表面和衬底组件的第一表面至少在一些位置处彼此直接邻接；通过熔化辅助载体的载体部分和直接邻接辅助载体的载体部分的衬底组件的衬底部分使得辅助载体和衬底组件仅在辅助载体和衬底组件的熔合部分中局部地熔合而将辅助载体固定地附接到衬底组件；以及处理衬底组件的半导体器件层，辅助载体固定地附接到衬底组件；其中熔合部分覆盖衬底组件的第一表面的至多20%。
用于处理衬底组件方法晶片复合结构

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201710024090.1有效
发明人： R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法的实施例包括通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到该半导体衬底的一部分中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）。该方法还包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层（S110）。该方法还包括利用电磁辐射来对半导体衬底进行辐照，该电磁辐射被配置成由杂质吸收并且被配置成产生半导体衬底的晶格的局部损坏（S120）。该方法还包括通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使半导体层和半导体衬底分离，该热处理被配置成通过热机械应力引起沿着晶格的局部损坏的裂缝形成（S130）。
形成半导体器件方法

[发明专利]具有软切换行为的绝缘栅半导体器件-CN201610966547.6有效
发明人： F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;S.福斯;W.瓦格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及具有软切换行为的绝缘栅半导体器件。公开的是半导体器件和用于产生其的方法。半导体器件包括：多个器件单元，每一个包括体区、源极区、以及邻近体区并通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极；以及导电栅极层，包括栅电极或者电连接到多个器件单元的栅电极。栅极层电连接到栅极导体，并且包括增加电阻区和降低电阻区中的至少一个。
具有切换行为绝缘半导体器件

[发明专利]具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法-CN202010151534.X在审
发明人： I.莫德;B.戈勒;T.F.W.黑希鲍尔;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/3063 文献下载
摘要：公开了具有多孔部分的半导体器件、晶片复合体和制造半导体器件的方法。一种半导体衬底(700)，包括基底部分(705)、辅助层(710)和表面层(720)。辅助层(710)形成在基底部分(705)上。表面层(720)形成在辅助层(710)上。表面层(720)与半导体衬底(700)的第一主表面(701)接触。辅助层(710)具有与基底部分(705)和表面层(720)不同的电化学溶解效率。辅助层(710)的至少一部分和表面层(720)的一部分被转换成多孔结构(820)。随后，在第一主表面(701)上形成外延层(730)。
具有多孔部分半导体器件晶片复合体制造方法

[发明专利]功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法-CN202010092786.X在审
发明人： P.C.布兰特;M.普法芬莱纳;F.D.普菲尔施;F.J.桑托斯罗德里格斯;S.施密特;F.乌姆巴赫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：功率半导体器件包括半导体本体并且呈现有源区和边缘终止区，其中，在有源区内，半导体本体包括第一导电类型的漂移区，并且其中边缘终止区包括：第二导电类型的保护区，该保护区在半导体本体的前侧处被包括在半导体本体中并且围绕有源区；以及场板沟槽结构，其从前侧竖直延伸到半导体本体中并且至少部分地填充有导电材料，导电材料与保护区电连接并且通过场板绝缘结构与保护区外部的半导体本体绝缘，其中，场板沟槽结构的第一部分至少部分地延伸到保护区中，并且至少部分地布置在布置于前侧处的金属层下方；以及场板沟槽结构的第二部分延伸到保护区的外部并围绕有源区，其中金属层不在场板沟槽结构的第二部分上方延伸。
功率半导体器件处理方法

[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法-CN201911301152.4在审
发明人： A.布罗克迈尔;G.德尼夫尔;R.科恩;M.克纳布尔;M.皮辛;F.J.桑托斯罗德里格斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供辅助载体（680）以及碳化硅衬底（700）。碳化硅衬底（700）包括空闲层（760），以及在碳化硅衬底（700）的前侧处的主要表面（701）与空闲层（760）之间的器件层（750）。器件层（750）包括多个横向分离的器件区（650），其中每个器件区（650）从主要表面（701）延伸到空闲层（760）。所述辅助载体（680）在前侧处与碳化硅衬底（700）在结构上连接。移除空闲层（760）。形成模塑结构（400），所述模塑结构（400）填充网格形的凹槽（770），所述网格形的凹槽（770）横向地分离器件区（650）。器件区（650）被分离，其中模塑结构（400）的部分形成框架结构（480），所述框架结构（480）横向地围绕器件区（650）。
半导体器件用于制造方法

[发明专利]碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法-CN201911202091.6在审
发明人： R.西米尼克;T.艾兴格;I.莫德;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;C.冯科布林斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法。碳化硅器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括晶体管单元的体区和源区。此外，碳化硅器件包括晶体管单元的碳化钛栅电极。
碳化硅器件半导体器件用于形成它们方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201910594096.1在审
发明人： C.舍费尔;A.布雷梅瑟;B.戈勒;R.克恩;M.皮辛;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。根据本文描述的方法的实施例，提供了碳化硅衬底(700)，其包括多个器件区域(650)。可以在碳化硅衬底(700)的前侧处提供前侧金属化(610)。该方法还可以包括在碳化硅衬底(700)的后侧处提供辅助结构(800)。辅助结构(800)包括多个横向分离的金属部分(810)。每个金属部分(810)与器件区域(650)之一接触。
碳化硅衬底半导体器件辅助结构金属多个器件横向分离器件区域金属化制造

[发明专利]用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片-CN201910397969.X在审
发明人： F.J.桑托斯罗德里格斯;G.德尼夫尔;T.F.W.赫希鲍尔;M.胡贝尔;W.莱纳特;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：提出了一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100）。该方法（100）包括在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）。该方法（100）进一步包括在宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层。沿着拆分区域拆分（130）宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括非单晶支撑层（320）的剩余晶片。
宽带隙半导体晶片非单晶外延层支撑层沉积器件晶片剩余晶片分区域

[发明专利]在碳化硅中形成半导体器件-CN201910221603.7在审
发明人： H-J.舒尔策;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：在碳化硅中形成半导体器件。一种方法包括提供由碳化硅衬底（130）支撑的外延的碳化硅的第一层（101）；以及在第一层（101）上提供外延的碳化硅的第二层（102）；以及在第二层（102）中形成多个半导体器件（105,105‑1,105‑2,105‑3）；以及在第一层（101）处将衬底（130）与第二层（102）分离。第一层（101）包括多个孔隙。
碳化硅第一层半导体器件衬底支撑

[发明专利]用于产生具有dV/dt可控性的IGBT的方法-CN201811229046.5在审
发明人： A.韦莱;M.比纳;M.戴内泽;C.耶格;J.G.拉文;A.菲利波;F.J.桑托斯罗德里格斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：一种加工功率半导体器件（1）的方法（2）包括：提供具有第一导电类型的漂移区（100）的半导体本体（10）；创建（20）多个沟槽（14、15、16），其中该沟槽（14、15、16）沿着垂直方向（Z）延伸到半导体本体（10）中并且沿着第一横向方向（X）彼此邻近布置；在半导体本体（10）处提供（22）掩模布置（30），其中该掩模布置（30）具有根据其来使沟槽（14、15、16）中的一些暴露的横向结构（301）并且该沟槽（14、15、16）中的至少一个被掩模布置（30）覆盖；使半导体本体（10）和掩模布置（30）经受（24）掺杂剂材料提供步骤，由此在被暴露的沟槽（14、15、16）的底部下面创建与第一导电类型互补的第二导电类型的多个掺杂区（1059）；移除（26）掩模布置（30）；使半导体本体（10）经受（28）温度退火步骤，由此促使多个掺杂区（1059）平行于第一横向方向（X）延伸以便重叠并形成邻近被暴露的沟槽（14、15、16）的底部的第二导电类型的势垒区（105）。
半导体本体掩模布置第一导电类型导电类型横向方向掺杂区暴露邻近功率半导体器件退火掺杂剂材料横向结构可控性漂移区势垒区延伸移除创建平行覆盖加工

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