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[发明专利]用于制造过程参数估计的模块式自动编码器模型-CN202180088237.8在审
发明人： A·奥纳斯;B·J·M·铁默斯马;N·弗赫尔;R·德克斯;D·巴比埃里;H·A·范拉霍文 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06N3/08 文献下载
摘要：描述一种模块式自动编码器模型。该模块式自动编码器模型包括：输入模型，该输入模型被配置成将一个或更多个输入处理成适于与其它输入组合的第一级维度；共同模型，该共同模型被配置成：降低所组合的经处理的输入的维度以在潜在空间中产生低维度数据；并且将该潜在空间中的该低维度数据扩展成适于产生一个或更多个不同的输出的该一个或更多个输入的一个或更多个扩展版本；输出模型，该输出模型被配置成使用该一个或更多个输入的该一个或更多个扩展版本来产生该一个或更多个不同的输出，该一个或更多个不同的输出是该一个或更多个输入的近似值；以及预测模型，该预测模型被配置成基于该潜在空间中的该低维度数据来估计一个或更多个参数。
用于制造过程参数估计模块自动编码器模型

[发明专利]显影后或蚀刻后图像的基于机器学习的图像生成-CN202180087170.6在审
发明人： M·皮萨伦科;C·巴蒂斯塔基斯;S·A·米德尔布鲁克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于训练机器学习模型的方法包括获取与衬底相关联的一组未配对的显影后(AD)图像和蚀刻后(AE)图像。该组中的每个AD图像是在衬底上与获取任何AE图像的位置不同的位置获取的。该方法还包括基于AD图像和AE图像来训练机器学习模型，以生成预测AE图像，其中预测AE图像对应于获取AD图像中的输入AD图像的位置。
显影蚀刻图像基于机器学习生成

[发明专利]用于清洁检查系统的设备和方法-CN202180088242.9在审
发明人： A·尼基帕罗夫;S·法洛克海泊;M·范卡朋 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：公开了一种用于清洁晶片检查系统的真空紫外(VUV)光学器件(例如VUV反射镜)的方法和设备。该清洁系统使VUV光学器件环境中的氢气离子化或离解，以产生从反射镜的表面去除水或碳氢化合物的氢自由基(例如H*)或氢离子(例如H+、H2+、H3+)。VUV反射镜可以包括反射材料，诸如铝。VUV反射镜可以具有保护涂层，以保护反射材料免受与氢自由基或氢离子的任何不利反应。保护涂层可以包括稀有金属。
用于清洁检查系统设备方法

[发明专利]污染减少系统-CN202180090359.0在审
发明人： V·克冯;A·M·雅库尼恩;M·A·范德克尔克霍夫;D·I·阿施塔克霍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种污染减少系统，用于减少等离子体环境中的图案化系统的污染，其包括：支撑件，被布置成将图案化系统保持在辐射束中；遮光件，被配置成为图案化系统遮挡辐射束的一部分；以及电极，定位在遮光件和支撑件之间，电极连接到电压源，并被配置成在电极和由支撑件保持的图案化系统之间产生电场。
污染减少系统

[发明专利]光刻设备-CN201880036358.6有效
发明人： H·G·希梅尔;J·M·A·霍夫曼;M·兰詹;P·A·M·加塞林;A·L·C·勒鲁;M·尤塞菲莫格哈德丹;E·J·阿尔勒马克;D·V·P·汉斯乔特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-05-01 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备，包括：第一腔室，所述第一腔室包括投影系统，所述投影系统被配置为将图案化辐射束投影到衬底上；第二腔室，所述第二腔室包括衬底台，所述衬底台被构造成保持衬底；在所述第一腔室和所述第二腔室之间延伸的通道，所述通道被配置为接收清洗流体流，所述通道的周边由壁限定；和被配置为冷却所述通道的所述壁的冷却系统。
光刻设备

[发明专利]用于保护光刻系统的压力容器中的密封件的方法和装置-CN201880061412.2有效
发明人： D·贝塞姆斯;J·D·特德罗;C·M·欧德尼尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种具有密封件的容器，密封件受到一定体积的气体的保护而免受容器内液体材料的侵害。容器具有分隔件，分隔件将容器划分为两个容积空间，使得通过第一容积空间中的一定体积的气体来保护与第一容积空间气体连通的密封件免受第二容积空间中的液体材料的侵害。
用于保护光刻系统压力容器中的密封件方法装置

[发明专利]用于清洁的设备和方法-CN201880072153.3有效
发明人：阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫;K·比斯特罗夫;V·Y·班尼恩;M·A·范德柯克霍夫;N·舒;A·尼基帕罗夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种清洁表面以从该表面去除污染物的方法，该方法包括以下步骤：使该污染物的至少一部分氧化；以及使二氧化碳雪流从该污染物经过。一种用于清洁表面的设备，该设备包括至少一个二氧化碳雪出口和至少一个等离子体出口。一种清洁头，该清洁头包括至少一个二氧化碳雪出口和至少一个等离子体出口。
用于清洁设备方法

[发明专利]带电粒子评估工具、检查方法和图像-CN202180080599.2在审
发明人： R·R·文斯特拉 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：一种用于带电粒子评估工具的多束电子光学系统，该系统包括：包括多个物镜的物镜阵列组件，每个物镜被配置为将多个带电粒子束中的一个带电粒子束投射到样品上；检测器阵列，其与物镜阵列组件相关联并且被配置为检测从样品发射的带电粒子；以及电路，其包括与检测器阵列进行数据通信的放大器；其中放大器被配置为可调谐以便调谐来自检测器阵列的信号的放大。
带电粒子评估工具检查方法图像

[发明专利]清洁设备和方法-CN202180081833.3在审
发明人： M·A·范德克尔克霍夫;A·多尔戈夫;Z·S·豪厄林;A·尼基帕罗夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B08B6/00 文献下载
摘要：提供一种用于清洁光刻设备的部件的清洁设备，所述设备包括第一清洁表面，所述第一清洁表面被配置成与位于待清洁的表面上的污染物粒子物理地相互作用，以从所述待清洁的表面移除所述污染物粒子。还描述了一种用于清洁光刻设备的部件的清洁尖端、一种清洁光刻设备的方法，和一种用于防止光刻设备的表面的再污染的设备和方法。
清洁设备方法

[发明专利]基于空芯光子晶体纤维的宽带辐射产生器-CN202180082919.8在审
发明人：乔安科·拉文斯卑尔根;帕特里克·塞巴斯蒂安·于贝尔;W·R·彭格斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：一种宽带光源装置被配置为用于在接收到泵浦辐射时产生宽带输出辐射，所述宽带光源装置包括：空芯光子晶体纤维(HC‑PCF)，所述空芯光子晶体纤维包括至少一个结构变化部分，所述至少一个结构变化部分具有所述空芯光子晶体纤维的相对于所述空芯光子晶体纤维的一个或更多个主部分变化的至少一个结构参数，其中，所述至少一个结构变化部分至少包括第一结构变化部分，所述第一结构变化部分位于沿着所述空芯光子晶体纤维的长度的一位置的下游，在所述位置处，所述泵浦辐射将通过调制不稳定性占主导的非线性光学过程而在光谱上被扩展，并且其中，所述至少一个结构变化部分被配置且定位为使得所述宽带输出辐射包括在紫外区中的波长。
基于光子晶体纤维宽带辐射产生器

[发明专利]基于高次谐波产生的量测设备及相关方法-CN202180079427.3在审
发明人：彼得·迈克尔·克劳斯;S·D·C·罗斯卡门阿丁;菲律浦·坎皮;张庄严;P·W·斯摩奥伦堡;林楠;斯特凡·米歇尔·维特;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：公开了一种量测设备及相关方法，量测设备用于测量通过光刻过程在衬底上形成的目标。量测设备包括：辐射源，可操作以提供第一辐射；经配置的固体高次谐波产生介质，被配置成接收第一辐射，并被第一辐射激励，以从经配置的固体高次谐波产生介质的输出表面产生高次谐波第二辐射；以及检测布置，可操作以检测第二辐射，第二辐射的至少一部分被目标散射。经配置的固体高次谐波产生介质被配置成整形第二辐射的束，和/或分离第一辐射与第二辐射。
基于谐波产生设备相关方法

[发明专利]量测设备和量测方法-CN202180087931.8在审
发明人： J·A·L·J·拉伊马克思;B·A·G·罗曼斯;A·J·登博夫;H·巴特勒 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于测量衬底上的目标的感兴趣参数的量测设备，该量测设备包括：m*n个检测器，其中m≥1且n≥1；第一框架；(n‑1)个第二框架；以及(m‑1)*n个中间框架，其中：每个检测器经由初级定位组件连接到中间框架或第一框架或第二框架中的一者；并且每个中间框架经由次级定位组件连接到第一框架或第二框架中的一者。
设备方法

[发明专利]具有方向灵敏度的干涉仪头-CN202180085846.8在审
发明人： A·辛克;E·M·克拉伦贝克;E·A·F·范德帕施 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01B9/0209 文献下载
摘要：公开了干涉仪头。输入辐射束的第一部分入射在第一部分反射表面上并从第一参考表面朝向第一输出端子反射。输入辐射束的第二部分入射在第二部分反射表面上并从第二参考表面朝向第二输出端子反射。输入辐射束的第三部分朝向测量表面传输。来自测量表面的反射束的第一部分从第二部分反射表面朝向第二输出端子反射。来自测量表面的反射束的第二部分从第一部分反射表面朝向第一输出端子反射。偏移角在来自第一输出端子的第一输出辐射束和来自第二输出端子的第二输出辐射束之间被实现。
具有方向灵敏度干涉仪

[发明专利]具有序列号的安全芯片-CN202310629320.2在审
发明人： J·C·J·德兰根;M·N·J·范科温克;V·S·凯珀 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种包括半导体芯片的电子器件，半导体芯片包括形成在半导体芯片中的多个结构，其中半导体芯片是半导体芯片集合的成员，半导体芯片集合包括半导体芯片的多个子集，并且半导体芯片是仅一个子集的成员。半导体芯片的多个结构包括对于半导体芯片集合中的所有半导体芯片都相同的公共结构的集合以及非公共结构的集合，子集中的半导体芯片的非公共结构不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共结构。至少非公共结构的第一部分和公共结构的第一部分形成第一非公共电路，并且每个子集中的半导体芯片的第一非公共电路不同于每个其他子集中的半导体芯片的非公共电路。
具有序列号安全芯片

[发明专利]光刻方法-CN202180086820.5在审
发明人： P·尼科尔斯基;R·J·梅杰林克 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：使用光刻设备在衬底上形成图案的方法，光刻设备被设置有图案形成装置以及具有色差的投射系统，方法包括：向图案形成装置提供包括多个波长分量的辐射束；使用投射系统在衬底上形成图案形成装置的图像以形成所述图案，其中图案的位置由于所述色差而依赖于辐射束的波长；以及控制辐射束的频谱以控制图案的位置。
光刻方法