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[发明专利]基于高次谐波产生的量测设备及相关方法-CN202180079427.3在审
发明人：彼得·迈克尔·克劳斯;S·D·C·罗斯卡门阿丁;菲律浦·坎皮;张庄严;P·W·斯摩奥伦堡;林楠;斯特凡·米歇尔·维特;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：公开了一种量测设备及相关方法，量测设备用于测量通过光刻过程在衬底上形成的目标。量测设备包括：辐射源，可操作以提供第一辐射；经配置的固体高次谐波产生介质，被配置成接收第一辐射，并被第一辐射激励，以从经配置的固体高次谐波产生介质的输出表面产生高次谐波第二辐射；以及检测布置，可操作以检测第二辐射，第二辐射的至少一部分被目标散射。经配置的固体高次谐波产生介质被配置成整形第二辐射的束，和/或分离第一辐射与第二辐射。
基于谐波产生设备相关方法

[发明专利]用于测量蚀刻的沟槽的量测方法和相关的量测设备-CN202180084332.0在审
发明人： S·G·J·马西森;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：公开了一种确定至少一个均匀性度量的方法，该均匀性度量描述衬底上的由光刻制造过程形成的蚀刻的沟槽的均匀性。该方法包括获得蚀刻的沟槽的一个或多个图像，其中一个或多个图像中的每个包括在从蚀刻的沟槽散射和/或衍射之后，由检测器或相机所检测的经散射的辐射的一个或多个参数的空间表示；和在一个或多个图像上测量沿蚀刻的沟槽的长度的均匀性，以确定至少一个均匀性度量。
用于测量蚀刻沟槽方法相关设备

[发明专利]暗场数字全息显微镜和相关的量测方法-CN202180076569.4在审
发明人： N·潘迪;A·J·登鲍埃夫;H·A·J·克瑞姆;V·T·滕纳 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-10-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：披露了一种暗场数字全息显微镜和相关联的量测方法，所述暗场数字全息显微镜被配置成确定结构的关注的特性。所述暗场数字全息显微镜包括照射分支，所述照射分支用于提供照射辐射以照射所述结构；检测装置，所述检测装置用于捕获由所述结构对所述照射辐射的衍射所产生的物体辐射；以及参考分支，所述参考分支用于提供与物体束干涉的参考辐射，以获得由所述照射辐射和所述参考辐射形成的干涉图案的图像。所述参考分支具有光学元件，所述光学元件能够操作以改变所述参考辐射的特性，以便减小和/或最小化所述暗场数字全息显微镜的视场内的所述图像在检测器平面处的对比度度量的变化。
暗场数字全息显微镜相关方法

[发明专利]确定结构特性的方法和量测设备-CN201980036860.1有效
发明人： J·F·德波尔;V·T·滕纳;C·弥赛西;A·J·登鲍埃夫 -专利权人：阿姆斯特丹自由大学基金会;荷兰科学研究机构基金会;阿姆斯特丹大学;ASML荷兰有限公司
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种用于确定结构的特性的方法和设备。在一种布置中，利用第一照射辐射照射结构以产生第一散射辐射。通过第一散射辐射的到达传感器的部分与第一参考辐射之间的干涉形成第一干涉图案。还利用第二照射辐射从不同方向照射该结构。使用第二参考辐射形成第二干涉图案。第一和第二干涉图案用于确定结构的特性。第一和第二参考辐射到传感器上的方位角是不同的。
确定结构特性方法设备

[发明专利]基于从衍射结构产生高阶谐波的量测设备和量测方法-CN202180079048.4在审
发明人：彼得·迈克尔·克劳斯;S·D·C·罗斯卡门阿丁;菲律浦·坎皮;张庄严;P·W·斯摩奥伦堡;林楠;斯特凡·米歇尔·维特;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：披露了用于测量衬底上的衍射结构的量测设备和方法。所述量测设备包括：辐射源，所述辐射源能够操作以提供第一辐射以用于激发所述衍射结构，使得从所述衍射结构和/或衬底产生高阶谐波的第二辐射；以及检测装置，所述检测装置能够操作以检测所述第二辐射，所述第二辐射的至少一部分已经由所述衍射结构衍射。
基于衍射结构产生谐波设备方法

[发明专利]照射设备和相关联的量测和光刻设备-CN202180048008.3在审
发明人： S·R·胡伊斯曼;A·J·A·贝克曼;A·J·登鲍埃夫;塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩;N·库马尔;廉晋;周子理 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：披露了一种用于对宽带照射束进行光谱成形以获得经光谱成形的照射束的照射装置。所述照射装置包括：束分散元件，所述束分散元件用于分散所述宽带照射束；和空间光调制器，所述空间光调制器用于在所述宽带照射束被分散之后在空间上调制所述宽带照射束。所述照射装置还包括以下各项中的至少一个：束扩展元件，所述束扩展元件用于在至少一个方向上扩展所述宽带照射束，所述束扩展元件位于所述照射装置的输入与所述空间光调制器之间；和透镜阵列，其中每个透镜用于在所述宽带照射束被分散至所述空间光调制器的相应的区上之后引导所述宽带照射束的相应的波长带。
照射设备相关光刻

[发明专利]暗场数字全息显微镜和相关联的量测方法-CN202080087946.X在审
发明人： W·M·J·M·柯恩;A·J·登鲍埃夫;V·T·滕纳;N·潘迪;C·弥赛西;J·F·迪鲍尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03H1/04 文献下载
摘要：本发明披露一种暗场数字全息显微镜，所述暗场数字全息显微镜被配置成确定结构的所关注的特性。所述暗场数字全息显微镜包括：照射装置，所述照射装置被配置成至少提供：第一束对，所述第一束对包括第一照射辐射束(1010)和第一参考辐射束(1030)；和第二束对，所述第二束对包括第二照射辐射束(1020)和第二参考辐射束(1040)；和一个或更多个光学元件(1070)，所述一个或更多个光学元件能够操作以捕获由所述结构散射的第一散射辐射且捕获由所述结构散射的第二散射辐射，所述第一散射辐射和所述第二散射辐射分别由所述第一照射束和所述第二照射束而产生。所述第一束对的束是相互相干的，以及所述第二束对的束是相互相干的。所述照射装置被配置成在所述第一束对与所述第二束对之间强加非相干性(ADI)。
暗场数字全息显微镜相关方法

[发明专利]在对准中用以减小标记大小的相位调制器-CN202080055723.5在审
发明人： F·G·C·比基恩;M·艾莱伊普;S·R·胡伊斯曼;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司;ASML控股股份有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种对准设备，包括照射系统，所述照射系统被配置成朝向对准目标引导一个或更多个照射束且从所述对准目标接收衍射束。所述对准设备也包括自参考干涉仪，所述自参考干涉仪被配置成产生两个衍射子束，其中所述两个衍射子束被正交地偏振、相对于彼此围绕对准轴线旋转180度且在空间上叠置。所述对准设备还包括：束分析器，所述束分析器被配置成产生所述衍射子束的叠置分量之间的干涉且产生两个正交偏振的光学支路；以及检测系统，所述检测系统被配置成基于所述光学支路的光强度测量确定所述对准目标的位置，其中所测量的光强度通过相位调制器在时间上调制。
对准用以减小标记大小相位调制器

[发明专利]量测装置及其相位调制器设备-CN202080053628.1在审
发明人： A·J·登鲍埃夫;S·R·胡伊斯曼 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相位调制器设备，包括用于调制输入辐射的至少一个第一相位调制器，以及包括这种相位调制器设备的量测装置。第一相位调制器包括：第一移动光栅，该第一移动光栅处于至少一种操作状态，用于衍射输入辐射并且使经衍射辐射的频率发生多普勒偏移；以及第一补偿光栅元件，包括节距，该节距被配置为补偿所述经衍射辐射的至少一个衍射阶的波长相关色散。
装置及其相位调制器设备

[发明专利]确定过程的性能参数的方法-CN201880043171.9有效
发明人： G·R·圣圭内蒂;M·博兹库尔特;M·范德斯卡;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻过程的重叠误差是使用多个目标结构测量的，每个目标结构具有已知的重叠偏差。检测系统获取表示在多个不同的获取条件(λ1、λ2)下由所述目标结构衍射的辐射的选定部分的多个图像(740)。将所述被获取的图像的像素值组合(748)以获得一个或更多个合成图像(750)。从一个或更多个合成图像提取(744)多个合成衍射信号，且使用所述多个合成衍射信号计算重叠的测量结果。相比于单独地从所述被获取的图像提取衍射信号，减小了计算负担。所述被获取的图像可以是使用散射仪获得的暗场图像或光瞳图像。
确定过程性能参数方法

[发明专利]用于同时获取物体的多个不同图像的检测设备-CN202080035028.2在审
发明人： T·W·图克尔;A·J·登鲍埃夫;N·潘迪;M·P·瑞因德斯;F·泽普 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种检测设备，用于在多个不同聚焦水平同时获取物体的多个图像；包括：调制器，用于获得入射束的多个束副本；以及检测器，能够操作以捕获多个束副本，使得多个束副本中的至少两个在不同的聚焦水平捕获。还公开了一种包括这种检测系统的检查设备。
用于同时获取物体不同图像检测设备

[发明专利]确定边缘粗糙度参数-CN201880041728.5有效
发明人： M·J·J·杰克;理查德·金塔尼利亚;A·J·登鲍埃夫;M·库比斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种确定边缘粗糙度参数的方法，包括以下步骤：(1010)控制辐射系统以在用于接收衬底的测量位置处提供辐射斑；(1020)接收来自传感器的测量信号，所述传感器用于当量测目标被所述辐射斑照射时测量在所述测量位置处被所述量测目标衍射的禁用衍射阶(诸如第二阶)的强度，所述量测目标包括重复图案，所述重复图案被配置成通过(约0.5的)线宽/节距比率的配置来控制导致衍射阶的禁用的相消干涉的量，所述传感器被配置为基于所测量的强度来提供所述测量信号；和(1040)基于所述禁用衍射阶的所测量的强度确定边缘粗糙度参数。
确定边缘粗糙参数

[发明专利]用于预测测量方法的性能的方法和设备、测量方法和设备-CN201880011277.0有效
发明人： S·G·J·马西森;S·B·罗博尔;林楠;W·M·J·M·柯恩;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：通过光刻过程在衬底(W)上形成诸如重叠光栅(Ta和Tb)之类的目标结构。用第一辐射(456a)的斑(Sa)照射第一目标，同时用第二辐射(456b)的斑(Sb)照射第二目标。传感器(418)在不同部位处检测所述第一辐射的已经被所述第一目标的特征在第一方向上衍射的部分(460x‑、460x+)，以及所述第二辐射的已经被所述第二目标的特征在第二方向上衍射的部分(460y‑、460y+)。可以同时检测X方向和Y方向上的不对称性，从而减少在X和Y上进行重叠测量所需的时间。可以简单地通过激励较高次谐波产生(HHG)辐射源或逆康普顿散射源中的两个部位(710a、710b)来产生软x‑射线波长的两个辐射的斑。
用于预测测量方法性能方法设备

[发明专利]量测方法、量测设备、器件制造方法和计算机程序产品-CN202110694822.4在审
发明人：理查德·金塔尼利亚;A·J·登鲍埃夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于测量通过光刻过程在衬底上制造的多个结构的属性的混合量测设备、测量通过光刻过程制造的多个结构的属性的方法、器件制造方法和计算机程序产品。该混合量测设备包括：第一照射系统，用于利用第一辐射照射第一结构；第一检测系统，用于检测包括由第一结构反射的第一辐射的至少部分的第一光谱；第二照射系统，用于利用第二辐射照射第二结构；第二检测系统，用于检测包括由第二结构反射的第二辐射的至少部分的第二光谱；处理系统，用于使用所检测到的第一光谱和所检测到的第二光谱来确定光刻过程的所关注参数，第二检测系统和第一检测系统在同一波段内以不同方式操作或在不同波段中操作。
方法设备器件制造计算机程序产品

[发明专利]量测设备的调节或基于已测量目标的特性而由量测设备进行的测量-CN202110658219.0在审
发明人：罗伯特·约翰·索卡;A·J·登鲍埃夫;N·潘迪 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文披露了一种调节量测设备的方法，所述方法包括：将量测设备的光瞳平面中的强度分布在空间上划分成多个像素；通过使用计算机调节所述多个像素的强度，减少目标中的结构不对称性对由所述量测设备对所述目标进行的测量的影响。
设备调节基于测量目标特性进行

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