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[发明专利]自对准顶部过孔-CN202180083332.9在审
发明人：朴灿鲁;本山幸一;郑镇权;崔起植;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：自对准顶部过孔本发明的实施例包括一种用于制造半导体器件的方法和所得结构。在衬里上图案化芯轴，其中衬里位于半导体衬底上。在芯轴的侧壁上形成隔离物。在衬里的暴露表面上并且在隔离物之间的多个间隙内形成电介质材料线。去除芯轴。从隔离物之间的多个间隙中的至少一个间隙内去除电介质材料线中的至少一个电介质材料线。在每个间隙内形成导电金属。导电金属被图案化以形成金属互连线和过孔。去除多个隔离物和剩余的电介质材料线。
对准顶部

[发明专利]具有横向凹陷自由层的磁阻随机存取存储器-CN202180084132.5在审
发明人： O·范德斯特拉滕;本山幸一;郑镇权;J·马尼斯卡尔科;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种存储装置及其形成方法，包括在导电结构上方的底部电极，该导电结构被嵌入在互连电介质材料中。位于所述底部电极上方的磁性隧道结堆叠由所述底部电极上方的磁性参考层、所述磁性参考层上方的隧道势垒层、以及所述隧道势垒层上方的横向凹陷的磁性自由层形成。侧壁间隔物围绕所述横向凹陷的磁性自由层，以用于限制由所述横向凹陷的磁性自由层和所述隧道势垒层形成的有源区。
具有横向凹陷自由磁阻随机存取存储器

[发明专利]用于先进异质集成的具有贵金属籽晶层的柱凸块-CN202180069074.9在审
发明人： J·F·马尼斯卡科;郑镇权;本山幸一;O·范德斯特拉滕;A·雷兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种柱凸块结构及其形成方法，包括在半导体衬底上形成覆盖衬里，接着形成包括贵金属的籽晶层。在籽晶层直接上方形成第一光致抗蚀剂层，随后在光致抗蚀剂层内形成第一多个开口。在第一多个开口的每一个内沉积第一导电材料以形成第一柱凸块。从半导体结构去除第一光致抗蚀剂层，随后去除从第一柱凸块向外延伸的籽晶层的部分，籽晶层的一部分保留在第一柱凸块下方。
用于先进集成具有贵金属籽晶柱凸块

[发明专利]用于禁用阵列中缺陷的电阻切换器件的双镶嵌交叉条阵列-CN202180036597.3在审
发明人： J.F.马尼斯卡科;O.范德斯特拉滕;本山幸一;李忠贤;金世荣 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制造双镶嵌交叉条阵列的方法。该方法包括在衬底上形成底电极层以及在该底电极层上形成第一存储器器件。该方法还包括在第一存储器器件上形成双镶嵌结构，其中双镶嵌结构包括顶电极层和第一通孔，其中第一通孔形成于第一存储器器件与顶电极层之间。还提供了双镶嵌交叉条的实施例和用于禁用双镶嵌交叉条阵列的存储器器件的实施例。
用于禁用阵列缺陷电阻切换器件镶嵌交叉

[发明专利]具有注入钴的钌衬里和钴盖帽的互连结构-CN202180012703.4在审
发明人： J·马尼斯卡尔科;本山幸一;O·范德斯特拉滕;S·德夫里;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，包括在介电层内形成凹槽，并在凹槽内保形沉积阻挡层。在阻挡层上方形成注入钴的钌衬里，通过在第一衬里上方堆叠第二衬里来形成含钴的钌衬里，第一衬里位于阻挡层上方。第一衬里包括钌，而第二衬里包括钴。钴原子从第二衬里迁移到第一衬里，形成注入钴的钌衬里。在注入钴的钌衬里上方沉积导电材料以填充凹槽，随后沉积由钴制成的覆盖层。
具有注入衬里盖帽互连结构

[发明专利]紧密后端工艺间距的梯形互连件-CN202080050904.9在审
发明人： N·A·兰兹罗;H·肖布哈;黄淮;王俊利;本山幸一;C·佩妮;L·克莱文格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于形成梯形互连的技术。在一个方面，一种用于形成互连结构的方法包括：在电介质中图案化具有V形轮廓的沟槽，V形轮廓具有圆形底部；使用PVD将衬垫沉积到沟槽中，PVD打开沟槽以在沟槽中产生梯形轮廓；相对于所述电介质选择性地从所述沟槽去除所述衬垫，由此在去除之后，具有所述梯形轮廓的所述沟槽保留在所述电介质中；将共形阻挡层沉积到具有所述梯形轮廓的所述沟槽中并对所述沟槽加衬；在所述共形阻挡层上沉积导体并填充具有所述梯形轮廓的所述沟槽；以及将所述导体和所述共形阻挡层向下抛光至所述电介质。还提供了一种互连结构。
紧密后端工艺间距梯形互连

[发明专利]用于电迁移不灭纳米互连的结构和制作方法-CN201680031423.7有效
发明人： B·D·布里格斯;M·里佐罗;L·克莱文杰;本山幸一 -专利权人：泰塞拉公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在形成包括被宽沟槽部分(52B)间隔开的窄沟槽部分(52A)的沟槽开口(52)并且在沟槽开口(52)的侧壁和底表面上形成第一扩散屏障层(62)和第一衬垫层(64)的堆叠之后，执行回流工艺以用第一传导材料层(66)填充窄沟槽部分(52A)而不填充宽沟槽部分(52B)。在第一衬垫层(64)的部分和被宽沟槽部分(52B)暴露的第一传导材料层(66)的末端上形成第二扩散屏障层(72)和第二衬垫层(74)的堆叠。沉积第二传导材料层(76)以填充宽沟槽部分(52B)。位于第一传导材料层(66)与第二传导材料层(76)之间的第二衬垫层(74)和第二扩散屏障层(72)的部分充当竖直阻挡边界以防止金属原子的电迁移。
用于迁移不灭纳米互连结构制作方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN200910206179.5有效
发明人： 本山幸一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：绝缘膜；沟槽，其形成在绝缘膜中；阻挡金属膜，其形成在沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛(Ti)和钽(Ta)的合金构成；以及铜(Cu)布线，其堆叠在阻挡金属膜上，并且位于沟槽中。阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于14at％。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510053141.0无效
发明人： 本山幸一 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-03-04 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的一种半导体器件及其制造方法实现了出色的制造稳定性。该半导体器件包括半导体衬底，在半导体衬底上形成的由含铜的金属组成的金属互连，和由含铜的金属组成的并连接到金属互连的连接栓塞，其中金属互连包括除铜以外的不同的金属元素，并且在金属互连与连接栓塞之间的连接部分中的不同金属元素的浓度高于在金属互连的中心部分中的不同金属元素的浓度，并且高于除连接部分以外的金属互连的上部中的不同金属元素的浓度。
半导体器件及其制造方法

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