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[发明专利]一种抗WiFi干扰芯片的加工方法及芯片结构-CN202310791072.1在审
发明人：廖世容;况诗吟;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗WiFi干扰芯片的加工方法，所述方法包括：在芯片表面上生长出厚度为#imgabs0#的SiNx；通过采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形，再进行扩散使之形成P型层；在P型层上生长0.2‑3微米厚度的SiO2介质层，对SiO2介质层进行第二次蚀刻处理；在第二次蚀刻后的芯片表面生长0.1‑0.5微米厚度的SiNx增透膜，并对SiNx增透膜进行第三次蚀刻处理；在第三次蚀刻后的芯片表面生长出P型电极层，对P型电极层进行金属剥离后得到金属图案，再在芯片表面沉积抗干扰金属层，最后对芯片背面进行研磨减薄并在减薄后的芯片背面沉积N型电极层。应用本发明实施例，简化了芯片结构。
一种 wifi 干扰芯片加工方法结构

[发明专利]一种用于光电探测器加工的装置-CN202111400351.8有效
发明人：李超翰;袁超;方成诚;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光电探测器加工的装置，包括：一支撑板，水平布置；一转动部，与所述支撑板转动连接；多个夹持部，沿周向间隔安装在所述支撑板上，该夹持部包括：一滑杆，竖直安装在所述支撑板上；一滑套，与所述滑杆滑动连接；一弹性件，其一端与所述滑套连接，另一端与所述滑杆或支撑板连接；一夹具，安装在所述滑套上；一容器，其敞口布置，位于所述夹具在地面上投影形成的轨迹上；一推送部，用于带动所述夹具进入或脱离所述容器内。本发明能够连续不断的作业，自动化程度高，效率高。
一种用于光电探测器加工装置

[发明专利]一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法-CN202310021292.6在审
发明人：廖世容;万远涛;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法，APD探测器芯片的光敏面为方形，探测器芯片包括雪崩光电二极管APD，雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的：衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层；盖帽层中，通过有源区由盖帽层上表面向下扩散形成P型层，P型层为光敏区；P型层连接有P型电极，衬底连接有N型电极。本发明增大光敏区相对于芯片的面积，提高了占空比，减少探测过程中的盲区。
一种 apd 探测器芯片及其阵列制备方法

[发明专利]一种金属刻蚀方法-CN202211377393.9在审
发明人：龚正致;叶瑾琳;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在晶圆衬底上的介质层上淀积金属层；S2、在所述金属层上使用原始金属光刻版进行第一次光刻；S3、对所述金属层进行第一次干法刻蚀，后去除光刻胶；S4、设置保护金属光刻版，对所述金属层进行第二次光刻；S5、进行第二次干法刻蚀，去除侧壁的金属残留，后去除光刻胶。该方法提供了一种采取两次干法刻蚀的金属刻蚀工艺,使得侧壁不存在金属残余,也可以达到小尺寸器件的金属相关参数要求。
一种金属刻蚀方法

[实用新型]一种方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置-CN202221095593.0有效
发明人： 叶瑾琳;万远涛;方成诚 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置。所述方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置包括：工作台，所述工作台的顶部固定安装有四个支撑板，四个所述支撑板的顶部固定安装有顶板，所述工作台上设置有自转机构、多个固定机构、研磨机构和多个夹持机构；所述自转机构包括环形圈、中心齿轮、第一驱动电机、第一转轴、内环形齿圈、四个齿轮游盘和环形支撑圈，所述环形圈固定安装在四个支撑板上，所述中心齿轮设置在环形圈内，所述第一驱动电机固定安装在工作台的顶部。本实用新型提供的方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置可以使得能够简单有效的对晶圆片进行研磨，可根据需求进行差异化研磨，并便于安装与维护的优点。
一种方便安装维护晶圆片差异化研磨装置

[发明专利]一种晶圆匀胶设备-CN202210050243.0在审
发明人： 叶瑾琳;况诗吟;高思铖 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆匀胶设备，包括：一支撑件，其上设有3个定位组，3个所述定位组沿第一圆周的周向均匀间隔布置，所述定位组包括多个沿所述第一圆周的径向布置的定位孔；3个定位件，与3个所述定位组一一对应，所述定位件与所述定位孔可拆卸连接；一吸盘，设置于所述支撑件上，且位于3个所述定位件之间；一旋转机构，用于带动所述支撑件沿所述第一圆周的周向转动；一供胶机构；一滴胶管，与所述供胶机构连接，布置于所述吸盘的上方。将晶圆放置在吸盘上，并置于3个定位件之间，利用吸盘吸附晶圆。通过设置3个定位件，保证每次放置晶圆时，晶圆的中心固定，保证后续匀胶均匀性。
一种晶圆匀胶设备

[发明专利]一种晶圆清洗装置-CN202111617114.7在审
发明人：廖世容;叶瑾琳;沈琪良 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B08B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗装置，包括：一支架；三个轴，平行安装在所述支架上，其中两个所述轴位于另一所述轴的两侧，并位于另一所述轴的上方；至少一个所述轴能够改变与其它两个所述轴中至少一个的间距；三个所述轴上均设有用于与晶圆相配合的限位槽。将晶圆置于三个轴的限位槽内，支撑晶圆，方便清洗。三个轴之间的间距能够改变，如此，便于放置不同直径的晶圆，适应性好。
一种清洗装置

[发明专利]一种监控APD外延材料InGaAs/InAlAs刻蚀过程的方法-CN202111523078.8在审
发明人：石峰;叶瑾琳;龚正致 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于监控刻蚀过程的APD。本发明公开了一种监控APD外延结构刻蚀进度的方法，包括如下步骤：将上述便于监控刻蚀过程的APD进行光刻形成掩膜图形，然后浸泡在刻蚀液中进行刻蚀，接着观察APD表面，根据APD表面情况判断刻蚀进度，具体如下：当观察到APD表面出现“毛玻璃”现象时，则表明刻蚀液刻蚀到InGaAsP材料与InGaAs/InAlAs材料的界面处；当观察到APD表面“毛玻璃”现象开始褪去时，则表明刻蚀液开始刻蚀到InGaAs/InAlAs材料与InP材料界面处；当观察到APD表面重新变得光滑均匀时，则表明InGaAs/InAlAs材料已经完全被刻蚀完毕。
一种监控 apd 外延材料 ingaas inalas 刻蚀过程方法

[发明专利]一种改善金属线在台阶侧壁的覆盖率的方法-CN202111513142.4在审
发明人：龚正致;廖世容;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体器件是利用半导体材料的特殊电特性来制作特定功能的电子器件。半导体的导电性介于良导电体与绝缘体之间，这些半导体材料通常是硅、锗、磷化铟或砷化镓，并经过各式特定的渗杂，产生P型或N型半导体，作成如整流器、振荡器、发光器、放大器、光探测器、光调制器等组件或设备。因器件需要经由金属线链接外部的电源，除非是完全平面式的器件，否则金属线很难避免的会跨越不同高度的器件台阶，如何确保此金属线的可靠性便成为一道重要的课题。本发明公开了一种改善金属线在台阶表面覆盖率的半导体器件及其制取方法。本发明可在不改变器件形貌角度及不需采买更好的金属沉积的机台情况下，增加金属在台阶侧壁的覆盖率，确保产品可靠性。
一种改善金属线台阶侧壁覆盖率方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和PIN光电二极管-CN202210154489.2在审
发明人：万远涛;廖世容;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法以及利用该制造方法制备而成的PIN光电二极管，应用于半导体领域。具体的，通过将现有技术中价格昂贵的有机钝化膜BCB材料替换成传统且价格便宜的无机介质膜材料，作为形成PIN光电二极管的钝化层，从而在保护器件芯片不会直接与空气或工艺设备中的湿气或其他污染物接触的同时，降低了PIN光电二极管器件的制造成本。并且，还将P型和/或N型扩展焊盘底电极下方的部分无机介质膜去除，不仅降低了成本，而且后面金属生长在无机介质膜上的粘附力优于BCB，同时在后续进行退火工艺的过程中也不会因为介质材料应力太大导致介质膜与芯片的表面分离，提升了器件性能、可靠性和一致性。
半导体器件制造方法 pin 光电二极管

[发明专利]一种光电探测器芯片的刻蚀去胶方法-CN202111314956.5在审
发明人：廖世容;万远涛;石峰;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电探测器芯片的刻蚀去胶方法，包括以下步骤：通过匀胶的方式在wafer的表面形成图形，然后通过曝光、显影的方式获得所需图形；采用CF4和O2的混合气体通过等离子体刻蚀机进行刻蚀最后采用流量2‑10sccm的O2刻蚀时间30秒至1分钟；放入去离子水中冲水，吹干之后采用稀释后的BOE进行浸泡一定时间；最后采用去胶液进行清洗，获得干净的刻蚀表面。本发明的有益之处在于，刻蚀过程中形成副产物可以被有效的去除，不会残留在磷化铟基的刻蚀的表面，导致器件报废。
一种光电探测器芯片刻蚀方法

[实用新型]一种净化车间送风口初效棉装置-CN201921106358.7有效
发明人：刘朝辉;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司;重庆电子工程职业学院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： B01D46/30 文献下载
摘要：本实用新型公开一种净化车间送风口初效棉装置，包括送风管、管夹、初效棉安装套、初效棉组件，管夹为半圆形结构，其两端设有锁紧板，管夹半圆顶端焊接有固定耳座，两片管夹螺栓连接锁紧固定在送风管管口，初效棉安装套包括两片半圆套，其内部设有安装槽，半圆套两端焊接有连接耳环，两块夹环分别设置在初效棉两侧并铆接夹紧初效棉形成初效棉组件，两个半圆套组合成一个圆环，初效棉组件安装在半圆套内的安装槽上，初效棉安装套与管夹螺栓连接，本实用新型结构简单，通过在送风管口设置初效棉组件用来前道过滤，有效降低后道过滤网的更换频率，同时初效棉组件拆装便捷，易于更换，降低了工人劳动强度和生产成本，利用推广应用。
一种净化车间送风口初效棉装置

[实用新型]一种芯片贴膜装置-CN201921103731.3有效
发明人：陆海;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司;重庆电子工程职业学院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片贴膜装置，包括平台底座、承片平台和电动推杆，所述平台底座的上方设有承片平台，所述承片平台的上方设有支撑座，所述支撑座的顶部为圆弧形结构，所述平台底座的两侧设有电动推杆，所述电动推杆上设有调节开关，所述电动推杆包括有可伸缩轴，所述可伸缩轴的上方设有磁性扩膜环，所述磁性扩膜环与可伸缩轴通过磁吸方式连接固定，两个所述磁性扩膜环上放置有保护膜。本实用新型能提高贴膜质量要求，并且成本较低，实用性强。
电动推杆承片平台可伸缩轴平台底座膜环本实用新型支撑座圆弧形结构磁吸方式连接固定芯片贴膜保护膜贴膜

[实用新型]一种新型芯片清洗装置-CN201921105654.5有效
发明人：樊家明;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司;重庆电子工程职业学院
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型芯片清洗装置，包括电机、旋转轴、底座、清洗容器、承装花篮，电机输出端采用联轴器转动连接有旋转轴，旋转轴的下端转动连接在底座上，旋转轴上焊接有若干花篮安装架，旋转轴上安装有两层承装花篮，每层安装有三个承装花篮，承装花篮内装有芯片，本实用新型结构简单，利用电机带动花篮在清洗容器内转动，在离心力作用下，芯片表面污物将被快速甩离，使芯片的清洗更加高效，采用的两层花篮结构，使清洗空间利用更加充分，提高了清洗工作效率，花篮采用挂接在旋转轴上的结构，拆装十分便捷。
旋转轴花篮本实用新型清洗容器转动连接两层底座清洗芯片电机输出端离心力作用电机带动工作效率花篮结构清洗空间清洗装置芯片表面新型芯片安装架联轴器拆装挂接下端焊接转动电机

[发明专利]一种高效率的发光二极管以及激光器-CN201410129798.X在审
发明人： 叶瑾琳 -专利权人： 叶瑾琳
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种诸如LED及激光器的光电子器件，通过其特殊结构改善晶格质量，提高量子阱区域中的载流子(电子和空穴)复合效率，改进LED和LD的性能，所述量子阱区域是由III族氮化物组成的量子阱层中的横向厚度变化形成的。
一种高效率发光二极管以及激光器

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