[发明专利]一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202211519419.9 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116953864A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 | 申请（专利权）人： | 浙江光特科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02B6/136 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 钱新园 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法，硅光芯片包括：晶圆衬底，其上具有buried oxide(BOX)层，BOX层上有顶层硅；以及在顶层硅上形成的波导；在所述晶圆衬底上刻蚀有激光槽，激光槽的立面与波导的端面距离在0.3微米至1微米微米之间。本发明方法采用以氧化硅或氮化硅为材料的介质层取代光刻胶，作为定义激光槽与波导端面边界位置的刻蚀掩膜。介质层沉积时具有较Conformal(保形)的特性，能有效减小波导端面台阶，缩短激光芯片出光端面与硅波导直接耦合端面间距(Zgap)至1微米以下或至0.3微米，可以降低激光芯片与硅波导直接耦合时的光损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适合 激光 波导 直接 耦合 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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