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[发明专利]一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法-CN202211519419.9在审
发明人：龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合激光与波导直接耦合的硅光芯片及其制造方法，硅光芯片包括：晶圆衬底，其上具有buried oxide(BOX)层，BOX层上有顶层硅；以及在顶层硅上形成的波导；在所述晶圆衬底上刻蚀有激光槽，激光槽的立面与波导的端面距离在0.3微米至1微米微米之间。本发明方法采用以氧化硅或氮化硅为材料的介质层取代光刻胶，作为定义激光槽与波导端面边界位置的刻蚀掩膜。介质层沉积时具有较Conformal(保形)的特性，能有效减小波导端面台阶，缩短激光芯片出光端面与硅波导直接耦合端面间距(Zgap)至1微米以下或至0.3微米，可以降低激光芯片与硅波导直接耦合时的光损耗。
一种适合激光波导直接耦合芯片及其制造方法

[发明专利]一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管-CN202310289329.3在审
发明人：龚正致;李超翰;廖世容;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管；一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。一种改善APD响应度均匀性的方法，包括以下步骤：步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成P型层；步骤2：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；步骤3：在第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层，其中，第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。本发明的有益效果是：通过在非活性区域上方设置抗反射涂层，减少非活性区域(非光敏面)的表面反射，以改善响应度均匀性。
一种改善 apd 响应均匀方法光电二极管

[发明专利]一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法-CN202310021292.6在审
发明人：廖世容;万远涛;叶瑾琳 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种APD探测器芯片及其阵列的制备方法，APD探测器芯片的光敏面为方形，探测器芯片包括雪崩光电二极管APD，雪崩光电二极管APD包括由下至上依次堆叠的：衬底、缓冲层、吸收层、电荷层和盖帽层；盖帽层中，通过有源区由盖帽层上表面向下扩散形成P型层，P型层为光敏区；P型层连接有P型电极，衬底连接有N型电极。本发明增大光敏区相对于芯片的面积，提高了占空比，减少探测过程中的盲区。
一种 apd 探测器芯片及其阵列制备方法

[实用新型]一种花篮-CN202221393572.7有效
发明人：袁超;万远涛;廖世容 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种花篮。所述花篮包括：花篮本体；所述花篮本体包括环形座、三个弧形挡板、三个螺纹孔一、弧形连接块、螺纹孔二和十字型支架，所述花篮本体是由环形座、三个弧形挡板、三个螺纹孔一、弧形连接块、螺纹孔二和十字型支架几个部分组合而成；三个弧形挡板均固定安装在环形座的顶部；三个螺纹孔一均开设在环形座上；所述弧形连接块固定安装在环形座的顶部；所述螺纹孔二开设在弧形连接块的顶部；所述十字型支架固定安装在环形座上。本实用新型提供的花篮具有使用方便，能够简单有效的对减薄抛光后的晶圆片在清洗的过程中，减少碎片的几率，易于使用者操作的优点。
一种花篮

[发明专利]一种金属刻蚀方法-CN202211377393.9在审
发明人：龚正致;叶瑾琳;万远涛 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在晶圆衬底上的介质层上淀积金属层；S2、在所述金属层上使用原始金属光刻版进行第一次光刻；S3、对所述金属层进行第一次干法刻蚀，后去除光刻胶；S4、设置保护金属光刻版，对所述金属层进行第二次光刻；S5、进行第二次干法刻蚀，去除侧壁的金属残留，后去除光刻胶。该方法提供了一种采取两次干法刻蚀的金属刻蚀工艺,使得侧壁不存在金属残余,也可以达到小尺寸器件的金属相关参数要求。
一种金属刻蚀方法

[实用新型]一种半导体硅片预处理装置-CN202221798317.0有效
发明人：杨鲁勇;万远涛;袁超 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体硅片预处理装置，包括：晶圆仓储盒；第一滑槽，第一滑槽开设于晶圆仓储盒顶部的两侧，第一滑槽的内部滑动连接有第一滑块，第一滑块的顶部固定连接有支撑柱，支撑柱的内部开设有贯穿孔，贯穿孔的内部设置有移动杆；第一电机，第一电机固定安装与移动杆内侧的顶部，电机输出轴的一端固定安装有转动板，转动盘的底部通过连接柱固定安装有吸盘结构。本实用新型提供的一种半导体硅片预处理装置，能够在晶圆进入到晶圆仓储盒内部进行存储时不会碰到晶圆仓储盒的内壁，从而降低因为碰撞而造成的磨损，从而提高晶圆产出率及良品率，提高了晶圆理片的效率，同时能够保证晶圆的缺口朝向同一个方向。
一种半导体硅片预处理装置

[实用新型]一种背照式MPD安装测试结构-CN202221095590.7有效
发明人：方成诚;万远涛;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背照式MPD安装测试结构，包括：TO46管座；陶瓷垫片，所述陶瓷垫片粘连于所述TO46管座的一侧，所述陶瓷垫片的一侧粘连有FAB，所述FAB顶部的中间粘连有背照式MPD芯片；TO46负极管脚，所述TO46负极管脚固定安装于所述TO46管座的底部的一侧；TO46正极管脚，所述TO46正极管脚固定安装于所述TO46管座的底部的另一侧；TO46接地管脚，所述TO46接地管脚固定安装于所述TO46管座的底部。本实用新型提供的背照式MPD安装测试结构，通过将陶瓷垫片与TO46管座一侧粘连，随后将背照式MPD芯片与FAB粘连在一起后，再将FAB与陶瓷垫片进行粘连，方便对单颗的背照式MPD芯片进行贴片，且方便进行非常规的参数测试。
一种背照式 mpd 安装测试结构

[实用新型]一种方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置-CN202221095593.0有效
发明人：叶瑾琳;万远涛;方成诚 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置。所述方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置包括：工作台，所述工作台的顶部固定安装有四个支撑板，四个所述支撑板的顶部固定安装有顶板，所述工作台上设置有自转机构、多个固定机构、研磨机构和多个夹持机构；所述自转机构包括环形圈、中心齿轮、第一驱动电机、第一转轴、内环形齿圈、四个齿轮游盘和环形支撑圈，所述环形圈固定安装在四个支撑板上，所述中心齿轮设置在环形圈内，所述第一驱动电机固定安装在工作台的顶部。本实用新型提供的方便安装维护的晶圆片差异化研磨装置可以使得能够简单有效的对晶圆片进行研磨，可根据需求进行差异化研磨，并便于安装与维护的优点。
一种方便安装维护晶圆片差异化研磨装置

[实用新型]一种研磨装置-CN202221554464.3有效
发明人：袁超;万远涛;谢建平 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨装置，包括：安装台、安装架、伸缩缸、打磨机构和真空吸附机构；还包括：陶瓷放置盘，所述陶瓷放置盘安装于所述安装台上且位于的打磨机构的打磨盘下侧，所述陶瓷放置盘的上开设有吸附孔，所述陶瓷放置盘的顶部开设有条形槽，所述条形槽的内部设置有清扫刷；高度调节机构，所述高度调节机构包括电机、螺纹轴、螺帽和限位杆，所述电机安装于所述安装台上，所述螺纹轴通过联轴器固定于所述电机输出轴的一端。本实用新型提供的研磨装置，通过在陶瓷放置盘上嵌设清扫刷，并通过高度调节机构调节清扫刷的高度，使其移出陶瓷放置盘并与打磨盘接触，配合打磨盘转动对打磨盘底部的碎屑进行清理，减少碎片的发生。
一种研磨装置

[实用新型]一种退火炉载盘-CN202221398433.3有效
发明人：沈琪良;万远涛;程豪杰 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶圆退火设备领域，具体涉及一种退火炉载盘。本实用新型一种退火炉载盘采用硅片作为晶圆退火载盘，在硅托盘正面以及背面形成图形，正面晶圆槽用于放置晶圆，固定晶圆使其不晃动（防止在通入氮气的过程中，晶圆被吹动而掉落）；背面形成热偶丝探头槽用于固定热偶丝探头，使其每次都能探测到同一个位置，保证了温度监测的一致性。本实用新型提供了一种成本低，且制造方便的退火炉载盘。
一种退火炉

[发明专利]芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质-CN202210632140.5在审
发明人： 万远涛;龚正致;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明适用于计算机技术领域，提供了一种芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质，所述方法包括以下步骤：根据待测试芯片的分布情况，规划探针或光纤或承片台的运动轨迹；按设定的运动轨迹依照测试策略次对芯片进行测试，并输出测试结果；所述测试策略为：对当前待测芯片调用对应的测试程序进行测试，同时还获取下一个待测芯片的图像信息；对获取到的下一个待测芯片的图像信息进行识别，判定所述下一个待测芯片的型号与当前正在测试的待测芯片的型号是否相同；直至所有待测芯片均测试完成，本发明的有益效果是：可以实现不同型号产品的混测，极大的提升测试效率和降低成本。
芯片自动测试方法系统计算机设备存储介质

[发明专利]一种自动测试线性度的测试方法-CN202210452183.5在审
发明人：袁超;方诚成;万远涛;况诗吟 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明涉及线性度测试领域，且公开了一种自动测试线性度的测试方法，包括以下步骤：Step1：设定基础线性测试区间，进行局部划分；Step2：设定光功率测试的步径范围；Step3：调整光衰值，使得光功率达到待测试产生的目标光功率；Step4：调整光衰值，使得光功率达到待测试的目标光功率，并重复五次；Step5：若五次光衰和功率值相差小于目标值，则使用五次的平均值作为光衰和功率实际值，生成响应度线性测试校准计算依据。本发明通过增加可进行自动测试产品线性度的方案，测试效率高，能够极好的适应量产，生产成本低，并且能够提供较为便利的校准措施，便于用户通过编程光衰和光功率完成自动测试，可验证测试准确性，保证成品的合格率。
一种自动测试线性方法

[发明专利]一种光刻胶供给设备-CN202210054957.9在审
发明人： 万远涛;沈琪良;石峰 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶供给设备，包括：一支架；一支撑件，呈锥形设置，设置于所述支架上；其上部内径大于下部内径；一压板，位于所述支撑件的上方，与所述支架可移动连接；一调节机构，用于调节所述压板与所述支撑件之间的间距；一箱体，布置于所述支撑件内，所述箱体上的开口向下布置；一柱塞，安装在所述箱体的开口中；一供气机构；一进气管，其第一端与所述供气机构连接，其第二端穿过所述柱塞位于所述箱体内，并靠近所述箱体的底部。可以在支架上设置滑槽，可以在压板上设置滑块，滑块与滑槽滑动配合。调节机构可以为螺杆，与所述支架螺纹连接，并与所述压板转动连接，通过转动螺杆带动压板下降，压持住箱体的底部，将箱体固定。
一种光刻供给设备

[发明专利]一种InP衬底清洗方法-CN202111481499.9在审
发明人： 万远涛;石峰;杨鲁勇 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种InP衬底清洗方法，属于晶圆处理领域，包括：将InP衬底置于碱性溶剂中浸泡0.5‑10分钟；用去离子水冲洗；烘干。采用碱性溶剂对其产生InP碎屑的表面进行清洗，能有效的去除表面的INP碎屑颗粒，解决了传统的清洗方式清洗不掉INP碎屑的问题,提升良率。
一种 inp 衬底清洗方法

[发明专利]一种晶圆的处理方法-CN202111481507.X在审
发明人：石峰;万远涛;廖世容 -专利权人：浙江光特科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的处理方法，属于晶圆处理技术领域，包括：提供一晶圆；在所述晶圆的上表面涂覆光刻胶；所述晶圆上表面边缘具有至少一个无胶区域，去除位于所述无胶区域的所述光刻胶；让掩膜版与所述晶圆贴合；光刻处理；让所述晶圆与所述掩膜版分离。通过去除无胶区域的光刻胶，这样就会在晶圆表面形成台阶差，晶圆边缘与掩膜版之间就会存在间隙。在光刻后，在晶圆与掩膜版脱离过程中，外部空气较容易从间隙处进入到贴合的界面处，让晶圆与掩膜版界面处负压能够正常释放，晶圆与掩膜版可以很顺利脱离。
一种处理方法

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