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[发明专利]一种获取微尺寸光束的激光器装置及光路调试方法-CN202310115864.7在审
发明人：王小发;廖明铭;吴玉琢;朱梦瑶;张信;赵雨诗;潘恒毅;张文灿;黄启俊 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S3/081 文献下载
摘要：本发明请求保护一种获取微尺寸光束的激光器装置及光路调试方法，属于固体激光技术领域。装置结构包括：指示光源、高增益模块、微尺寸小孔光阑、微尺寸输出镜及微尺寸反射镜。调试方法分为以下几个步骤：S1：利用指示光源和微尺寸小孔光阑确定微尺寸反射镜俯仰偏摆；S2：根据微尺寸反射镜和两个微尺寸小孔光阑确定高增益模块的自发辐射光光路；S3：加入微尺寸输出镜，实现基于微尺寸腔镜的激光谐振腔起振。本发明由于腔镜尺寸足够小，不需要在腔外插入小孔缩束，降低了衍射效应，并且由于采用腔内小孔光阑确定光路的方法，解决了模块自发辐射放大光路与谐振腔起振光路不重合的问题，提高了输出功率，满足基于高增益模块输出微尺寸光束的要求。
一种获取尺寸光束激光器装置调试方法

[发明专利]一种全数字二维符合多普勒展宽系统-CN201910051104.8有效
发明人：王柱;张梦新;廖远;黄启俊 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明涉及核电子学技术，具体涉及一种全数字二维符合多普勒展宽系统，包括第一、第二探测器和上位机；还包括结构相同的第一、第二采集通道，FPGA数字处理平台和千兆以太网口；第一、第二探测器分别与第一、第二采集通道连接，FPGA数字处理平台分别与第一、第二采集通道和千兆以太网口连接，千兆以太网口与上位机相连接。该系统通过采用双通道全数字采集电路简化了系统设计，在FPGA中实现脉冲提取、时间定标和时间符合分析。直接采用ADC对脉冲进行采样，之后进入FPGA数字处理平台进行脉冲整形，基线恢复，堆积识别，幅度提取，时间定标，提高多普勒展宽谱峰本比2‑3个数量级。
一种数字二维符合多普勒展宽系统

[发明专利]双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管及其评价方法-CN201710719951.8有效
发明人： 黄启俊;杜寰;高潮 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了晶体管领域内的一种双角度类梯形截面形状的鳍型场效应晶体管，包括半导体鳍，半导体鳍的沟道区上设有栅极氧化物，栅极氧化物上设有栅极金属层，半导体鳍包括顶面、底面以及两对称设置的侧面，侧面包括第一侧面和第二侧面，第一侧面的顶部连顶面，第一侧面的底部连第二侧面的顶部，第二侧面的底部连底面，本发明能够更加精确有效地模拟10nm尺度下的绝缘体上硅FinFET；FinFET类梯形截面形状具有更好的模拟特性、数字特性和频率特性，可用于FinFET生产制造中。
角度梯形截面形状场效应晶体管及其评价方法

[发明专利]纤毛不动综合症基因面板试剂盒及其应用-CN201910760042.8在审
发明人：乐雍建;傅应云;黄启俊;刘盛国 -专利权人：深圳市人民医院
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明涉及生物医药技术、疾病诊断领域，具体提供一种检测纤毛不动综合症致病基因遗传突变的基因面板(Panel)捕获试剂盒及其应用。该基因面板的液相捕获试剂盒包括49个纤毛不动综合症相关致病基因对应的探针。本发明的基因面板捕获试剂盒的设计综合了纤毛不动综合症多层次、多方面的纤毛遗传缺陷的致病因素，覆盖全面，其目标捕获具有明显针对性，可同时对较大通量的致病基因进行准确捕获、遗传检测。通过对人的目标基因外显子区域DNA进行高效富集，然后在二代测序平台上进行高通量、高深度测序，能有效提高基因的测序深度及覆盖度，为获得更为精确的基因致病性遗传突变信息，为疾病的预防以及诊断提供便利。
纤毛基因捕获试剂致病基因遗传突变测序生物医药技术外显子区域测序平台高效富集疾病诊断目标捕获目标基因遗传检测遗传缺陷致病因素覆盖度高通量试剂盒致病性种检测探针捕获应用诊断便利疾病覆盖预防

[实用新型]一种双向触发的LDMOS结构的ESD保护器件-CN201821494886.X有效
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了集成电路领域内一种双向触发的LDMOS结构的ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本实用新型的双向触发的LDMOS结构的ESD保护器件，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。
注入区上层双向触发深N阱本实用新型衬底集成电路领域电流泄放对称设置维持电压相对独立主电极泄放金属

[发明专利]肺血栓栓塞症基因面板试剂盒及其应用-CN201811459519.0在审
发明人：傅应云;乐雍建;李博;李亚珍;韩雪梅;黄启俊;肖露;李树林;刘盛国;赖胜敏 -专利权人：深圳市人民医院
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明涉及生物医药技术领域，具体提供一种检测肺血栓栓塞症相关基因的液相基因面板(Panel)捕获试剂盒及其应用，该液相捕获试剂盒包括捕获探针，涵盖92个基因。本发明的基因面板捕获试剂盒的设计综合了肺栓塞多层次、多方面的遗传因素，覆盖全面，其目标捕获具有明显针对性，可同时对较大通量的基因进行遗传检测，通过对人的目标基因外显子区域DNA进行高效富集，通过后续的测序，能有效提高基因的测序深度及覆盖度，为获得更为精确的基因遗传信息及结果提供保障。
基因捕获试剂测序肺血栓栓塞症相关基因肺血栓栓塞症生物医药技术外显子区域捕获探针高效富集结果提供目标捕获目标基因遗传检测遗传信息遗传因素肺栓塞覆盖度试剂盒种检测应用涵盖覆盖

[实用新型]一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件-CN201821494772.5有效
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了集成电路领域内一种具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，包括P型衬底，P型衬底上层设有深N阱，深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，第一N阱上层设有P+注入区，第一P阱上层设有浅槽隔离区，第二P阱上层设有N+注入区，P+注入区引出有阳极，N+注入区引出有阴极。本实用新型的具有高维持电压的LDMOS结构的ESD保护器件，通过位于中间区域的第一P阱的阻挡电流，使SCR电流路径变窄，同时延长电流路径，提高了维持电压。
维持电压注入区上层本实用新型电流路径深N阱衬底阴极集成电路领域浅槽隔离区阳极中间区域变窄阻挡

[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构-CN201811066380.3在审
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，包括P型衬底，P型衬底上层设有深N阱，深N阱上层从一侧到另一侧依次设有第一N阱、第一P阱、第二N阱和第二P阱，第一N阱上层设有P+注入区，第一P阱上层设有浅槽隔离区，第二P阱上层设有N+注入区，P+注入区引出有阳极，N+注入区引出有阴极。本发明的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的高维持电压SCR结构，通过位于中间区域的第一P阱的阻挡电流，使SCR电流路径变窄，同时延长电流路径，提高了维持电压。
维持电压注入区上层功率集成电路电流路径深N阱衬底输出阴极集成电路领域浅槽隔离区阳极中间区域变窄阻挡

[发明专利]用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构-CN201811066327.3在审
发明人：蔡小五;赵发展;淮永进;杜寰;黄启俊;周祥兵 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本发明的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。
注入区上层功率集成电路深N阱衬底输出集成电路领域电流泄放对称设置维持电压相对独立主电极泄放金属

[发明专利]对话意图识别方法及装置、设备和存储介质-CN201810299957.9在审
发明人：陈麒昌;唐诗睿;吴东华;胡奉平;喻东武;王宇;高磊;黄启俊 -专利权人：顺丰科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明提供一种对话意图识别方法及装置、设备和存储介质，该方法包括：获取对话信息，对该对话信息进行分词，得到分词信息；对分词信息进行特征提取，得到第一特征信息；将第一特征信息分别输入至少两项一级模型进行训练和预测，得到若干一级预测值；对各一级预测值进行拼接，得到第二特征信息；将第二特征信息输入二级模型进行训练和预测，得到二级预测值和识别结果。本发明通过融合至少两个一级模型和一个二级模型，对根据对话信息提取到的特征信息进行对话意图的分类识别，从而使聊天机器人根据识别出的对话意图进行准确智能回复具备可行性，进而实现节约人力成本。
特征信息对话信息预测分词存储介质意图识别对话聊天机器人分类识别人力成本特征提取拼接回复融合智能节约

[发明专利]一种检测肺栓塞的方法-CN201711101252.3在审
发明人：傅应云;王敏连;许兰;肖露;乐雍建;刘盛国;黄启俊;李树林 -专利权人：傅应云
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G01N15/14 文献下载
摘要：本发明提供了检测肺栓塞的方法。该方法基于标准流式细胞术检测血浆中血小板微粒的绝对计数，作为肺栓塞的辅助诊断。通过ROC曲线分析，得到血小板微粒诊断肺栓塞的临界值为716.90/μl，在此临界值上的灵敏度和特异度分别为58.82％及95.92％。阳性似然比为14.41，阴性似然比为0.43。阳性预测值为93.75％，阴性预测值为69.12％，Youden's指数为54.74％。该方法为无创性操作，成本较低，较易开展，特异度较高，可对临床上D‑二聚体结果为阳性的病人进一步筛查，提高诊断特异性，可作为肺栓塞患者进行CTPA检查前的评估手段，从而减少CTPA检查带来的不良反应，减轻患者负担。
一种检测肺栓塞方法

[实用新型]一种大功率LDMOS器件内匹配结构-CN201621265154.4有效
发明人：杜寰;任建伟;丛密芳;李科;黄启俊;高潮 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大功率LDMOS器件内匹配结构，包括的“T”型网络结构，“T”型网络结构的管芯版图上增加有多晶电阻R，所述多晶电阻R串接在管芯与靠近管芯的电感L之间，即从管芯向外的第一结构为R‑L‑C‑L，本实用新型通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。
一种大功率 ldmos 器件匹配结构

[发明专利]一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法-CN201611043887.8在审
发明人：杜寰;任建伟;丛密芳;李科;黄启俊;高潮 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H03H7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高大功率LDMOS器件稳定性的内匹配设计方法，在传统LC组成的“T”型网络结构的管芯版图上增加多晶电阻R，本发明通过在现有的管芯版图上增加多晶电阻R，使得芯片内部形成负反馈，降低增益，可使器件维持在稳定增益范围，提高了整体工作稳定性，进一步达到改善匹配结构提高稳定性的目的，可用于射频微波大功率器件的内匹配封装中。
一种提高大功率 ldmos 器件稳定性匹配设计方法

[发明专利]短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管-CN201611003267.1在审
发明人： 黄启俊;胡月;高潮 -专利权人：扬州江新电子有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了电子元器件领域内的一种短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管，该晶体管至少包括一衬底层；一氧化层，一部分为硅窗，另一部分为埋氧层；一薄膜层，包括一源区、一体硅区、一漂移区、一漏区；一顶层，包括一薄氧化层、一厚氧化层、一栅电极、一源电极、一漏电极，本发明结构上实现了小尺寸、短漂移区，具有高击穿电压、低导通电阻、高驱动能力的特点，可用以电子线路板中。
漂移部分绝缘薄膜 ldmos 晶体管

[实用新型]一种基于物联网的智能鞋柜系统-CN201620703063.8有效
发明人：王佳权;黄启俊;陈少勇;王皓 -专利权人：杭州极加科技有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于物联网的智能鞋柜系统，在用户不进行手动控制的情况下，通过安装在鞋撑上的线性霍尔传感器自动检测是否有鞋子放在鞋撑上，有鞋子放入时通过温湿度传感器、半导体空气质量传感器检测鞋内的温湿度、污染气体浓度，在主控处理器的控制下自动完成对鞋子的杀菌除臭和烘干祛湿，通过Wi‑Fi模块将实时工作状态传送到外部的云服务器和手机客户端，用户随时可以查询、控制鞋柜工作状态。本实用新型系统不仅具有传统鞋柜的储藏鞋子的功能，还能有效去除鞋内臭气和杀菌，保护鞋子不发霉腐烂，使用物联网技术和智能监控技术，具有定时自动工作、远程监控、智能显示等时尚健康功能，真正起到了智能、便捷的作用。
一种基于联网智能鞋柜系统

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