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[发明专利]相机模块及其制造方法以及电子装置-CN201880016448.9有效
发明人： 驹井尚纪 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提出了一种相机模块，其包括具有光入射侧的第一透镜基板。第一透镜基板包括：布置在第一透镜基板的贯通孔的内侧的透镜，和布置在第一透镜基板的光入射侧的相对侧的配线层。相机模块可以包括成像元件，该成像元件包括布置在基板的光入射侧的像素阵列，其中，成像元件电连接至第一透镜基板的配线层，且其中，成像元件的在与成像元件的光入射面平行的方向上的宽度小于第一透镜基板的在与第一透镜基板的光入射面平行的方向上的宽度。
相机模块及其制造方法以及电子装置

[发明专利]半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备-CN202280013042.1在审
发明人： 驹井尚纪 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及一种半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及电子设备，利用该半导体装置和制造方法，在成像元件的半导体芯片中在确保基板安装之后的长期可靠性的同时能够抑制拍摄图像的图像质量劣化。该半导体芯片包括：CMOS图像传感器；密封树脂，所述密封树脂形成在所述CMOS图像传感器上；和保护基板，所述保护基板经由密封树脂接合到所述CMOS图像传感器。所述密封树脂包含母材和强化材料，所述强化材料具有比所述母材高的杨氏模量或断裂强度。本技术可以适用于例如用于CMOS图像传感器的半导体芯片。
半导体芯片及其制造方法装置以及电子设备

[发明专利]半导体器件-CN202110953737.5在审
发明人： 驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201480052465.X有效
发明人： 驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]背面照射型固体摄像装置及其制造方法、摄像装置以及电子设备-CN201980081947.0在审
发明人： 驹井尚纪;吉冈浩孝;脇山悟;山本雄一;高地泰三 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够减少制造成本的背面照射型固体摄像装置(1)，背面照射型固体摄像装置的制造方法、摄像装置(501)和电子设备。已经被单片化的存储电路(121)和逻辑电路(122)布置在水平方向上，然后被埋入在氧化膜(133)中并且被平坦化和堆叠，从而在固体成像元件(120)下方在平面方向上被包围。本发明能够被应用于摄像装置。
背面照射固体摄像装置及其制造方法以及电子设备

[发明专利]背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备-CN201880068715.7在审
发明人：高地泰三;山本雄一;斋藤卓;胁山悟;大塚洋一;驹井尚纪;泷本香织;饭岛匡;羽根田雅希;长田昌也 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够降低制造成本的背面照射型固态摄像器件、背面照射型固态摄像器件的制造方法、摄像装置和电子设备。已经被单片化的存储电路和逻辑电路被水平地布局，并用氧化膜嵌埋以被平坦化，并且以在固态摄像元件的下方包含在平面方向中的方式被层积。本发明能够应用于摄像装置。
背面照射固态摄像器件制造方法装置电子设备

[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备-CN201780047587.3在审
发明人： 驹井尚纪 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种能够进一步减小芯片尺寸的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子设备。所述固态成像器件包括：半导体基板，所述半导体基板设有像素区域，在所述像素区域上多个像素以平面方式配置；配线层，所述配线层层叠在所述半导体基板上并且设有与多个所述像素连接的配线；和支撑基板，所述支撑基板接合到所述配线层并且支撑所述半导体基板。用于电连接到外部的多个电极焊盘配置在所述配线层中的在所述半导体基板的平面图中与所述像素区域重叠的位置处，以及在所述支撑基板中的与多个所述电极焊盘相对应的位置处设有贯通孔。例如，本技术可以适用于晶圆级CSP中的背面照射型CMOS图像传感器。
固态成像器件半导体基板像素区域支撑基板配线层电子设备位置处配线电极焊盘配置背面照射型电极焊盘平面方式接合电连接贯通孔晶圆级减小像素制造芯片外部配置支撑

[发明专利]半导体装置、电子器件以及制造半导体装置的方法-CN201210070103.6无效
发明人：香川惠永;驹井尚纪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：第一半导体部分，其包括第一配线；第二半导体部分，其与第一半导体部分贴附并包括电连接第一配线的第二配线；和金属氧化物，其通过氧与金属材料之间的反应形成，所述金属材料比氢更容易与氧反应，所述金属氧化物扩散入包括在第一配线和第二配线之间的连接界面的区域，并且扩散入至少第一配线和第二配线之一的内部。
半导体装置电子器件以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN200710196755.3有效
发明人： 驹井尚纪;中村卓矢 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，能缓和由半导体衬底与埋入导体层之间的热膨胀差而引起的影响，不需要高精度对准位置就能形成希望的过孔。本发明半导体装置的制造方法在半导体衬底(衬底本体)(21)的第一面(21A)侧设置元件形成层(30)，在与半导体衬底(21)第一面(21A)相对的第二面(21B)侧设置经由过孔而与元件形成层(30)电连接的外部连接端子(48)，该半导体装置的制造方法中，所述过孔经过下面的工序形成：在所述第一面(21A)形成相对半导体衬底(21)电绝缘的埋入导体层(27)的工序、在所述第二面(21B)形成与埋入导体层(27)连络的连络孔(40)(40A、40B)的工序、把埋入导体层(27)与连络孔(47)之间进行电连接的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610006161.7无效
发明人： 驹井尚纪;金村龙一;大冈丰 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：此处公开的是具有改进的耐电迁移性的半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：层间绝缘膜，形成在第一金属线上；第二金属线，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成；金属接触，通过嵌入在所述层间绝缘膜中而形成，用于连接在所述第一金属线和所述第二金属线之间；第一覆层，形成在所述第一金属线与所述金属接触之间；和阻隔金属层，形成在所述第二金属线与所述层间绝缘膜之间，用于防止在所述第二金属线中的金属扩散。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN03801169.7无效
发明人：濑川雄司;野上毅;堀越浩;驹井尚纪 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-06-20 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件的制造方法，用于实现适合于提高其操作速度并且质量和可靠性都高的半导体器件。半导体器件的制造方法为包括具有防止铜扩散功能并形成在含铜的金属布线上的阻挡膜(7)的半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：使用含添加的催化剂金属(10)的电镀液进行电镀由此形成含催化剂金属(10)的金属布线(2)；以及使用在金属布线(2)的表面上暴露的催化剂金属(10)作为催化剂进行无电镀，由此在金属布线(2)上形成具有防止铜扩散功能的阻挡膜(7)。
半导体器件制造方法

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