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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872906.5有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872242.2有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201910872243.7有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]半导体器件-CN202110953737.5在审
发明人：驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。该半导体器件可包括：第一半导体基板和第二半导体基板，在所述第一半导体基板中形成有像素区域，在所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部，在所述第二半导体基板中形成有用于处理从所述像素部输出的像素信号的逻辑电路，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠，其中，在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜上布置有用于保护所述片上透镜的保护基板，在所述保护基板与所述片上透镜之间设置有密封树脂。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201480052465.X有效
发明人：驹井尚纪;佐佐木直人;小川尚纪;井上孝史;岩元勇人;大冈豊;长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括：第一半导体基板(12)和第二半导体基板(11)，在所述第一半导体基板中形成有像素区域(21)，所述像素区域内二维布置有进行光电转换的像素部(51)，在所述第二半导体基板中形成有逻辑电路，所述逻辑电路处理从所述像素部输出的像素信号，所述第一半导体基板与所述第二半导体基板被层叠。在所述第一半导体基板的所述像素区域内的片上透镜(16)上布置有保护所述片上透镜的保护基板(18)，所述片上透镜与所述保护基板之间插入有密封树脂(17)。
半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201580002735.0有效
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
具有改善切割性能图像传感器制造装置方法

[发明专利]具有改善的切割性能的图像传感器、其制造装置及制造方法-CN201810223772.X在审
发明人：山本笃志;宫泽信二;大冈丰;前田兼作;守屋雄介;小川尚纪;藤井宣年;古濑骏介;长田昌也;山本雄一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
图像传感器光电二极管层基板光电二极管透明树脂层切割性能制造装置叠置侵入芯片挖掘制造

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