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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]欧姆合金触点区域密封层-CN202080063775.7在审
发明人： P·J·杜瓦尔;J·P·贝当古;J·W·麦克利蒙兹;P·M·奥尔康;P·C·巴拉斯二世;M·S·戴维斯 -专利权人：雷声公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：形成欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处；在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处形成欧姆触点密封层；并将带有欧姆触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。
欧姆合金触点区域密封

[发明专利]具有改进的栅极结构的场效应晶体管-CN202080057242.8在审
发明人： J·R·拉罗什;J·P·贝当古;P·J·杜瓦尔;K·P·叶 -专利权人：雷声公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，其包括形成竖直结构的栅极触点和栅极金属，所述竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部，所述气隙形成在场效应晶体管的源极电极和漏极电极之间。
具有改进栅极结构场效应晶体管

[发明专利]用于微波能量传输的微波集成电路(MMIC)镶嵌电互连-CN201680033773.7有效
发明人： J·R·拉罗什;J·P·贝当古;T·E·卡齐奥;K·P·叶 -专利权人：雷声公司
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构，具有其中具有有源器件的半导体层。电介质结构设置在所述半导体层上方，该电介质结构中具有端部开口的沟槽。电互连层级设置在沟槽中并电连接到有源器件。多个叠置金属层设置在沟槽中。叠置金属层在其底部和侧壁上设置有导电阻挡金属层。
用于微波能量传输微波集成电路 mmic 镶嵌互连

[发明专利]用于耗尽型放大器的偏置电路-CN201680035717.7有效
发明人： J·P·贝当古;A·J·别卢尼斯;I·罗德里格斯;Z·C·王 -专利权人：雷声公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：一种具有放大器(11)的电路(10)，所述放大器包括：耗尽型晶体管(Q1)，具有源电极，耦合到参考电位；漏电极，耦合到比参考电位更正的电位(VDD)；以及栅电极，用于耦合到输入信号。电路(10)包括偏置电路(12)，所述偏置电路包括：电流源；以及偏压电路，耦合到所述电流源以及比所述参考电位更正的电位(VDD)和比所述参考电位更负的电位(VSS)之间。控制电路连接到电流源，用于控制由电流源产生的至偏压电路的电流量。
用于耗尽放大器偏置电路

[发明专利]具有可切换电流偏置电路的放大器-CN201880067212.8在审
发明人： J·P·贝当古;V·S·卡佩尔;S·M·拉迪萨瓦尔 -专利权人：雷声公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：一种电路，其具有：(A)晶体管；(B)用于为晶体管设置偏置电流的偏置电路，该偏置电流具有根据馈送到该偏置电路的参考电流的电流电平；以及(C)偏置电流电平控制器，其包括：(i)多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOS FET和GaN FET；以及(ii)电流源电路，其包括多个电流源，所述电流源中的每一个连接在电压源与多个开关中的对应一个之间，该电流源电路响应于馈送到MOS FET的栅极的二进制控制信号而将由电流源产生的电流组合，组合电流提供馈送到偏置电路的参考电流。
具有切换电流偏置电路放大器

[发明专利]放大器输出功率限制电路-CN201780056181.1在审
发明人： V·S·卡佩尔;J·P·贝当古 -专利权人：雷声公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种放大器系统(10)具有：放大器(FET)，其具有线性工作区域，其中，放大器(FET)在输出端子(18)处产生的输出信号具有随输入信号功率水平增大而成比例地增大的功率水平，直到放大器(FET)的压缩区域，其中，阻止输出功率随着输入信号功率增大而增大；以及DC限流电路(14)，其耦合在DC电源和放大器(FET)之间，用于当放大器(FET)在线性区域中工作时，从DC电源供应DC电流，该DC电流等于从DC电源到放大器(FET)的静态电流。
放大器输入信号功率放大器输出功率线性工作区域放大器系统在线性区域功率水平静态电流输出端子输出功率输出信号限流电路限制电路压缩区域耦合增大的

[发明专利]热电偏置电压发生器-CN200680044799.8有效
发明人： J·P·贝当古 -专利权人：雷声公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： G05F3/00 文献下载
摘要：一种热电偏置电压发生器，其具有基板、形成于所述基板的半导体区域内的有源器件以及设置在所述基板上并连接到所述有源器件热电偶接点，所述热电偶接点用于为所述有源器件提供偏置电压。
热电偏置电压发生器

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