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[发明专利]反铁电电容器-CN202210272830.4在审
发明人：陈敏璋;易圣涵;黄继震 -专利权人：汉民科技股份有限公司;陈敏璋
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提出反铁电电容器。所提出的结构能使反铁电晶体产生压缩内压而能降低其迟滞行为，从而使反铁电具有高储能密度(Energy Storage Density,ESD)和低能量损失。所提供的反铁电电容器具有纪录新高的ESD(94J/cm3)和80％的高效率，以及高达5×1010W/kg的最大功率密度。除此之外，该多层堆叠的结构能够缓解了随着薄膜厚度增加而导致的储能性能下降，使其厚度在扩增到48nm时仍具有80J/cm3的高ESD和82％的效率。这种改进源自于界面对电子树的阻挡效应从而提高了反铁电的介电崩溃强度。此外，此电容器还表现出高达1010次操作循环的出色耐久性。
反铁电电容器

[发明专利]半导体元件-CN201910313720.6在审
发明人：陈敏璋;易圣涵;吕承轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。
含锆氧化物金属氧化物层顶电极基板半导体元件反铁电铁电性