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[发明专利]一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器-CN201310283456.9有效
发明人：孙伟锋;张允武;林吉勇;宋慧滨;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H03K3/011 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高频率-控制电流线性度的张弛振荡器，包括充放电电路、控制电路以及设于充放电电路与控制电路之间的浮动充放电电容，充放电电路根据控制电路的输出信号交替地给浮动充放电电容的两端进行充电和放电，控制电路检测浮动充放电电容的电压，并输出控制信号，振荡器的输出信号仅由浮动充放电电容的充电过程决定，从而减小了振荡器整个周期的延时，提高了振荡器频率-控制电流的线性度。浮动充放电电容由完全相同的电容C1、C2并联，且电容C1、C2的两极板交叉互连，使得浮动充放电电容的两端对称，减小了电容两端的微小寄生电容对振荡器输出的影响。
一种提高频率控制电流线性张弛振荡器

[发明专利]一种LED的数字调光控制系统及其方法-CN201310284988.4有效
发明人：钱钦松;王炎宝;汪国军;张太之;王永平;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：一种用于LED的数字调光控制系统，包括主功率电路和LED负载，设有外部控制输入模块、含有解码单元、驱动控制单元、计时单元及定时单元的控制模块、PWM驱动模块、D/A转换模块、反馈电路及比较器。控制模块根据外部控制输入模块的需求，通过对PWM驱动模块的控制来调节PWM驱动波形的开关时间，一方面驱动控制单元通过D/A转换模块改变比较器输入端的电压参考值，另一方面驱动控制单元控制PWM信号的导通，计时单元用于计算每个周期PWM的开通时间，定时单元用于确定PWM的开关时间，驱动控制单元通过定时单元确保PWM驱动模块开关周期恒定，根据计时单元所得到的时间和驱动控制单元内部存储时间进行比较来控制和调节PWM的开通时间，并实现相应保护。
一种 led 数字调光控制系统及其方法

[发明专利]一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管-CN201310199858.0有效
发明人：孙伟锋;黄宇;王永平;张春伟;戴佼容;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型横向碳化硅金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延层，在P型外延层的内部设有N型漂移区、N型源区和P型体接触区，在N型漂移区内设有N型漏区，在P型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层和场氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在场氧化层的下方靠近栅氧化层的位置设有重掺杂深P型柱，在栅氧化层正下方设有轻掺杂P型基区，重掺杂深P型柱的存在使得该器件的抗穿通能力有了很大的提高，使得P型基区相对于一般器件，长度更短，浓度更淡，从而降低了器件的导通电阻和阈值电压。
一种横向碳化硅金属氧化物半导体

[发明专利]一种降低功率管导通功耗的PFC控制电路-CN201310149510.0有效
发明人：孙伟锋;张允武;宋慧滨;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低功率管导通功耗的PFC控制电路，基于Boost升压电路的拓扑结构，包括电压环电路、功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路和逻辑控制与驱动电路，电压环电路用于稳定输出和产生功率管的关断信号，功率管漏源电压VDS谷底导通控制电路用于检测功率管漏源VDS并与谷底电压进行比较，产生功率管的导通控制信号，逻辑控制与驱动电路用于驱动控制功率管的开通和关断。通过检测VDS的电压，确保在不同的输入电压情况下，功率管都能在其漏源电压VDS处于谷底电压或者零电压时开启，从而降低了功率管导通时的损耗。
一种降低功率管功耗 pfc 控制电路

[发明专利]一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管-CN201310199860.8有效
发明人：孙伟锋;林婧婧;叶伟;张春伟;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高鲁棒性的P型对称横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有P型漂移阱、P型缓冲阱和N型体接触区各两个，在P型缓冲阱内分别设有P型漏区和P型源区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、N型体接触区、P型源区、多晶硅栅和P型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在两个P型漂移阱上表面还各设有与低压P型阱共用一块光刻板，采用低能量离子注入形成的第一和第二浅P型阱，该区域有效地优化了表面电场分布，降低了最高晶格温度，提高了二次崩溃电流，增强了器件在ESD过程中的鲁棒性。
一种高鲁棒性对称横向扩散场效应晶体管

[发明专利]浮栅驱动芯片中抑制高侧浮动电源低电平负过冲的电路-CN201310080254.4有效
发明人：祝靖;孙国栋;张允武;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种浮栅驱动芯片中抑制高侧浮动电源低电平负过冲的电路，浮栅驱动芯片中设有高侧通道、低侧通道，高、低侧通道中均分别设有逻辑电路和驱动电路，其特征在于，将常规的高侧通道中的驱动电路加以改进，并且在改进后的高侧通道中的驱动电路与高侧浮动电源低电平VS之间增设电流检测与控制电路，改进后的高侧通道中的驱动电路的一个输入端连接逻辑电路的输出端，电流检测与控制电路的输出端与改进后的高侧通道中的驱动电路的另一输入端连接，改进后的高侧通道中的驱动电路的输出端连接浮栅驱动芯片的高侧输出引脚。
驱动芯片抑制浮动电源电平电路

[发明专利]一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺-CN201310148959.5有效
发明人：刘斯扬;于朝辉;于冰;张春伟;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种高可靠性的N型横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型阱，在N型阱的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳极区，在P型体区中设有N型阴极区和P型体接触区，在N型阱的表面设有场氧化层，在P型体区的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型阴极区、多晶硅栅和P型阳极区的表面设有钝化层，其特征在于，嵌入N型阱的场氧化层厚度占总厚度的60%~80%，使得场氧化层露出N型阱的部分与嵌入N型阱的部分的厚度比例为2:3至1:4，这样器件鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率明显减弱，因而大幅度提升了器件的可靠性。
一种可靠性横向绝缘栅双极型器件及其制备工艺

[发明专利]一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路-CN201310109668.5无效
发明人：祝靖;张学永;张允武;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种低静态功耗的电流模带隙基准电压电路，基于传统带隙基准电压电路，设有PNP三极管Q1和Q2，PMOS管M1、M2和M3，运算放大器OP，电阻R1、R2、R3、R4；其特征在于：将上述传统的带隙基准电压电路加以改进，将去掉电阻R1、R3，在运算放大器OP的同相输入端及运算放大器OP的反相输入端与PMOS管M3的漏极之间分别增设电阻R5及R6，R5=R6。本发明电路在电源电压和三极管Q1、Q2偏置电流均相同的条件下，输出基准电压为1V时所消耗的总静态功耗比传统结构降低了约70%。
一种静态功耗电流模带隙基准电压电路

[发明专利]一种降低失调电压影响的带隙基准电压电路-CN201310110341.X无效
发明人：祝靖;孙国栋;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种降低失调电压影响的带隙基准电压电路，基于传统的带隙基准电压电路结构，设有PNP三极管Q1、Q2和Q3、运算放大器OP、电阻R1和R2、PMOS管M1、M2和M3，其特征在于：在PNP三极管Q1及Q2的发射极与基极之间分别增设电阻R3及R5，在PNP三极管Q1及Q2的基极与地之间分别增设电阻R4及R6。本发明通过引入分压电阻网络，从结构上减小失调电压VOS的系数，从而降低了失调电压对基准电压的影响，可以得到精度更高、稳定性更好的基准电压。
一种降低失调电压影响基准电路

[发明专利]一种顺序积分型双色红外焦平面读出电路-CN201310089181.5有效
发明人：夏晓娟;刘镇硕;苏军;朱长峰;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G01J5/02 文献下载
摘要：一种顺序积分型双色红外焦平面读出电路，包括红外探测器、像素单元电路、中、短波列读出级电路和中、短波输出缓冲器，像素单元电路包含中、短波两路积分电路及积分电容可选电路的M*N双色像素单元阵列，双色像素单元阵列的输入端设有积分信号产生电路，积分信号产生电路的输入信号为积分控制信号INT和复位信号RST，输出信号为中波积分控制信号INT1和短波积分控制信号INT2均输入至双色像素单元阵列，双色像素单元阵列的输出分别连接到中、短波列读出级电路，中、短波列读出级电路的输出信号分别连接中、短波输出缓冲器的输入端，中、短波输出缓冲器分别输出系统串行输出中、短波信号Vout1、Vout2作为系统的中、短波探测信息显示。
一种顺序积分型双色红外平面读出电路

[发明专利]一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管-CN201310025337.3无效
发明人：刘斯扬;张春伟;黄婷婷;黄宇;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高可靠性P型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N-阱，在N-阱的内部设有N阱和P阱，在N阱内设有N型体接触区和P型源区，P阱内设有P型漏区，在N-阱、N阱和P阱的表面设有场氧化层，在场氧化层的表面设有多晶硅栅，在N型体接触区、P型源区、多晶硅栅、场氧化层和P型漏区的表面设有钝化层，在P型漏区和部分场氧化层的下方设有P-阱，所述P-阱底端穿过P阱且与埋氧化层相接。这个结构能够有效地抑制kirk效应的影响，降低P型漏区电场，从而提高器件的开态击穿电压和泄放电流的能力。
一种可靠性绝缘体横向扩散场效应晶体管

[发明专利]一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法-CN201310025968.5有效
发明人：刘斯扬;黄栋;朱荣霞;张春伟;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于仿真的绝缘栅双极型晶体管的电流特性测定方法，包括以下步骤：步骤10）获取绝缘栅双极型晶体管的测试导通特性和测试输出特性；步骤20）建立仿真程序内部集成模型的仿真电路；步骤30）建立实际集电极电压与修正集电极电压的对应关系；步骤40）得到实际集电极电压与修正集电极电压的修正系数；步骤50）仿真建立一次修正的实际导通特性；步骤60）建立实际栅极电压与修正栅极电压的对应关系；步骤70）得到实际栅极电压与修正栅极电压的修正系数；步骤80）仿真建立二次修正的实际输出特性。该方法可以解决注重集成电路仿真程序PSPICE内部集成的绝缘栅双极型晶体管模型的电流特性精确度不高的问题。
一种基于仿真绝缘栅双极型晶体管电流特性测定方法

[发明专利]一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器-CN201210590904.5有效
发明人：徐申;杨淼;陆炎;孙锋锋;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器，包括Boost型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换器、PID控制器、限流单元，数字脉冲宽度调制器和驱动单元，其特征是增设快速响应回路，其输入端连接关变换器的输出电压，输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端；快速响应回路包括选频网络、误差放大器和输出级，选频网络的输入端连接关变换器的输出电压，选频网络的输出端连接误差放大器，误差放大器的输出端连接输出级的输入端，输出级的输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端。
一种快速瞬态响应数字功率因数校正控制器

[发明专利]一种快速瞬态响应的数字功率因数变换器及其控制方法-CN201210589729.8有效
发明人：孙伟锋;孙大鹰;程松林;宋慧滨;王青;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种快速瞬态响应的数字功率因数变换器，设有EMI滤波器、整流电路、Boost型变换器功率级主拓扑结构、两个分压单元、三个A/D采样转换单元、预测控制单元、PID控制单元、占空比修正单元和数字脉冲调制器，交流电压AC连接EMI滤波器的输入端，EMI滤波器的输出端与整流电路的输入端连接，第二分压单元的输入端连接整流电路的输出端也是主拓扑结构的输入端，第一分压单元的输入端与主拓扑的输出端连接，三个A/D采样转换单元的输出端分别连接预测控制单元，输出信号和参考电压信号Vref比较后输出电压误差信号和输出电压误差偏差信号至PID控制单元，占空比修正单元的输出信号与PID控制单元的输出信号相乘后连接数字脉冲调制器，数字脉冲调制器的输出端连接主拓扑结构中MOS管Q的栅极。
一种快速瞬态响应数字功率因数变换器及其控制方法

[发明专利]一种快速瞬态响应的数字开关变换器及其控制方法-CN201210589750.8有效
发明人：徐申;孙大鹰;田野;宋慧滨;王青;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：一种具有快速瞬态响应能力的数字开关变换器，包括Buck型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换单元、预测控制单元、模糊PID控制单元、DPWM单元和驱动单元。A/D采样转换单元分别采样开关变换器的模拟输出电压值和模拟电感电流值，将模拟信号转换成数字信号；预测控制单元根据A/D采样数字信号值结合Buck型开关变换器主拓扑结构预测下一开关周期输出电压值；模糊PID控制单元根据输出电压误差值和输出电压误差偏差值确定开关周期的占空比值，DPWM单元和驱动单元根据占空比值输出相应的PWM驱动开管变换器的功率管的开关状态来调节输出电压值。
一种快速瞬态响应数字开关变换器及其控制方法