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[发明专利]一种高可靠性高侧驱动电路-CN202310940301.1在审
发明人： 张允武;禹阔;陆扬扬;陈中润 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性高侧驱动电路，属于集成电路技术领域，电路中，当高侧浮动地VS电位抬升或者下降时，位移电流检测电路将高压器件位移电流检测出来并且输出到另外两路高压器件的负载端，以此抵消两路高压器件上产生的位移电流，保证脉冲信号可以正常通过锁存器进行输出，实现了整体电路存在噪声时，低侧信号可以向高侧正确传输，提高了整体高侧驱动电路的可靠性，同时本发明整体电路成本较低，实现难度较小。
一种可靠性驱动电路

[发明专利]一种具有抗瞬变干扰的隔离电路-CN202310846141.4在审
发明人： 张允武;禹阔;陆扬扬;鲍文笑 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种具有抗瞬变干扰的隔离电路，包括偏置电路、抗dV/dt电路、信号调制电路、信号解调电路和电容。偏置电路和信号调制电路工作在第一电压域，抗dV/dt电路和信号解调电路工作在第二电压域，信号从第一电压域向第二电压域传输。当第一电压域和第二电压域之间的压差产生瞬变时，抗dV/dt电路能够检测该差压变化率dV/dt，然后将信号解调电路的输入端口的电压稳定在常规电平，常规电平是两电压域压差没有变化时的电平，从而消除dV/dt的影响，避免由dV/dt导致的输出逻辑紊乱问题，即使dV/dt期间信号也能在两个电压域之间进行有效传输。
一种具有抗瞬变干扰隔离电路

[发明专利]一种宽输入稳压电路-CN202310857987.8在审
发明人： 张允武;禹阔;陈中润 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种宽输入稳压电路，属于集成电路技术领域，包括基准电路、模式选择电路、内部供电电路、电荷泵控制电路、衬底控制电路、振荡器、运算放大器、电压比较器、电阻、电容和PMOS管。该电路中，当电源电压VDD小于设定电压时，整体电路工作在工作模式1，开关S0断开，S1闭合，电荷泵控制电路控制电容充放电，VO电压最终达到或接近所需输出电压；当电源电压VDD大于设定电压时，整体电路工作在工作模式2，开关S0闭合，S1断开，电荷泵控制电路为PMOS管P1栅端提供低电平，P1导通，整体电路通过反馈回路实现稳压功能，从而使得VO电压稳定在所需输出电压，实现了在较低电源电压的工作条件下输出电压稳压。
一种输入稳压电路

[发明专利]噪声消除电路及低延时高压侧驱动电路-CN201810382494.2有效
发明人： 张允武;余思远;冷静;胡孔生 -专利权人：无锡安趋电子有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了噪声消除电路及低延时高压侧驱动电路，属于半桥式功率器件驱动的技术领域。噪声消除电路包括共模电流消除电路和双重互锁结构，通过共模电流消除电路将dv/dt噪声转化为电流并消除其中的共模电流噪声，通过双重互锁结构抽取并消除dv/dt噪声中的差模电流噪声并确定电路状态。采用该噪声消除电路的驱动电路能够正确驱动后级的高压侧电路，既保证了低延时传输特性，又不降低芯片的可靠性性能，并且增强了高压侧电路抗VS负偏压的能力。
噪声消除电路延时高压驱动

[发明专利]一种欠压保护电路-CN202310530170.X在审
发明人： 张允武;禹阔;陆扬扬;鲍文笑 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种欠压保护电路，包括主欠压检测电路、欠压滤波电路、次欠压检测电路、上电延时电路和或门OR1；主欠压检测电路的输出连接欠压滤波电路，欠压滤波电路的输出连接或门OR1的一个输入端并反馈连接至主欠压检测电路的输入端，次欠压检测电路的输出连接上电延时电路的输入，上电延时电路的输出连接或门OR1的另一个输入端，或门OR1的输出OUT作为欠压保护电路的输出。本发明可以实现高精度的欠压保护阈值，有效抑制低电源电压下逻辑功能紊乱问题，能够滤除一定的电源噪声，且电源电压越低，其滤波时间越小，在电源电压快速上升时具有延时保护作用。
一种保护电路

[发明专利]低功耗电压转换电路及转换方法-CN202211606674.7在审
发明人： 张允武;禹阔;鲍文笑;陆扬扬 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本申请公开了一种低功耗电压转换电路及转换方法，属于集成电路技术领域。当电压判断电路检测到第一电容和第二电容之间的电压差大于第一阈值，且电流检测电路检测到运放的功率输出端的输出电流小于或等于第二阈值时，或者，当电压判断电路检测到第一电容和第二电容之间的电压差小于或等于第一阈值，且电流检测电路检测到运放的功率输出端的输出电流大于第二阈值时，通过延时电路开启基准与偏置电路；当电压判断电路检测到第一电容和第二电容之间的电压差小于或等于第一阈值，且电流检测电路检测到运放的功率输出端的输出电流小于或等于第二阈值时，通过延时电路关闭基准与偏置电路，以降低静态功耗。本申请的静态工作电流很小，达到nA级别。
功耗电压转换电路方法

[发明专利]一种低失真脉冲滤波电路-CN202211319061.5在审
发明人： 张允武;禹阔;陆扬扬;鲍文笑 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：一种低失真脉冲滤波电路，包括异或门XOR、单边滤波电路、选通电路和RS触发器，XOR的一个输入端连接输入脉冲信号IN，XOR的输出连接单边滤波电路的输入端，单边滤波电路的输出连接选通电路的数据输入端口，选通电路的选择输入端口连接XOR与IN的连接端，选通电路的置位信号输出连接RS触发器的置位输入端S，选通电路的一个复位信号输出连接RS触发器的复位输入端R1，RS触发器的另一个复位输入端R2连接低失真脉冲滤波电路的复位输入信号端RST，RS触发器的输出端Q作为低失真脉冲滤波电路的输出端输出信号OUT并反馈连接至异或门XOR的另一个输入端。
一种失真脉冲滤波电路

[发明专利]一种桥式高压驱动电路-CN202211319346.9在审
发明人： 张允武;禹阔;陆扬扬;鲍文笑 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种桥式高压驱动电路，包括振荡器、反相器INV0、电容C1和C2以及高侧开通电路、高侧关断电路和低侧驱动电路；高侧输入信号HIN连接振荡器的输入端和高侧关断电路的输入端，振荡器的输出连接INV0的输入端和C2的一端，INV0的输出连接C1的一端，电容C1的另一端连接高侧开通电路的反相输入端，电容C2的另一端连接高侧开通电路的同相输入端，高侧开通电路的一个输出端驱动高侧功率管M1并连接高侧关断电路的栅极关断端口，高侧开通电路的另一个输出端连接浮动地VS并连接高侧关断电路的浮动地VS关断端口，低侧输入信号LIN通过低侧驱动电路驱动低侧功率管M2。
一种高压驱动电路

[实用新型]具有过热保护功能的充电电路-CN202221700814.2有效
发明人： 张允武;禹阔 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有过热保护功能的充电电路，属于锂电池充电技术领域。所述充电电路中，当电池的电压小于涓流充电阈值时，涓流恒流恒压充电电路处于涓流充电模式，利用第一参考电压控制充电电流；当电池的电压大于等于涓流充电阈值且小于恒压充电阈值时，涓流恒流恒压充电电路处于恒流充电模式，利用第二参考电压控制充电电流；当电池的电压大于等于恒压充电阈值时，涓流恒流恒压充电电路处于恒压充电模式，利用第三参考电压控制充电电流；在处于涓流充电模式或恒流充电模式且温度大于温度阈值时，参考电压选择器、分压器、加法器和多增益运放用于线性降低第一MOS管中的充电电流。本申请既可以保护电池，也可以在保护过程中不间断充电。
具有过热保护功能充电电路

[发明专利]一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法-CN202210830224.X在审
发明人：朱袁正;杨卓;黄薛佺;张允武;陆扬扬 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，第二导电类型体区在第一导电类型外延层的深度大于纵向沟槽的深度，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法和传统纵向沟槽型MOSFET器件的制造方法完全兼容，可以在不增加额外光刻版、不另外增加额外工艺步骤的情况下实现横向器件，便于器件之间的集成。
一种横向沟槽 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种低损耗MOSFET器件及其制造方法-CN202210830084.6在审
发明人：朱袁正;杨卓;黄薛佺;张允武;陆扬扬 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低损耗功率MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有第一栅极和第二栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型埋层，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的低损耗功率MOSFET器件降低了器件纵向漏电流，减小了器件静态功耗，提高了器件可靠性。
一种损耗 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种横向功率MOSFET器件及其制造方法-CN202210830246.6在审
发明人：朱袁正;杨卓;黄薛佺;张允武;陆扬扬 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向功率MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有第一栅极和第二栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的横向功率MOSFET器件及其制造方法和传统SGT MOSFET器件的制造方法兼容，使用一套工艺流程就能同时兼顾横向功率MOSFET器件和SGT MOSFET器件，提高了工艺的泛用性并降低了制造成本。
一种横向功率 mosfet 器件及其制造方法

[发明专利]高压驱动芯片的过流检测电路及过流检测方法-CN202210552600.3在审
发明人：陆扬扬;张允武;禹阔;黄海敏;孟海迪;陈启亮;张大双 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种高压驱动芯片的过流检测电路及过流检测方法，属于集成电路技术领域。所述电路中，当下降边沿检测电路检测到高压区浮动地的下降沿，且低压输出端口的输出为高电平信号时，逻辑控制电路用于向高精度电压检测电路输出高电平信号；当低压输出端口的输出为低电平信号时，逻辑控制电路用于向高精度电压检测电路输出低电平信号；高精度电压检测电路用于在接收到高电平信号时开启过流检测，在接收到低电平信号时关闭过流检测；比较器用于根据检测电压和参考电压生成过流检测结果。本申请可以提高过流检测精度的同时，避免检测时间过早容易形成误判，检测时间过晚容易造成窄脉宽漏判的问题，提高了过流检测的及时性。
高压驱动芯片检测电路方法

[发明专利]一种输入电压检测电路及其接口电路-CN202110339242.3有效
发明人： 张允武;陆扬扬 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种输入电压检测电路及其接口电路，包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一ESD保护器件、第二ESD保护器件、第一阻性元件、第二阻性元件、第一二极管、第二二极管、电容和反相器。其中，两个钳位电路其中一个用于耐受输入的正电压，另外一个用于耐受输入的负电压，可以实现输入电压范围拓宽的基础上，不损伤电路元件。本发明在不损失延时和阈值精度的条件下，既可以拓宽输入电压范围，又可以保护器件的栅极不损坏，同时解决输入电压范围及ESD保护问题。
一种输入电压检测电路及其接口

[发明专利]一种高压PN桥栅驱动电路-CN202110339245.7有效
发明人： 张允武;陆扬扬 -专利权人：国硅集成电路技术（无锡）有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种高压PN桥栅驱动电路，利用稳压电路将电源电压降低给输入级电路供电，采用电平转换电路将输入级的信号转换为可以驱动高压薄栅氧PMOS管的电压，利用电阻分压的方式判断输出电压与设定电压之间的关系，当用于驱动功率PMOS管时，PMOS管的栅驱动电路输出电压低于设定值时，使得驱动管NMOS管的电流能力降低甚至关断，从而使得输出电压抬升，并动态地稳定在设定值附近；同理当用于驱动功率NMOS管时，使得输出电压抬升并动态地稳定在设定值附近，设定值可以是GND～VCC之间的任意值，且由电阻比例和MOS管的阈值电压决定。本发明电路结构复杂度降低，功耗降低，有利于提高驱动芯片集成度，减少成本。
一种高压 pn 驱动电路

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