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[发明专利]一种提高开关电源动态响应的控制方法-CN201510502980.X有效
发明人：徐申;王冲;范献军;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种提高开关电源动态响应的控制方法，基于包括采样模块、动态控制模块、误差计算模块、PID模块、模式控制模块以及PWM模块构成的闭环控制系统，采样模块采样输出电压Vo，动态控制模块根据Vo的大小分别与设定的Vomax、Vomin以及Vref进行比较，判断是否采用动态模式，动态模式下当输出电压Vo变化很大时，可以通过输入大功率或小功率的方法使得输出电压Vo快速返回到稳定电压，并通过电压变化的斜率检测负载大小来确定工作状态来减小电压谐振，提高动态响应效果。
一种提高开关电源动态响应控制方法

[发明专利]一种原边反馈反激式电源变换器输出电流的恒流控制系统-CN201510423030.8有效
发明人：孙伟锋;沈乾;张晓明;王冲;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种原边反馈反激式电源变换器输出电流的恒流控制系统，在传统恒流控制策略的基础上增加了Ts补偿、Tr补偿以及原边峰值电流补偿，同时还结合了数字PI补偿的恒流处理，并采用了PWM和PFM两种模式控制，不考虑一些补偿时，在PWM模式下，导通时间随着负载的降低而减小，所以输出电流随着负载的降低偏离额定电流越来越大。而在PFM模式下，导通时间保持不变，输出电流偏离额定电流仍然保持不变。本发明最终能够得到恒流精度为±2％的效果，从而提高了反激式变换器的恒流特性。
一种反馈反激式电源变换器输出电流控制系统

[发明专利]一种AC‑DC变换器输出电压的恒压控制方法及其电路-CN201510021895.1有效
发明人：孙伟锋;范献军;吴乙雨;黄智;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：一种AC‑DC原边反馈变换器输出电压的恒压控制方法，利用分压电阻采样辅助绕组上的电压后，通过反馈信号采样模块产生一个反映变换器输出电压状况的数字量输出给算法控制模块，由算法控制模块决定PWM波形的产生以调整变换器主开关管的开关时间，实现变换器的恒压输出。
一种 ac dc 变换器输出电压控制方法及其电路

[发明专利]一种检测蓄电池是否充满的方法-CN201510182728.5有效
发明人：孙伟锋;张太之;付君宇;俞居正;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测蓄电池是否充满的方法，在涓流充电结束以后，再次用不同幅值的恒流信号I对蓄电池进行充电，将用不同幅值的恒流信号I对蓄电池进行充电前检测到的蓄电池两端的电压与用不同幅值的恒流信号I对蓄电池进行充电一段时间后检测到的蓄电池两端的电压进行比较，判断蓄电池是否已经充满，如果未充满，则继续对蓄电池进行恒压充电，然后通过比较检测到的蓄电池两端电压的变化量与蓄电池自身的参数Vref，准确地判断出蓄电池是否已经充满。本发明能够确保蓄电池每次充电时均能充满，有效地提高蓄电池的电性能，延长蓄电池的使用寿命。
一种检测蓄电池是否充满方法

[发明专利]场效应管电容‑电压特性测试电路的串联电阻测定方法-CN201510121313.7有效
发明人：刘斯扬;张艺;魏家行;张春伟;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管电容‑电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性的修正模型，将数据带入模型中修正出实际电容‑电压曲线；最后将输入频率为时，某一扫描电压点对应的测试电容值和实际电容值带入串联电阻的公式，即可得到串联电阻的值。本发明计算方法中模型参数选取较灵活，可以选择积累区与耗尽区区间中的任意C‑V测试数据离散点计算串联电阻；也无需考虑电路中器件的结构参数，弥补了传统计算方法中对氧化层电容存在估算误差的缺陷，适用范围广泛。
场效应电容电压特性测试电路串联电阻测定方法

[发明专利]一种动态响应优化的开关电源控制方法-CN201710433841.5在审
发明人：孙伟锋;谢明枫;刘琦;朱俊杰;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：一种动态响应优化的开关电源控制方法，基于包括输出电压采样电路、采样放大隔离电路和以微控制器为核心的控制电路构成的控制系统，该控制系统与受控的开关电源构成闭环，控制系统包含LUT(查找表)、LUT生成模块以及索引生成模块。在系统正常工作之初，LUT生成模块根据PID参数生成LUT，在系统工作之后，控制变量的生成由索引生成模块根据输出电压生成索引，然后在LUT之中直接查找得出相应的控制量，免去了计算的过程，同时加速了这一流程的处理速度，使得系统在使用低成本微控制器的同时保证高速数字控制性能。
一种动态响应优化开关电源控制方法

[发明专利]一种原边反馈反激式电源CCM与DCM模式的恒流控制系统-CN201610524020.8有效
发明人：徐申;过恒荣;王冲;司开心;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G05F1/10 文献下载
摘要：一种原边反馈反激式电源CCM与DCM模式的恒流控制系统，包括电流检测模块，输出反馈模块，电流计算模块，误差计算模块，PID模块、PWM模块以及驱动模块构成的控制系统，该控制系统与受控的开关电源连接起来构成一个闭环，电流检测模块、输出反馈模块采集实现恒流算法的基本参数，电流计算模块在开关导通阶段计算原边电感的平均电流，根据输入与输出的匝比关系，计算次级输出电流的平均电流，并通过对该电流进行时间上积分求平均得到输出电流，该输出值在数字PID模块中执行补偿算法，补偿值递交给PWM控制模块，经驱动模块输出合适的占空比，从而控制数字电源的高精度恒流。
一种反馈反激式电源 ccm dcm 模式控制系统

[发明专利]一种隔离变压器栅驱动的移相全桥变换器的故障保护方法-CN201510181367.2有效
发明人：钱钦松;卢致鹏;张太之;徐申;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：一种采用隔离变压器栅驱动的移相全桥变换器故障保护方法，实时读取移相全桥变换器的输出电压、输出电流和栅驱动供电电压数据，并将读取的上述三种数据分别与各自的整定值比较，整定值即根据桥式变换器实际工作环境，为保证变换器稳定可靠运行而人为设定并写入微处理器的输出电压上限值、输出电流上限值和栅驱动供电电压上、下限值，只要上述三种数据中的任何一种超出其整定值范围，就触发保护，分四步实施保护(1)切断电源输入，(2)输出空占空比，(3)输出最小占空比，(4)关闭栅驱动信号，保护动作完成。
一种隔离变压器驱动移相全桥变换器故障保护方法

[发明专利]一种高热载流子可靠性横向绝缘栅双极型器件-CN201710168125.9在审
发明人：孙伟锋;方云超;李智超;方炅;李婷;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高可靠性横向绝缘栅双极型器件，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅并延伸到场氧化层，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于在鸟嘴处下方增设了额外P型区，通过额外P型区屏蔽沟道电场减小沟道区的碰撞电离，因此新结构器件降低了器件开态工作阶段的热载流子损伤，延长了器件的寿命。
一种高热载流子可靠性横向绝缘栅双极型器件

[发明专利]一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN201510021811.4有效
发明人：孙伟锋;马荣晶;周雷雷;张艺;张春伟;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
一种射频横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]一种具有高热可靠性的功率模块-CN201710037515.2在审
发明人：刘斯扬;宋海洋;李胜;戴志刚;魏家行;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种具有高热可靠性的功率模块，包括散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有下表面覆铜，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面覆铜上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜上连接有功率芯片，所述功率芯片通过焊线组件与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，其特征在于，所述焊线组件由相互平行的焊线构成，每条焊线都具有多个焊点且不同焊线的端部焊点以及处在同一相对位置的中部焊点在功率芯片上呈交错排列；焊线组件使用高电导率金属材料铝Al，铜Cu，银Ag或金Au。
一种具有高热可靠性功率模块

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法-CN201510121194.5有效
发明人：孙伟锋;张春伟;任晓飞;袁永胜;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容‑电压特性测试；其次根据不同输入电压信号频率条件下的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压测试电路中串联电阻R值相同的特点搭建新修正模型，提取模型参数，得到修正曲线。本发明中针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容‑电压特性修正方法，其模型参数仅需考虑两组频率和对应频率下的测试电容，无需了解器件结构参数就能修正出其实际电容‑电压特性曲线，适用范围广。本方法也弥补了传统模型无法准确计算串联电阻R值，导致不能准确修正出实际电容‑电压特性曲线的缺陷。
金属氧化物半导体场效应晶体管电容电压特性修正方法

[发明专利]一种传导电磁干扰接收机的建模方法-CN201710129860.9在审
发明人：孙伟锋;刘琦;夏熙;朱俊杰;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：一种传导电磁干扰接收机的建模方法，包括数据预处理阶段、筛选频点过窗阶段和检波与绘制图像阶段。数据预处理阶段对提取的电压波形截取出多个完整的周期并进行等间隔插值等预处理操作，筛选频点过窗阶段对预处理后的数据进行傅里叶变换，筛选出传导电磁干扰频率范围内的各频点，依次乘以各频点对应的窗函数，然后将过窗后的频点进行傅里叶反变换，得到各频点对应的时域波形，检波与绘制图像阶段将各频点对应的时域波形分别进行三种不同方式的检波，并得到对应的检波结果，然后将检波结果与检波方式对应的电磁兼容标准绘制成图像。本发明可以在无硬件接收机的前提下，通过软件实现接收机功能，评估传导电磁干扰超标与否。
一种传导电磁干扰接收机建模方法

[发明专利]一种开关电源功率管驱动的死区时间自适应控制电路及其方法-CN201510297612.6有效
发明人：徐申;徐媛媛;肖哲飞;张力文;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种开关电源功率管驱动的死区时间自适应控制电路，PWM_P信号经过死区固定电路和反相器链驱动电路后输出控制信号PG，PWM_N信号与经过对LX点电压进行采样的检测及采样保持电路、误差比较电路、控制电流产生电路后的输出信号共同输入至死区产生及驱动电路后输出控制信号NG。本发明采用对上升死区时间T1和下降死区时间T2分别进行控制的方法，因T2受负载电流和功率管尺寸影响不大而固定其死区时间，只利用负反馈方式自动调节T1进行自适应死区优化，从而获得最佳死区时间。
一种开关电源功率管驱动死区时间自适应控制电路及其方法

[发明专利]一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201410571052.4有效
发明人：孙伟锋;喻慧;张龙;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。
一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法