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[发明专利]集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法-CN202111599112.X在审
发明人：卞铮;肖魁;赵爱峰;胡金节;杨涛 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成有淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆；图案化并刻蚀基的正面，形成淬灭电阻沟槽和隔离沟槽；隔离沟槽的宽度大于淬灭电阻沟槽的宽度；在淬灭电阻沟槽的内表面形成绝缘层；在基底正面淀积多晶硅，多晶硅填入淬灭电阻沟槽中并将其封口，填入隔离沟槽中且不将其封口；氧化隔离沟槽中的多晶硅；向所述隔离沟槽中填充遮光导电材料。本发明能够与CMOS工艺兼容。并且由于淬灭电阻沟槽可以与隔离沟槽共用一张光刻版，因此淬灭电阻的制造无需单独使用一张光刻版，降低了生产成本。
集成有淬灭电阻光子雪崩二极管及其制造方法

[发明专利]沟槽栅结构及沟槽栅型器件-CN202111329109.6在审
发明人：卞铮;肖魁;胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽栅结构及沟槽栅型器件，所述沟槽栅型器件包括沟槽栅结构和被所述沟槽栅结构分隔的多个有源区元胞，所述沟槽栅结构包括至少一组沟槽栅，每组沟槽栅的底部和侧壁设有绝缘介质层，每组沟槽栅包括两条相邻的沟槽栅端头，每组沟槽栅的两条沟槽栅端头的端部通过圆弧过渡连通。本发明通过圆弧过渡将相邻的沟槽栅端头连通，使得沟槽栅端头的端部的曲率半径增大，能够改善曲率半径过小导致绝缘介质层在制造时不易成膜的问题，即改善沟槽栅端头的绝缘介质层膜厚偏薄的问题。
沟槽结构器件

[发明专利]绝缘体上半导体器件及其制造方法-CN201811310851.0有效
发明人： 胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供绝缘体上半导体基底；在半导体层上形成图案化的多晶硅结构；体引出区光刻版光刻并掺杂形成第一导电类型离子掺杂区，源漏区光刻版光刻并掺杂形成源区、漏区及掺杂多晶硅；热扩散使第一导电类型离子掺杂区扩散形成体引出区。本发明的多晶硅结构不会存在功函数差异，因此寄生沟道的开启电压和主沟道区一致，可以避免窄沟器件出现hump现象。体引出区在掺杂时掺杂窗口离体区隔离多晶硅合适的距离，也能保证有源区内的杂质能够扩散到poly边界，以保证较好的体区引出效果。
绝缘体半导体器件及其制造方法

[发明专利]形成有电容器的半导体器件及其制造方法-CN201811343810.1有效
发明人： 胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成有电容器的半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有电容下极板的半导体衬底；在电容下极板上形成介质层；在介质层上形成第二多晶硅层；通过第一掺杂光刻版进行图形转移，在半导体衬底和第二多晶硅层上形成开设有掺杂窗口的掺杂阻挡层；掺杂第一导电类型的离子，在掺杂窗口下方的半导体衬底中形成第一导电类型离子掺杂区、第二多晶硅层形成第一掺杂多晶硅；第一掺杂多晶硅上方的掺杂窗口的宽度小于相应位置处第二多晶硅层的宽度，使得介质层被掺杂阻挡层覆盖。本发明掺杂第一导电类型的离子形成源漏时能够避免掺杂离子从侧面进入介质层，从而有效改善了PIP电容器BV偏低的失效问题。
形成电容器半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201910188627.7有效
发明人： 胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法。器件包括：双极晶体管和互补金属氧化物半导体，所述互补金属氧化物半导体包括衬底中的源极区、漏极区、源极区和漏极区间的隔离结构和隔离结构上的栅极。基区光刻步骤形成的注入窗口包括第一窗口和第二窗口，基区注入步骤注入的第二导电类型杂质穿过露出隔离结构的第一窗口增大隔离结构下方的第二导电类型杂质浓度，穿过第二窗口形成双极晶体管的基区。通过将原本用于形成第一窗口的光刻步骤和用于形成第二窗口的光刻步骤合并为一步，因此可以节省一道光刻工序，节约了整个工艺的成本，提高了产能。
半导体器件制造方法

[发明专利]IGBT器件及其制备方法-CN202010418476.2在审
发明人：方冬;肖魁;卞铮;胡金节 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽内壁上的氧化层和填充于沟槽内且相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构底部深度大于第二导电结构底部深度；扩展区，形成于沟槽下方的漂移区内并包围沟槽的底部；发射极引出结构，与第一掺杂区、第二掺杂区接触；以及栅极引出结构，与第二导电结构接触，其中，漂移区、第一掺杂区具有第一导电类型，体区、第二掺杂区、扩展区具有第二导电类型。通过形成包围沟槽底部的扩展区，可以提高IGBT器件的开关速度。
igbt 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202010418489.X在审
发明人：方冬;肖魁;卞铮;胡金节 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：在漂移区内形成体区并在体区内形成第一掺杂区和第二掺杂区；第一沟槽穿透第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，扩展区与漂移区导电类型相反且包围第一沟槽的底壁，第一沟槽内填充有形成于沟槽侧壁上的介质层和位于沟槽底部的第一导电结构和位于沟槽顶部的第二导电结构；第二沟槽穿透体区并延伸至漂移区内，第二沟槽内填充有第三导电结构以及位于沟槽内壁上的介质层。第二导电结构与栅极电连接，第一掺杂区、第二掺杂区和第三导电结构与第一电极电连接。通过第一沟槽栅、扩展区和沟槽调节区的共同作用，可增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202010418503.6在审
发明人：方冬;肖魁;卞铮;胡金节 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，器件包括：漂移区、形成于漂移区内的体区和形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；第一沟槽穿透第一掺杂区、体区并延伸至漂移区内，扩展区与漂移区导电类型相反且包围第一沟槽的底壁，第一沟槽内填充有位于底部的第一导电结构和位于顶部的第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构相互隔离；第二导电结构与第一沟槽的内壁之间以及第一导电结构与第一沟槽未被扩展区包围的内壁之间形成有介质层；第二沟槽穿透第一掺杂区和体区，第二沟槽内填充有第三导电结构以及位于第三导电结构和第二沟槽的内壁之间的介质层。通过第一沟槽和扩展区的作用，可增强漂移区的耗尽，提高器件耐压。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]IGBT器件及其制备方法-CN202010418504.0在审
发明人：肖魁;卞铮;胡金节;方冬;邓小社;芮强;朱琳 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：漂移区；形成于漂移区内的体区；形成于体区内的第一掺杂区和第二掺杂区；沟槽，依次穿透第一掺杂区和体区并延伸至漂移区内；填充结构，包括形成于沟槽侧壁上且未形成于沟槽底部的氧化层和填充于沟槽内且相互隔离的第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构底部深度大于第二导电结构底部深度；扩展区，形成于沟槽下方的漂移区内并与第一导电结构接触；发射极引出结构，与第一掺杂区、第二掺杂区和接触；栅极引出结构，与第二导电结构接触；漂移区、第一掺杂区具有第一导电类型，体区、第二掺杂区、扩展区具有第二导电类型。通过形成包围沟槽底部的扩展区，可以提高IGBT器件的开关速度。
igbt 器件及其制备方法

[发明专利]绝缘体上硅PMOS器件的制造方法-CN201910122719.5在审
发明人： 胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上硅PMOS器件的制造方法。该方法包括：获取基底，所述基底包括衬底、衬底上的埋氧层及埋氧层上的半导体层，半导体层中形成有N阱、源极区、漏极区，半导体层上形成有栅极；形成覆盖半导体层和栅极的介质层；在介质层中开设多个通孔，在介质层上形成金属连线层，所述金属连线层通过各通孔中填充的导电介质将源极区、漏极区及栅极引出；在金属连线层上形成钝化层，并通过光刻和刻蚀图形化钝化层，所述刻蚀是干法刻蚀；然后进行热处理工艺，热处理的工艺温度大于420摄氏度。通过提高热处理的工艺温度，有效的提高了PMOS管的背栅开启电压，解决了传统工艺中PMOS器件漏电过大的问题。
绝缘体 pmos 器件制造方法

[发明专利]具有静电保护结构的金属氧化物半导体场效应管-CN201610511218.2有效
发明人：林中瑀;陈淑娴;史霄;胡金节 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有静电保护结构的金属氧化物半导体场效应管，包括多个栅极，以及位于相邻的两个栅极之间的源极，源极包括P型掺杂区和N型掺杂区，P型掺杂区和N型掺杂区在第一方向上间隔排列，且P型掺杂区的平均宽度大于N型掺杂区的平均宽度。本发明的P型掺杂区的宽度大于N型掺杂区的宽度，因此P型掺杂区离沟道区更近，降低了BJT的基区电阻，进一步抑制了寄生BJT的作用，使ESD电流尽可能多的从寄生二极管流通，达到了提升抗ESD能力的目的。
具有静电保护结构金属氧化物半导体场效应

[发明专利]多晶硅发射极垂直NPN晶体管的制造方法-CN201410179392.2有效
发明人： 胡金节;肖魁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅发射极垂直NPN晶体管的制造方法，包括下列步骤：在晶圆上形成集电区和基区；淀积绝缘介质层；在绝缘介质层上光刻并刻蚀出发射区域；淀积多晶硅，多晶硅位于所述发射区域的部分与基区的单晶硅直接接触；对晶圆进行热退火；对发射区域的多晶硅进行掺杂；进行热退火使得多晶硅中的杂质扩散到基区的单晶硅中，形成发射结。本发明通过在多晶硅淀积后、掺杂之前的热退火过程中产生的热应力，使得多晶硅和单晶硅界面的薄氧化层断裂，变得更加不连续。这样在后续的发射极杂质退火中，掺杂元素能够更好地扩散，多晶硅和单晶硅界面的氧元素也会有更好的界面态，从而改善晶体管低频下的噪声特性。
多晶发射极垂直 npn 晶体管制造方法

[发明专利]一种BJT以及BiCMOS的制作方法-CN201110224765.X无效
发明人：青云;胡金节;李月影;胡勇海 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种BJT以及BiCMOS的制作方法，该BJT具有多晶硅发射极，在制作发射极时，采用两步刻蚀法，第一步干法刻蚀，以二氧化硅为停留层，不至于对单晶硅表面产生破坏；第二步湿法刻蚀，以Alpha型多晶硅为阻挡层，减少了湿法刻蚀中对二氧化硅层的横向腐蚀量，得到了比较好的窗口形态。从而使得发射区在做多晶硅离子注入及扩散时，可以得到比较好的表面浓度，改善了BJT的小电流退化。
一种 bjt 以及 bicmos 制作方法

[发明专利]双极晶体管的制造方法-CN200910189541.2有效
发明人： 胡金节;肖中强;陈正培;李月影;赵英翰;吴孝嘉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种双极晶体管的制造方法，包括：形成CMOS栅极，在所述栅极上低压沉积正硅酸乙酯层，进行侧墙软腐蚀工艺，对所述正硅酸乙酯层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷，形成CMOS源漏极。本发明对形成侧墙的膜层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷，增大了电流工作区间，从而很大程度的改善了垂直NPN双极晶体管的电流增益。
双极晶体管制造方法

[实用新型]空压机余热回收装置-CN201020541487.1无效
发明人： 胡金节;钟建民;雷晓;梁献昌 -专利权人：佛山市三水侨锋电路版有限公司
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： F24H1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空压机余热回收装置，包括热交换器，其特征在于，所述热交换器通过管道与空压机的尾气排放口连接进行热交换，热交换器连接有进水管路和出水管路，出水管路上连接有水泵及保温水箱，保温水箱连接有用水管路；所述热交换器与保温水箱之间还设置有回水管路，回水管路上还设置有水泵，从而使热交换器与保温水箱之间形成循环水路。本实用新型能有效利用空压机余热，而且结构简单，使用方便。
空压机余热回收装置

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